In this paper, an inverter fed induction motor drive system is analyed in order to predict the conducted interference. High frequency model for inverter, motor and system parasitic components are proposed. High frequency component allows time and frequency domain analysis to be performed with standard PSpice tool. The overall high frequency component and model are verified by comparing simulation and experimental result.
The EMI filter used in switching apparatus is designed on the basis of personal designer experience. A try and error approach leads to a considerables waste of time without assurance to come out to a good solution. The difficulty in the right choice of the component values resides on the dominant role played by their parasitic components at high frequencies and is aggravated by the poor knowledge of the internal impedance of the noise generators. In this paper, we proposed the design technique for the EMI filter effectively using the LISN and the EMI analyzer in the industrial field.
This paper deals with the characteristic analysis of noise filter for the reduction of conduction noise, especially, common-mode noise. Attenuation in the system containing noise filter is analyzed and equivalent circuits for common- and differential- mode noise are derived. To clarify the effects by parasitic components of the inductor and capacitor, digital simulations using Design Center are carried out.
In this paper, we present an analytical method that provides fast and efficient evaluation of the conversion efficiency for switching power supplies. In the proposed method, the conduction losses are evaluated by calculating the effective values of the ideal current waveform first and incorporating them into an exact equivalent circuit model of the switching power supply that includes all the parasitic resistances of the circuit components. While the winding losses and core losses are accurately accounted for the magnetic components, the skin and proximity effects are assumed to be negligible in order to simplify the analysis. The validity and accuracy of the proposed method are verified with experiments on a prototype active-clamped forward converter with synchronous rectification. An excellent correlation between the experiments and theories are obtained for the input voltages of 36-75 V with 4-6 MOSFETs employed for the synchronous rectification.
A new active lossless snubber for half-bridge dual converter(that is called 'dual converter') is proposed in this paper. It features soft switching(ZVS) as well as turn-off snubbing in both main and auxiliary switches. As it uses parasitic components, such as leakage inductances and switch output capacitances etc, it helps the dual converter to operate at the higher frequency with a higher efficiency and smaller size reactive components. The operational principle, theoretical analysis, and design consideration are presented. To confirm the operation, features and validity of the proposed circuit, simulated results from an 1kW, 24V/DC-250V/DC are presented.
In this paper, isolation strategies for improving broadband circuit performance and preventing noise arising from circuit component coupling are presented. Equivalent circuit parameters, including parasitic elements, are determined for capacitor and inductor structures. The effects of the relative position of the components with regard to a ground plane are considered in the equivalent circuits. Novel meshed ground structures are investigated to determine a configuration that improves the overall circuit performance.
There is an increasing demand for efficient high power/weight auxiliary power supplies for use on high speed traction application. Many new conversion techniques have been proposed to reduce the voltage and current stress of switching components, and the switching losses in the traditional pulse width modulation(PWM) converter. Especially, the phase shift full bridge zero voltage switching PWM techniques are thought most desirable for many applications because this topology permits all switching devices to operate under zero voltage switching(ZVS) by using circuit parasitic components such as leakage inductance of high frequency transformer and power device junction capacitance. The proposed topology is found to have higher efficiency than conventional soft-switching converter. Also it is easily applicable to phase shift full bridge converter by applying an energy recovery snubber consisted of fast recovery diodes and capacitors.
Recently, there is an increasing demand for efficient high power/weight auxiliary power supplies for use on high speed traction application. many new conversion techniques have been proposed to reduce the voltage and current stress of switching components, and the switching losses in the traditional pulse width modulation(PWM) converter. Among them, the phase shift full bridge zero voltage switching PWM techniques are thought most desirable for many applications because this topology permits all switching devices to operate under zero voltage switching(ZVS) by using circuit parasitic components such as leakage inductance of high frequency transformer and power device junction capacitance. The proposed topology is found to have higher efficiency than conventional soft-switching converter. Also it is easily applicable to phase shift full bridge converter by applying an energy recovery snubber consisted of fast recovery diodes and capacitors.
Silicon Carbide (SiC) is a material with a wide bandgap (3.26eV), a high critical electric field (~2.3MV/cm), a and a high bulk electron mobility ($\sim900cm^2/Vs$). These electronic properties allow high breakdown voltage, high-speed switching capability, and high temperature operation compared to Si devices. Although various SiC DMOSFET structures have been reported so far for optimizing performances, the effect of channel dimension on the switching performance of SiC DMOSFETs has not been extensively examined. This paper studies different channel dimensons ($L_{CH}$ : $0.5{\mu}m$, $1\;{\mu}m$, $1.5\;{\mu}m$) and their effect on the the device transient characteristics. The key design parameters for SiC DMOSFETs have been optimized and a physics-based two-dimensional (2-D) mixed device and circuit simulator by Silvaco Inc. has been used to understand the relationship. with the switching characteristics. To investigate transient characteristic of the device, mixed-mode simulation has been performed, where the solution of the basic transport equations for the 2-D device structures is directly embedded into the solution procedure for the circuit equations. We observe an increase in the turn-on and turn-off time with increasing the channel length. The switching time in 4H-SiC DMOSFETs have been found to be seriously affected by the various intrinsic parasitic components, such as gate-source capacitance and channel resistance. The intrinsic parasitic components relate to the delay time required for the carrier transit from source to drain. Therefore, improvement of switching speed in 4H-SiC DMOSFETs is essential to reduce the gate-source capacitance and channel resistance.
This paper describes an advanced measuring method and precise evaluation of the ground resistance for the grounding system of energized substations and power equipments. A grounding system of substations consists of all interconnected grounding connections of grounded conductors, neutral ground wires, underground conductors of distribution lines, cable shields, grounding terminals of equipments, and etc. It is very difficult to measure the accurate ground resistance of the grounding terminals of equipments, and etc. It is very difficult to measure the accurate ground resistance of the grounding system of high voltage energized substations because of harmonic components caused by switched power supplies or overloads. The conventional fall-of-potential method may be subject to big error if stray ground currents and potentials are present. In this work, to improve the precision in measurements of the ground resistance by eliminating the effects of harmonic components and stray currents and potentials, the investigations of the ground resistance measurement by using a low pass filter in a model energized grounding system were conducted. The accuracy of ground resistance mesurements was evaluated as a function of the ratio of the test signal to noise (S/N). The errors due to the proposed ground resistance measurement method were decreased with increasing S/N and were less than 5[%] as S/N is 10. The proposed ground resistance measurement method appears to be considerably more accurate than the conventional fall-of -potential method. It is allows cancellation of the parasitic resistance of energized grounding systems, to employ the measurement method that allows cancellation of the parasitic effects due to other circulating ground currents and ground potential rises in practical situations.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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