• 제목/요약/키워드: Photoconductor

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간섭과 회절 모델을 고려한 비정질 셀레늄(a-Se) 시뮬레이션 (Simulation of amorphous selenium considering diffraction and interference models)

  • 김시형;송광섭
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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    • pp.997-999
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    • 2012
  • 방사선 진단 목적으로 디지털 X-ray 영상 디텍터는 널리 사용 되고 있다. 비정질 셀레늄(amorphous selenium, a-Se)은 직접 방식 디텍터의 광전도체(photoconductor)를 구성하는 주요 재질 중 하나로 많은 관심을 받고 있다. 본 연구는 2차원 디바이스 시뮬레이터를 사용하여 파란색 빛을(파장=486 nm) 조사한 상태에서 고전압(High voltage, HV)을 인가하여 비정질 셀레늄 광전류 크기를 분석 하였다. 또한 비정질 셀레늄 내부의 전자-정공 생성 율, 전자-정공 재결합 율, 전자/정공의 농도 분포도에 추가로 분석한 연구 결과이다. 본 시뮬레이션 방법은 직접방식 디지털 X-ray 영상 디텍터 분석에 있어서 유용한 방법으로 향후 디지털 방사선 영상 디텍터 개발에 많이 응용될 것으로 예상된다.

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a-Se 광도전막을 이용한 HARP 촬상관의 제작 및 특성 (Fabrication and Characteristics of HARP Image Pickup Tube Using a-Se Photoconductive Film)

  • 박욱동;김기완
    • 센서학회지
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    • 제7권1호
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    • pp.17-22
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    • 1998
  • $4{\mu}m$ 두께의 a-Se 광도전막을 이용한 HARP (high-gain avalanche rushing amorphous photoconductor) 촬상관을 제작하고 그 특성을 조사하였다. 타겟전압이 360 V 이상으로 증가함에 따라 촬상관의 신호전류는 급격하게 증가하였으나 암전류는 490 V의 전압까지 3.2 nA이하로 억제되었다. $1.1{\times}10^{6}V/cm$의 전기장에서 440 nm의 파장에 대한 타겟의 양자효율은 약 4.3으로 나타났다. 또한 촬상관의 진폭응답은 800 TV line에서 7.5 %였으며 잔상은 3.4%였다.

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디지털 X-ray imaging을 위한 Hybrid 방식의 다층구조 설계 (Multi-layer design of Hybrid method for digital X-ray imaging)

  • 조성호;박지군;이동길;김대환;김재형;남상희
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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    • pp.75-78
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    • 2003
  • In recent years, there has been keen interest in developing flat panel detectors for all modalities of radiology, including gerneral radiology, fluoroscopy, electronic portal imaging, and mammography. In this paper, we report the new hybrid x-ray detector consisted of ZnS(Ag) photoemission layer and a-Se photoconductor layer to resolve problem of conventional x-ray detector such as the direct detector and the indirect detector. To design the structure of ZnS(Ag)/a-Se detector, the penetrated energy spectrum and absorption fraction was estimated using MCNP 4C code. Also, we carried out the experiment to demonstrate the result of MCNP 4C code. Experimental results showed that the absorption fraction of $500{\mu}m$-ZnS(Ag) film was above 87%, 75% at 60 and 80 kVp. As a results, we can determined the thickness of suitable phosphor and the thickness of photoconductor.

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형광체 기반 X선 광 변조기를 위한 비정질 셀레늄 필름 특성 (Characterization of the a-Se Film for Phosphor based X-ray light Modulator)

  • 강상식;박지군;조성호;차병열;신정욱;이건환;문치웅;남상희
    • 대한의용생체공학회:의공학회지
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    • 제28권2호
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    • pp.306-309
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    • 2007
  • PXLM(Phosphor based x-ray light modulator) has a combined structure by phosphor, photoconductor, and liquid crystal and it can realize x-ray image of high resolution in clinical diagnosis area. In this study, we fabricated a photoconductor and investigated electrical and optical properties to confirm application possibility of radiator detector of PXLM structure. As photoconductor, amorphous selenium(a-Se), which is used most in DR(Digital radiography) of direct conversion method, was used and for formation of thin film, it was formed as $20{\mu}m-thick$ by using thermal vacuum evaporation system. For a produced a-Se film, through XRD(X-ray diffraction) and SEM(Scanning electron microscope), we investigated that amorphous structure was uniformly established and through optical measurement, for visible light of 40 $0\sim630nm$, it had absorption efficiency of 95 % and more. After fabricated a-Se film on the top of ITP substrate, hybrid structure was manufactured through forming $Gd_2O_3:Eu$ phosphor of $270{\mu}m-thick$ on the bottom of the substrate. As the result to confirm electrical property of the manufactured hybrid structure, in the case of appling $10V/{\mu}m$, leakage current of $2.5nA/cm^2$ and x-ray sensitivity of $7.31nC/cm^2/mR$ were investigated. Finally, we manufactured PXLM structure combined with hybrid structure and liquid crystal cell of TN(Twisted nematic) mode and then, investigated T-V(Transmission vs. voltage) curve of external light source for induced x-ray energy. PXLM structure showed a similar optical response with T-V curve that common TN mode liquid crystal cell showed according to electric field increase and in appling $50\sim100V$, it showed linear transmission efficiency of $12\sim18%$. This result suggested an application possibility of PXLM structure as radiation detector.

2차원 소자 시뮬레이터를 이용한 비정질 셀레늄(a-Se) 분석 (Study of The Amorphous Selenium (a-Se) using 2-dimensional Device Simulator)

  • 김시형;김창만;남기창;김상희;송광섭
    • 전자공학회논문지
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    • 제49권10호
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    • pp.187-193
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    • 2012
  • 디지털 X-ray 영상 디텍터는 의료용 및 산업용으로 널리 이용되고 있다. 직접방식(direct method)의 디지털 X-ray 영상 디텍터는 X-ray 에너지를 전기적 신호로 변환하기 위하여 광도전체(photoconductor)를 이용하며 일반적으로 비정질 셀레늄(a-Se)을 사용하고 있다. 본 연구는 비정질 셀레늄 표면에 파장 486 nm의 전자방사선을 조사할 경우 내부에서 일어나는 물리적 현상들을 분석하기 위하여 2차원 소자 시뮬레이터을 이용하였다. 시뮬레이션 결과를 통해 비정질 셀레늄 내부 전자-정공 생성율, 전자-정공 재결합율, 전자/정공 분포에 대한 분석을 수행하였다. 사용된 시뮬레이터는 디바이스 내부를 삼각형으로 나누어 보간법을 사용하여 계산하는 방식이다. 본 시뮬레이션 방법은 직접방식 디지털 X-ray 영상 디텍터 분석을 위하여 처음으로 제안되었고 유용한 방법이다. 이러한 2차원 소자 시뮬레이터를 이용한 연구방법은 향후 디지털 방사선 영상 디텍터 개발에 많이 응용될 것으로 예상된다.

Squaraine 감광체를 이용한 유기감광체의 전자사진 특성 (Xerographic properties of Organic Photoconductor used Squaraine derivative)

  • 노병현
    • 한국인쇄학회지
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    • 제15권1호
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    • pp.97-109
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    • 1997
  • In this work, appearance part of dot gain, and relationship between ton jump and dot gain was studied using the round dot, the square dot, the line dot and the elliptical dot. Each dot pattern were different that was the conners of the round dot touch at 78%, the corners of the square dot and the line dot touch at 100% and the corners of the elliptical dot touch at approximately 40~60%. The result of this work, when the corners join between dots take place tone scale jump and dot gain, and different position of dot gain in each dot patterns.

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수소화된 박막 비정질 Ge 반도체의 전기적 응답속도 향상 방안 (Enhancement of Response Speed in a-Ge:H Thin Film Semiconductor)

  • 최규남
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.261-264
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    • 1995
  • The response speed enhancement in picosecond photoconductor made from RF planar magnetron sputtered hydrogenated amorphous germanium thin film is discussed. Pulsed laser annealing technique was used to fabricate the highly conductive ohmic contacts and to remove the shallow deflects in the deposited photoconductive film using the different laser powers. Measured V-I curve showed -5 times bigger conductance in photoconductive gap than the one used by the conventional vacuum annealing method using strip heater.

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정전 직접 도장법에 의한 유기 감광체의 박막 형성 및 표면 코우팅에 관한 연구 (The Formation of CTL and Surface Coating for Photoconductor by Direct Electrostatic Coating)

  • 윤종태
    • 한국인쇄학회지
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    • 제10권1호
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    • pp.69-80
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    • 1992
  • In screen printing process, printing are streching screen meshs of an angle of 45deg. This angle need much more screen mesh`s quantity of 15% than 22.5deg. To seach mesh angles have affect on reproducting fine line pattern, we modeled the expecting image according to screen angles change and reconfirmed it`s useful and valid from experimentation.

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스테레오 영상 정합을 위한 새로운 구조 정보 추출 알고리즘 (Simple Algorithm of Structure Features Extration for Stereo Image Matching)

  • 최환언
    • 한국인쇄학회지
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    • 제9권1호
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    • pp.1-11
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    • 1991
  • In this reseach, double-layered photoconductor consist of the carrier generation layer(CGL) of $\varepsilon$ type copper phthalocyanine thin film by an aqueous coating method and the carrier transport layer(CGL) of polyvinyl carbazol(PVK) by spin coating. We inverstigated effect of the surfactant solution and cathod electrolysis to the crystal type of $\varepsilon$-CuPc in CGL with TEM, SEM and X- ray diffraction spectroscopy and studied the mechanism of an aqueous coating for the preparation of CGL. The effect of the washing of CGL about the electrophotographic characteristics of the $\varepsilon$-CuPc/PVK doublelayered photoconductors is studied also.

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증착 조건에 따른 ITO 전극의 X-ray 변환물질에서의 특성 평가

  • 노성진;신정욱;이영규;송용근;이지윤;박성광;남상희
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.366-366
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    • 2012
  • 현재 사용되고 있는 투명전극재료 중에 ITO(Indium Tin Oxide)가 가장 투명하면서 전기도 잘 통하고 생산성도 좋다. 투명전극은 비저항이 $1{\times}10^{-3}{\Omega}/cm$이하, 면 저항이 $10^3{\Omega}/sq$이하로 전기전도성이 우수하고 380에서 780 nm의 가시광선 영역에서의 투과율이 80%이상이라는 두 가지 성질을 만족시키는 박막이다. 본 연구에서 X-ray Film을 제작하기 위하여 상용화된 ITO Glass 전극 기판에 X-ray가 조사되면 직접 전자 전공 쌍(electron-hole pair)을 발생시켜 전기적 신호를 발생하는 광도전체 물질(Photoconductor)인 PbO, $PbI_2$, $HgI_2$를 스크린 프린팅(Screen Printing)법을 이용하여 각각 제작하였다. 상부 전극으로 마그네틱 스퍼터링(Magnetic Sputtering) 진공 증착 장치를 사용하여 전류, 전압, 아르곤 및 산소 유입량등을 조절하면서 상부 전극을 증착하였다. 이때 타켓으로 $In_2O_3;SnO_2$ (조성비:90:10wt%)를 사용 하였고, base pressure는 $9{\times}10^{-7}torr$, deposition pressure는 $3{\times}10^5torr$를 고정하였다. 또한 전류와 전압은 각각 0.4A, 800V로 유지하고, $O_2$:0.3 ppm, Ar의 경우 4.9 ppm에서 70 ppm까지 올려 플라즈마를 활성화 시킨 후 90초 동안 ITO를 증착하였다. 본 실험에 제작된 박막으로 X-ray을 조사하여 검출기로써 특성 평가를 실시하였으며, 실험결과 X-선 투과와 전도성 등 두가지 특성이 동시에 만족 될 만한 성능을 가질 수 있음을 확인 할 수 있었다.

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