• Title/Summary/Keyword: Photo Etching

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박막트랜지스터의 습식 및 건식 식각 공정 (The Wet and Dry Etching Process of Thin Film Transistor)

  • 박춘식;허창우
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권7호
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    • pp.1393-1398
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    • 2009
  • 본 연구는 LCD용 비정질 실리콘박막트랜지스터의 제조공정중 가장 중요한 식각 공정에서 각 박막의 특성에 맞는 습식 및 건식식각공정을 개발하여 소자의 특성을 안정시키고자 한다. 본 연구의 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 Inverted Staggered 형태로 게이트 전극이 하부에 있다. 실험 방법은 게이트전극, 절연층, 전도층, 에치스토퍼 및 포토레지스터층을 연속 증착한다. 스토퍼층을 게이트 전극의 패턴으로 남기고, 그 위에 n+a-Si:H 층 및 NPR(Negative Photo Resister)을 형성시킨다. 상부 게이트 전극과 반대의 패턴으로 NPR층을 패터닝하여 그것을 마스크로 상부 n+a-Si:H 층을 식각하고, 남아있는 NPR층을 제거 한다. 그 위 에 Cr층을 증착한 후 패터닝 하여 소오스-드레인 전극을 위한 Cr층을 형성시켜 박막 트랜지스터를 제조한다. 여기서 각 박막의 패터닝은 식각 공정으로 각단위 박막의 특성에 맞는 건식 및 습식식각 공정이 필요하다. 제조한 박막 트랜지스터에서 가장 흔히 발생되는 문제는 주로 식각 공정시 over 및 under etching 이며, 정확한 식각을 위하여 각 박막에 맞는 식각공정을 개발하여 소자의 최적 특성을 제공하고자한다. 이와 같이 공정에 보다 엄격한 기준의 건식 및 습식식각 공정 그리고 세척 등의 처리공정을 정밀하게 실시하여 소자의 특성을 확실히 개선 할 수 있었다.

Silylation Photo resist 공정과 Enhanced-Inductively Coupled Plasma (E-ICP) (The Silylation Photo Resist Process and the Enhanced-Inductively Coupled Plasma (E-ICP))

  • 정재성;박세근;오범환
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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    • pp.922-925
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    • 1999
  • The Silylation photo-resist etch process was tested by Enhanced-ICP dry etcher. The comparison of the two process results of micro pattern etching with 0.25${\mu}{\textrm}{m}$ CD by E-ICP and ICP reveals that E-ICP has better quality than ICP The etch rate and the microloading effect was improved in E-ICP Especially, the problem of the lateral etch was improved in E-ICP.

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나노갭 트렌치 공정을 이용한 가속도센서 제작 (Fabrication of the accelerometer using the nano-gap trench etching)

  • 김현철;권희준
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제9권2호
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    • pp.155-161
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    • 2016
  • 본 논문은 광 도움 전기화학적 식각으로 나노갭 트렌치 구조를 형성하고 이를 이용해서 정전 용량형 가속도 센서를 설계하고 제작한 것에 대한 연구이다. 정전 용량형 가속도 센서의 감도를 증가시키기 위해 스프링에 연결된 관성질량과 연결된 전극과 감지전극 사이의 간격을 좁혀 커패시턴스의 변화량을 증가시키고 있다. 이를 실현시키기 위해 광-도움 전기화학적 식각을 이용하였고 ANSYS 프로그램을 이용하여 구조해석을 실시하여 $1mm{\times}mm$ 크기의 초소형 정전 용량형 가속도 센서를 설계하였다. 광-도움 전기화학적 식각의 실험 변수인 빛의 세기, dc 전압, 용액의 조성, 피치 등을 고려하여 가속도 센서는 제작 되었다. 최적 공정 조건은 dc전압 2V, Blue LED 20mA, 49wt%HF:DMF:D.I.Water=1:20:10, 피치 $20{\mu}m$이며, 폭 344nm, 깊이 $11.627{\mu}m$의 나노갭 트렌치가 형성되었다.

$CF_{4}$ 기체를 이용한 $Ta_{0.5}Al_{0.5}$ 합금 박막의 플라즈마 식각 (Application of $CF_{4}$ plasma etching to $Ta_{0.5}Al_{0.5}$ alloy thin film)

  • 신승호;장재은;나경원;이우용;김성진;정용선;전형탁;오근호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제9권1호
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    • pp.60-63
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    • 1999
  • Ta-Al 합금 박막의 건식식각에 대하여 조사하였다. $CF_{4}$ 기체를 이용한 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching, RIE)이 1:1 조성의 Ta-Al 합금 박막의 식각에 적용될 수 있음을 확인하였으며, 식각속도는 $67{\AA}/min$으로 측정되었다. 그리고 $CF_{4}$ 기체는 Ta-Al 합금 박막과 $SiO_{2}$ 층간에 선택성이 없다는 것이 확인되었으며, $SiO_{2}$ 층의 식각속도는 Ta-Al 박막의 경우보다 약 12배 빠른 $800{\AA}/min$으로 측정되었다. 그 외에 $CF_{4}$ 기체를 이용한 반응성 이온 식각에서는 Shiepley 1400-27 Photo Resist 보다 AZ 5214 Photo Resist가 더 안정적이라는 것이 조사되었다.

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ICP Poly Etcher를 이용한 Poly-Si Dry Etch시 Gas Flow에 따른 Etching 특성 변화 연구 (Study of Characteristics Variation of Etching according to Gas Flow in Poly-Si Dry Etching using ICP Poly Etcher)

  • 김동일;한승수
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.180-181
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    • 2015
  • 본 논문에서는 ICP Poly Etcher를 이용한 Dry Etch에서 몇가지 공정조건의 변화에 따른 Etching 특성 변화를 연구하였다. 주요 가스유량들이 증가 할 때, Poly-Si 의 Etch rate는 증가 하였으며 Uniformity는 나빠진 것을 확인 할 수 있었고 다른 특성들은 특별한 변화를 보이지 않았다. 주요 Gas인 HBr의 증가는 PR(Photo Resist)와 Uniformity에 영향을 주었다. 이 논문을 통해 HBr의 유량이 Poly-Si Etching에 영향을 주는 결과를 알아 볼 수 있었고 HBr 가스의 유량 증가가 Polymer의 생성에 영향을 줘 Selectivity와 Uniformity를 증가 시킨다는 것도 확인 해 볼 수 있었다.

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그라비아 인쇄를 위한 Laser Stream Patterning 개선 (Laser Stream Patterning Improvement for Gravure Printing)

  • 안태용;김한규;이동훈
    • 한국소성가공학회:학술대회논문집
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    • 한국소성가공학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.186-189
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    • 2001
  • The main method in micro-etching process, used in manufacturing semiconductors, electronic components, circuits, is Photo Masking method that exposes and develops on the photo-sensitivity solutions or films. This method enables one to process highly precisely, $\pm$0.03 mm in end line location area. But this has limits in a high speed / wide width process, difficulties in endless masking, and the problem of high price. We have developed the direct masking method to make use of Gravure printing, widely used in grocery packing sheet printing. We made cylinder tools to influence the masking quality by laser stream process. We have confirmed that the end line location accuracy in the line width of the product is improved from 0.12 mm to $\pm$0.07 mm level, after etching process.

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Etching-free 공정 적용 Micro filling 미세 패턴 구현 연구 (Study on fine pattern with Micro filling using Etching-free process)

  • 김완규;윤영우;이성의
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집
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    • pp.72-73
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    • 2012
  • Metal line을 형성하는 방법에는 그라비아 인쇄, 잉크젯 인쇄, photo 공정 후 박막 증착 공정 등을 많이 사용한다. 본 연구에서는 Micro-imprinting 공정과 DFR photo lithography 공정을 통해 음각의 미세한 pattern을 형성한 후 sputtering과 printing을 이용하여 pattern의 filling을 통해 metal line을 구현하는 것을 목표로 하였다. Pattern을 형성한 후 RIE 공정을 통해 기판 표면의 친수성 처리를 하고, SAM 공정을 통해 코팅 막의 소수성 처리를 하였다. Sputtering과 전면 프린팅 및 건조 후 strip 공정을 통해 metal line을 형성하고, 이에 대한 표면 특성과 전기적 특성을 분석하였다.

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비정질 As-Ge-Se-S 박막에서 선택적 에칭을 통한 2차원 홀로그램 제작 (2-dimensional hologram formation by selective etching on amorphous As-Ge-Se-S thin film)

  • 김진홍;강진원;정홍배
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1430-1431
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    • 2006
  • We investigated the formation of 2-dimension hologram grating by means of selective etching characteristic and photo-expansion effect according to photo irradiation on amorphous As-Ge-Se-S thin film. By method of phase holography, we made the 2-dimensional hologram grating by each (S:P) and ($+45^{\circ}:-45^{\circ}$) polarized beam with DPSS laser(532nm) and He-Ne laser(632nm). A recording property was observed at each polarized beam through 2-dimensional hologram surface relief grating. Chalcogenide thin film was etched selectively by NaOH solution after the formation of 1-dimensional diffraction grating. And then etched sample was rotated 90 degree to fabricate 2 dimensional hologram grating. We found that it was observed the formation of 2-dimensional hologram grating by AFM(Atomic Force Microscopy).

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정사각형재의 평금형 압출시 공정조건의 변화에 따른 하중과 유동양상에 대한 실험 적 연구

  • 김동권;김영득;배원병;김영호
    • 소성∙가공
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    • 제5권2호
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    • pp.97-104
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    • 1996
  • It is very important to obtain the knowledge of loads and flow patterns in most processes because these information are the fundamental data of die design and process design. The objective of present study is to investigate loads and metal flow patterns for various process conditions in flat die extrusion of square-bars from circular billets. For analyzing the metal flow patterns of the billets photo etching is used on sections of split specimen. From this method metal flow patterns are analyzed for various area reductions friction factors and punch stroke through the process from initial-stage to final-stage. Experiments are carried out with hard solder billets at room temperature.

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Development of Build-up Printed Circuit Board Manufacturing Process Using Rapid Prototyping Technology and Screen Printing Technology

  • Im, Yong-Gwan;Cho, Byung-Hee;Chung, Sung-Il;Jeong, Hae-Do
    • International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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    • 제4권4호
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    • pp.51-56
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    • 2003
  • Generally, the build-up printed circuit board manufactured by a sequential process involving etching, plating, drilling, etc, which requires many types of equipments and long lead time. Etching process is suitable for mass production, however, it is not adequate for manufacturing a prototype in the development stage. In this study, we introduce a screen printing technology for prototyping a build-up printed circuit board. As for the material, photo/thermal curable resin and conductive paste are used for the formation of dielectric and conductor. The build-up structure is made by subsequent processes such as formation of a liquid resin thin layer, solidification by a UV/IR light, and via hole filling with a conductive paste. By use of photo curable resin, productivity is greatly enhanced compared with thermal curable resin. Finally, the basic concept and the possibility of build-up printed circuit board prototyping are proposed in comparison with the conventional process.