• 제목/요약/키워드: Parameter Extraction

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Extraction of Passive Device Model Parameters Using Genetic Algorithms

  • Yun, Il-Gu;Carastro, Lawrence A.;Poddar, Ravi;Brooke, Martin A.;May, Gary S.;Hyun, Kyung-Sook;Pyun, Kwang-Eui
    • ETRI Journal
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    • 제22권1호
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    • pp.38-46
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    • 2000
  • The extraction of model parameters for embedded passive components is crucial for designing and characterizing the performance of multichip module (MCM) substrates. In this paper, a method for optimizing the extraction of these parameters using genetic algorithms is presented. The results of this method are compared with optimization using the Levenberg-Marquardt (LM) algorithm used in the HSPICE circuit modeling tool. A set of integrated resistor structures are fabricated, and their scattering parameters are measured for a range of frequencies from 45 MHz to 5 GHz. Optimal equivalent circuit models for these structures are derived from the s-parameter measurements using each algorithm. Predicted s-parameters for the optimized equivalent circuit are then obtained from HSPICE. The difference between the measured and predicted s-parameters in the frequency range of interest is used as a measure of the accuracy of the two optimization algorithms. It is determined that the LM method is extremely dependent upon the initial starting point of the parameter search and is thus prone to become trapped in local minima. This drawback is alleviated and the accuracy of the parameter values obtained is improved using genetic algorithms.

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음향방출신호에 대한 이산웨이블릿 변환기법의 적용 (Application of Technique Discrete Wavelet Transform for Acoustic Emission Signals)

  • 박재준;김면수;김민수;김진승;백관현;송영철;김성홍;권동진
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.585-591
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    • 2000
  • The wavelet transform is the most recent technique for processing signals with time-varying spectra. In this paper, the wavelet transform is utilized to improved the assessment and multi-resolution analysis of acoustic emission signals generating in partial discharge. This paper especially deals with the assessment of process statistical parameter using the features extracted from the wavelet coefficients of measured acoustic emission signals in case of applied voltage 20[kv]. Since the parameter assessment using all wavelet coefficients will often turn out leads to inefficient or inaccurate results, we selected that level-3 stage of multi decomposition in discrete wavelet transform. We applied FIR(Finite Impulse Response)digital filter algorithm in discrete to suppression for random noise. The white noise be included high frequency component denoised as decomposition of discrete wavelet transform level-3. We make use of the feature extraction parameter namely, maximum value of acoustic emission signal, average value, dispersion, skewness, kurtosis, etc. The effectiveness of this new method has been verified on ability a diagnosis transformer go through feature extraction in stage of acting(the early period, the last period) .

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A New I-V Equation for Thin Film Transistors and Its Parameter Extraction Method

  • Jung, Keum-Dong;Kim, Yoo-Chul;Park, Byung-Gook;Shin, Hyung-Cheol;Lee, Jong-Duk
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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    • pp.201-204
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    • 2008
  • Based on the device physics, a new I-V equation for TFTs is derived and a simple parameter extraction method is suggested. The new method gives more physically meaningful threshold voltage and mobility, and the obtained values can be directly used for the TFT device modeling.

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RF MOSFET의 기판 회로망 모델과 파라미터 추출방법 (Substrate Network Modeling and Parameter- Extraction Method for RF MOSFETs)

  • 심용석;강학진;양진모
    • 한국산업정보학회논문지
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    • 제7권5호
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    • pp.147-153
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    • 2002
  • GHz에서 동작하는 초미세 MOSFET의 BSIM3 MOSFET 모델에 연결하여 사용할 수 있는 기판 회로망 모델과 그에 따른 물리적 의미를 가지는 직접 파라미터 추출법이 제안되었다. 제안된 기판 회로망에는 관례적인 저항과 링-형태의 기판콘택에 의해 생성된 단일의 인덕터가 포함되었다. 모델 파라미터는 최적화 과정 없이 단절된 게이트와 공통-벌크 구성을 갖는 MOS 트랜지스터에서 측정된 S-파라미터로부터 추출되었다. 제안된 모델링 기술은 다양한 크기의 MOS 트랜지스터에 적용되었고, 30GHz까지 그 타당성이 검증되었다.

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2-D 이동물체의 형태 정보 분석을 위한 특징 파라미터 추출 (Feature Parameter Extraction for Shape Information Analysis of 2-D Moving Object)

  • 김윤호;이주신
    • 한국통신학회논문지
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    • 제16권11호
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    • pp.1132-1142
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    • 1991
  • 본 논문에서는 이동물체의 형태정보를 분석을 위한 이동물체의 특징파라미터를 추출하는 기법을 제안하였다. 이차원 영상에서 이동물체의 추출은 차영상 기법을 이용하였다. 이동물체의 특징 파라미터는 면적과 둘레, 면적과 둘레의 비(A/P ratio), 굴곡점(Vertex), 종횡비(X/Y ratio)로 하였다. 휘도 변화를 600 Lux${\sim}$1400 Lux로 가변시켜 휘도변화에 대한 각 특징파라미터의 오차 허용범위를 결정하였다. 제안된 방법의 타당성을 입증하기 위하여 모형 자동차를 이용하여 동일성을 판별한 결과 판정오류는 6%미만이었다.

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Non-Negative Matrix Factorization을 이용한 음성 스펙트럼의 부분 특징 추출 (Parts-based Feature Extraction of Speech Spectrum Using Non-Negative Matrix Factorization)

  • 박정원;김창근;허강인
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 신호처리소사이어티 추계학술대회 논문집
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    • pp.49-52
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    • 2003
  • In this paper, we propose new speech feature parameter using NMf(Non-Negative Matrix Factorization). NMF can represent multi-dimensional data based on effective dimensional reduction through matrix factorization under the non-negativity constraint, and reduced data present parts-based features of input data. In this paper, we verify about usefulness of NMF algorithm for speech feature extraction applying feature parameter that is got using NMF in Mel-scaled filter bank output. According to recognition experiment result, we could confirm that proposal feature parameter is superior in recognition performance than MFCC(mel frequency cepstral coefficient) that is used generally.

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간단하고 정확한 RF MOSFET의 기판효과 모델링과 파라미터 추출방법 (A Simple and Accurate Parameter Extraction Method for Substrate Modeling of RF MOSFET)

  • 심용석;양진모
    • 한국정보기술응용학회:학술대회논문집
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    • 한국정보기술응용학회 2002년도 추계공동학술대회 정보환경 변화에 따른 신정보기술 패러다임
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    • pp.363-370
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    • 2002
  • RF에서 동작하는 초미세 공정 MOS 트랜지스터의 기판 효과에 따른 기판회로망과 물리적 의미를 가지는 파라미터 추출법이 고려되었다. 제안된 기판 회로망에는 단일의 저항과 링 -형태의 기판 콘택에 의해 생성된 인덕터가 포함되었다 모델 파라미터는 최적화 과정없이 단절된 게이트와 공통-벌크 구성 을 갖는 MOS 트랜지스터에서 측정 된 S-파라미터로부터 추출된다. 제안된 기술은 다양한 크기 의 MOS 트랜지스터에 적용되어 졌다. 추출된 기 판 회 로망을 이 용한 가상실험 결과와 측정치는 약 30GHz까지 일치함을 검증하였다.

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RF용 Silicon MOSFET 등가회로 모델의 변수추출에 관한 연구 (A study on parameter extraction for equivalent circuit model of RF silicon MOSFETs)

  • 이성현;류현규
    • 전자공학회논문지D
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    • 제34D권12호
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    • pp.54-61
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    • 1997
  • An accurate extraction technique is developed to determine full euqivalent circuit parameters of Si MOSFETs using 1 set of measured S-parametes without complicated optimization process. This technique is based on the use of anlytic Z-parameters experessions for resistances and inductances and the Y-parameter ones for ntrinsic parameters. This accuracy is proved over the wide range of gate voltage by observing good agreement between measured and fitted Z-parameter equations and frequency-independent response of the extracted intrinsic parameters. Using this technique, gate voltage-dependencies of model parameters are obained in the saturation region and these results show the similar behavior to the short-channel effects expected from the device theory.

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간단하고 정확한 RF MOSFET의 기판효과 모델링과 파라미터 추출방법 (A Simple and Accurate Parameter Extraction Method for Substrate Modeling of RF MOSFET)

  • 심용석;양진모
    • 한국산업정보학회:학술대회논문집
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    • 한국산업정보학회 2002년도 추계공동학술대회
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    • pp.363-370
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    • 2002
  • RF에서 동작하는 초미세 공정 MOS 트랜지스터의 기판 효과에 따른 기판 회로망과 물리적 의미를 가지는 파라미터 추출법이 고려되었다. 제안된 기판 회로망에는 단일의 저항과 링-형태의 기판 콘택에 의해 생성된 인덕터가 포함되었다. 모델 파라미터는 최적화 과정 없이 단절된 게이트와 공통-벌크 구성을 갖는 MOS 트랜지스터에서 측정된 S-파라미터로부터 추출된다. 제안된 기술은 다양한 크기의 MOS 트랜지스터에 적용되어졌다. 추출된 기판 회로망을 이용한 가상실험 결과와 측정치는 약 300Hz까지 일치함을 검증하였다.

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BJT의 DC 해석 용 SPICE 모델 파라미터 추출 방법에 관한 연구 (A Study on the SPICE Model Parameter Extraction Method for the BJT DC Model)

  • 이은구
    • 전기학회논문지
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    • 제58권9호
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    • pp.1769-1774
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    • 2009
  • An algorithm for extracting the BJT DC model parameter values for SPICE model is proposed. The nonlinear optimization method for analyzing the device I-V data using the Levenberg-Marquardt algorithm is proposed and the method for calculating initial conditions of model parameters to improve the convergence characteristics is proposed. The base current and collector current obtained from the proposed method shows the root mean square error of 6.04% compared with the measured data of the PNP BJT named 2SA1980.