Silicon carbide with sialon was prepared by hot pressing and transient liquid-phase sintering, and the effects of sintering atmosphere and starting phases on their microstructural characteristics were investigated. The sintered SiC with Sialon composition(Y2O3, AlN, Si3N4) in argon atmosphere had high sintered density and large aspect ratio. But sintered specimens in nitrogen atmosphere showed low aspect ratio and small grian size, becuase of the retardation of phase transformation and grain growth. Addition of Y-Sialon powder to SiC also retarded the phase transformation to ${\alpha}$-SiC from ${\beta}$-SiC and densification. The SiC specimen prepared from the starting ${\beta}$-SiC powder with Sialon composition(Y2O3, AlN, Si3N4) showed the highest fracture toughness about 6.0 MPa$.$m1/2.
RP-HPLC에서 주요 변수인 이동상의 조성과 컬럼의 종류를 변화시켜 난백 단백질을 실험하였다. C4, C8 C18 컬럼을 비교 실험하여 C18 컬럼에서 가장 많은 피크를 보여 C18 컬럼을 선택하였다. 등용매 용리에서 ACN : water의 조성이 50 : 50에서 가장 많은 피크를 보여 이 결과를 토대로 기울기 용리를 하여 실험하였다. 기울기 용리에서 얻어진 4가지 피크를 확인하기 위하여 단일성분인 lysozyme와 ovalbumin의 체류시간을 측정하여 확인하였고 논문을 통해 2가지 피크를 예측할 수 있었다.
PRAM (Phase change Random Access Memory) is one of the most promising candidates for next generation Non-volatile Memories. The Phase change material has been researched in the field of optical data storage media. Among the phase change materials $Ge_2Sb_2Te_5$(GST) is very well known for its high optical contrast in the state of amorphous and crystalline. However, the characteristics required in solid state memory are quite different from optical ones. In this study, the structural properties of GST thin films with composition were investigated for PRAM. The 100-nm thick GeTe and $Sb_2Te_3$ films were deposited on $SiO_2$/Si substrates by RF sputtering system. In order to characterize the crystal structure and morphology of these films, we performed x-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM).
Nakajima, Kazuo;Ujihara, Toru;Miyashita, Satoru;Sazaki, Gen
한국결정성장학회지
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제9권4호
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pp.387-395
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1999
The strain, surface and interfacial energies of III-V ternary systems were calculated for three kinds of structure modes: the Frank-van der Merwe(FM) mode, the Stanski-Krastanov(SK) mode and the Volmer-Weber(VW) mode. The free energy for each mode was estimated as functions of thickness and composition or lattice misfit. Through comparison of the free energy of each mode, it was found that the thickness-composition phase diagrams of III-V ternary systems can be determined only by considering the balance of the free energy and three kinds of structure modes appear in the phase diagrams. The SK mode appears only when the lattice misfit is large and/or the lattice layer is thick. The most stable structure of the SK mode is a cluster with four lattice layers or minimum thickness on a wetting layer of increasing lattice layers. The VW mode appears when the lattice misfit is large and the lattice layer is thin and only in the INPSb/InP and GaPSb/GaP system which have the largest lattice misfit of III-V ternary systems. The stable region of the SK mode in the GaPSb/GaP and InPSb/InP phase diagrams is largest of all because the composition dependence of the strain energy of these systems is stronger than that of the other systems. The critical number of lattice layers below which two-dimensional(2D) layers precede the three-dimensional(3D) nucleation in the SK mode at x=1.0 depends on the lattice misfit.
$YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$ 단일 타게트를 사용하여 R. F. 마그네트론 스퍼터링법으로 MgO(100), Si(100)기판 위에 박막을 증착한 후, $880^{\circ}C$의 산소 분위기에서 1시간 동안 열처리를 하였다. 열처리 전 박막의 미세한 조성변화에 의해서도 열처리 후 박막의 미세구조 및 전기적 특성은 크게 변화했다. MgO(100)기판의 표면에 성장되는 입자들은 선택 배향적으로 성장하려는 경향을 가지므로 가늘고 길쭉한 입자 형상을 띠는 반면에 이들 입자위에 성장되는 다른 입자들은 결정 성장 방향의 선호도가 없으므로 둥근 모양의 입자형상을 가진다. 열처리 전 박학의 조성이 1-2-3을 벗어나면 증착 후 열처리할 때 액상이 형성되며, 액상의 양이 많을수록 선택 배향적 성장이 용이해져 texture를 쉽게 이룬다. 그러나 이러한 액상은 냉각 시에 초전도입자의 입계에 이차상으로 형성되기 때문에 초전도 박막의 전기적 특성, 특히 임계온도를 저하시킨다. 또한 $T_{c,\;zero}$는 $T_{c,\;on}$에 비해서 입계에 형성되는 이차상의 영향을 더 크게 받는다.
최근에는 경량화 문제에 대한 합리적인 솔루션을 제공하고 유용한 개념설계를 제공할 수 있는 다중 재료 구조 위상최적화가 더욱 중요해지고 있다. 기존의 MMTO(Multi-Material Topology Optimization)의 경우 후보 물질의 수가 증가할수록 설계변수의 수도 증가하고, 결과적으로 계산 시간이 크게 증가한다. 따라서 PSM(Phase Section Method)과 같은 단일 설계변수를 갖는 MMTO가 제안되었다. 본 연구는 조성비가 면적이나 부피비를 나타내지 못하고, 설계변수가 목표치에 충분히 집중되지 않고, 특정 재료가 요구량보다 적게 생성되는 PSM의 세 가지 주요 제한점을 고려하여 이를 개선하는데 중점을 둔다. 이러한 한계를 극복하기 위해 재정의된 조성비와 더 나은 수렴을 위한 조정된 매개변수를 제안한다. 제안된 수정 사항의 유효성을 2차원 및 3차원 수치 예제를 통해 검증한다.
Electric field-induced phase transition from the tetragonal to rhombohedral phase was investigated for the <111> direction in tetragonal PZN-PT single crystals, which have spontaneous polarization along the <001> direction. From the strain and dielectric data, it was confirmed that the samples followed a tetragonal-orthorhombic-rhombohedral phase transition sequence with application of an electric field. This transition is different from the rhombohedral-tetragonal phase transition of <001> rhombohedral composition single crystals, in which a phase transition occurred without showing the intermediate orthorhombic phase.
In order to identify the origin of phase coexistence at morphotropic tetragonal and rhombohedral boundary in PZT ceramics, the effect of chemical inhomogeneity on phase coexistence region was investigated. Two kinds of PZT ceramics with different chemical homogeneity were prepared by conventional solid state reaction and co-precipitation method. There was coexistence of tetragonal and rhombohedral phase over a wide composition range in PZT ceramics calcined by solid state reaction, and there was also phase coexistence of which region was reduced considerably in sintered samples. And phase coexistence region was not observed in co-precipitated PZT ceramics(within 1 mole%). Therefore compositional fluctuation is considered to be major origin of the phase coexistence at morphotropic phae boundary in PZT ceramics.
Porcine pancrease lipase를 aldehyde-silica에 in situ 상태에서 immobilization 할때의 최적 조건에 대하여 연구하였다. Feed 용액의 조성비율, 양, pH, 온도, 농도, 유속에 대하여 최적화하였으며 lipase의 activity를 측정 비교하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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