• 한국가스학회지
• /
• 제5권1호
• /
• pp.29-36
• /
• 2001

Poylsulfone의 phenyl 고리에 각각 -Br과 $-Si(CH_{3})_{3}$ 기능기를 치환시킨 BPSf와 TMSPSf을 합성하고, BPSf막, TMSPSf막 그리고 BPSf/TMSPSf 블렌드막에 대한 $O_{2}$와 $N_{2}$의 투과특성을 조사 $\cdot$ 비교하였다. BPSf막은 PSf막에 비해 높은 이상분리인자를 보였는데, 이는 유도 쌍극자에 의한 사슬간의 극성 상호작용 때문에 사슬간의 인력이 증가하고 따라서 사슬간의 거리가 감소하기 때문이라고 설명할 수 있다. 반면 TMSPSf막의 경우 부피가 큰 $-Si(CH_{3})_{3}$ 의 치환으로 인해 자유부피가 커져 PSf 보다 높은 투과도 계수를 나타내었다. 이러한 상반된 경향을 보이는 BPSf와 TMSPSf을 블렌드하여 제조한 BPSf/TMSPSf막의 경우 PSf보다 이상분리인자는 약간 감소한 반면 높은 투과도 계수를 나타내었다. 고분자의 구조와 투과 특성과의 상관관계를 밝히기 위해 고분자의 자유부피와 투과도 계수를 플로트한 결과, 투과도 계수가 자유부피에 잘 연관됨을 알 수 있었으며, 특히 specific free volme(SFV)과의 연관성이 보다 우수함을 알 수 있었다.

• 정보과학회 논문지
• /
• 제41권10호
• /
• pp.792-798
• /
• 2014

R-tree는 공간 데이터베이스 분야에서 가장 널리 쓰이는 색인 구조이며 다양한 변형된 기법들이 제안되었다. 이 기법들 중 Hilbert R-tree는 공간 채움 곡선인 Hilbert 곡선을 이용해서 대용량의 데이터를 고비용의 분할 과정 없이 R-tree를 구성하는 기법이다. 하지만 기존의 CPU기반의 Hilbert R-tree는 대용량의 데이터를 처리할 때는 순차적인 접근으로 발생되는 고비용의 전처리 비용과 느린 구축시간으로 실제 응용에 적용되기에는 한계가 있다. 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 GPU를 이용해서 데이터의 Hilbert 매핑을 병렬화 하고 이를 통해서 최종적으로 GPU의 메모리에 Hilbert R-tree의 벌크로딩을 고속화하는 기법을 제안한다. GPU기반의 Hilbert R-tree는 inversed-cell 기법과 트리구조 패킹의 병렬화 기법을 통해서 벌크로딩의 성능을 향상시켰다. 실험 결과에서는 기존의 CPU 기반의 벌크로딩에 비해 최대 45배의 성능향상을 보여주었다.

• 폴리머
• /
• 제25권3호
• /
• pp.334-342
• /
• 2001

항생제의 서방형 전달을 위해 황산겐타마이신 gentamicin sulfate (GS)을 함유한 poly(3-hydroxybutyrate-co-3-hydroxyvalerate) (PHBV) 제형을 제조하였다. 본 연구에서는 제형의 두께, hydroxyvalerate (HV) 농도, 초기 약물함유량 및 첨가제의 함유에 따른 약물 방출거동의 변화를 조사하였다. 전자주사현미경을 이용하여 제형의 표면형태와 매트릭스 내부 약물의 조성을 관찰한 결과 약물방출 전과 후 모두 거칠고 다공성인 형태를 가짐을 알 수 있었다. 또한, HV와 첨가제의 함량이 증가할수록 약물이 고분자 매트릭스에 더 조밀하게 배열함을 관찰하였고, 이러한 구조가 약물의 방출에 영향을 미침을 알았다. HPLC를 이용하여 약물의 방출량을 측정한 결과, 모든 제형이 복합적인 방출 방향을 나타내었고, 일부 매트릭스는 30일 동안 거의 영차에 가까운 방출거동을 보였다. 이상의 결과에서 우리는 제형의 두께, 고분자 매트릭스의 조성, 첨가제의 함유량 등을 조절함으로 약물 방출을 제어할 수 있음을 확인하였다.

• 전자공학회논문지A
• /
• 제31A권12호
• /
• pp.80-90
• /
• 1994

To develop VLSI of higher packing density with 0.5.mu.m gate length of less, semiconductor devices require shallow junction with higher doping concentration. the most common method to form the shallow junction is ion implantation, but in order to remove the implantation induced defect and activate the implanted impurities electrically, ion-implanted Si should be annealed at high temperature. In this annealing, impurities are diffused out and redistributed, creating deep PN junction. These make it more difficult to form the shallow junction. Accordingly, to miimize impurity redistribution, the thermal-budget should be kept minimum, that is. RTA needs to be used. This paper reports results of the diffusion characteristics of PSG film by varying Phosphorus weitht %/ Times and temperatures of RTA. From the SIMS.ASR.4-point probe analysis, it was found that low sheet resistance below 100 .OMEGA./ㅁand shallow junction depths below 0.2.mu.m can be obtained and the surface concentrations are measured by SIMS analysis was shown to range from 2.5*10$^{17}$ aroms/cm$^{3}$~3*10$^{20}$ aroms/cm$^{3}$. By depending on the RTA process of PSG film on Si, LDD-structured nMOSFET was fabricated. The junction depths andthe concentration of n-region were about 0.06.mu.m. 2.5*10$^{17}$ atom/cm$^{-3}$ , 4*10$^{17}$ atoms/cm$^{-3}$ and 8*10$^{17}$ atoms/cm$^{3}$, respectively. As for the electrical characteristics of nMOS with phosphorus junction for n- region formed by RTA, it was found that the characteristics of device were improved. It was shown that the results were mainly due to the reduction of electric field which decreases hot carriers.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
• /
• 한국마이크로전자및패키징학회 2000년도 Proceedings of 5th International Joint Symposium on Microeletronics and Packaging
• /
• pp.118-118
• /
• 2000

New single-source precursor, [AlCI3:NH2tBu] was synthesized for AlN thin f film processing with AICI3 (Aluminum Chloride) and tBuNH2 (tert-butylamine). AlN thin films for packaging aspplication were deposited on sapphire substrate by a atmosph하ie-pressure MOCVD. In most of other study methyl-based AI precursors w were used for source, But herein Aluminum Chloride was used for as AI source i in order to prevent the carbon contamination in the films and stabilize the p precursor. New precursor showed the very high gas vapor pressure so it allowed to m make the film under atmospheric-pressure and get the high purified film. High q quality AlN thin film was obtained at 700 to $900^{\circ}C$. The new precursor was p purified by a sublimation technique and help to fabricate high purity film. It s showed high vapor pressure, which is able to a critieal factor for the high purity a and atmospheric CVD of AlN. High Quality AIN thin film was obtained at $700-900^{\circ}C$. The AIN film was characterized by RBS

• 한국안전학회지
• /
• 제31권6호
• /
• pp.25-31
• /
• 2016

This paper has analyzed the structure, applicable regulations and the resistance characteristics of insulation ring type of CSST (Corrugated Stainless Steel Tubing for Gas). With the flammability test conducted in accordance with KS C IEC 60811-1-1, the evaluation of insulation resistance, temperature characteristics, and reliability has been conducted. An insulation ring type CSST consists of protective coating, tube, nut, insulation ring, packing, socket, and ball valve. Connecting an insulation ring type CSST to gas tubings for gas appliance is not permitted, moreover, the product shall be installed inside a sleeve pipe in case of buried installation such as the ceiling. Damages on protective coating and tube were detected when fire was applied to the test sample with a portable torch for 60 seconds. The insulation resistance of a normal product was $49.59M{\Omega}$, while that of the product completed the flammability test reduced to $9.21M{\Omega}$. The mean insulation resistance within the confidence Interval of 95% using the mini tap program 17 was $49.59M{\Omega}$ and the mean insulation resistance within the confidence interval reduced to $9.21M{\Omega}$. In the normal distribution analysis of 95% confidence interval, the value-P of the normal product was stable at 0.075 and AD(Anderson-Darling) statistic value was turned out to be 0.063, which is very normal, and the standard deviation was analyzed as 0.2586. The value P of the product completed the flammability test resulted in 0.005, the AD was 1.355 and the standard deviation reduced to 0.07908.

• 펄프종이기술
• /
• 제44권3호
• /
• pp.1-8
• /
• 2012

The effects of several factors including organic pigment blending and calending conditions on the surface and optical properties of coated paper were investigated. When clay and calcium carbonate are blended in the ratio of 7 to 3, highest smoothness and relative sediment volume were obtained. When organic pigments were added to the mixture of clay and calcium carbonate, the relative sediment volume did not changed significantly. However, when organic pigments were added to calcium carbonate, sheet gloss and smoothness were improved, and showed the better results than that obtained from the mixture of organic pigment and clay. When organic pigment is blended with clay, the particles of organic pigment are buried in the packing structure of coating layer. However, the particle shape of calcium carbonate is quite different from that of clay, and the aspect ratio of calcium carbonate is similar to that of organic pigment. Thus organic pigment particles are not buried and improved effectively the physical characteristics of coating layer. When the hollow sphere pigment was blended, opacity and sheet gloss were improved significantly. Even though the coating color applied was reduced, the similar level of opacity was maintained. Also, if particle size and void volume are increased, gloss is improved, because coating layer is easily transformed in calendering. Therefore, even though lower pressure was applied during calendering, the smoothness of surface of coating layer was improved, and the decrease of void volume in coating layer was reduced, and the quality of coated sheet can be improved.

• 한국화재소방학회논문지
• /
• 제30권3호
• /
• pp.23-30
• /
• 2016

현재, 국내 랙크식 창고의 소화설비들은 연면적 및 층수만을 고려하는 평면적인 입장에서의 사양설계로 이루어지고 있다. 하지만 수직적인 구조를 갖는 랙크식 창고는 평면적인 소화설비뿐만 아니라 입면적인 측면도 함께 고려되어져야 하며, 상황에 따른 적절한 성능설계를 지향하기 위해서는 랙크 내 적재되는 물품의 화재하중 산정이 우선시되어야 한다. 이에 본 연구에서는 국내 현장조사 결과와 국외 적재물품 위험도등급 등을 함께 고려하여 구성된 표준 파렛트단위 적재물품(파렛트 +박스단위 적재물품 +비닐포장재)의 화재특성을 분석하였다. 그 결과로 화재하중 산정을 위한 열방출율 및 화재감지기 등의 소화설비를 위한 환경조건인 연기발생률을 도출하였다.

• 한국표면공학회지
• /
• 제45권6호
• /
• pp.248-256
• /
• 2012

A Pd-based hydrogen membranes for hydrogen purification and separation need high hydrogen perm-selectivity. The surface roughness of the support is important to coat the pinholes free and thin-film membrane over it. Also, The pinholes drastically decreased the hydrogen perm-selectivity of the Pd-based composite membrane. In order to remove the pinholes, we introduced various surface pre-treatment such as alumina powder packing, nickel electro-plating and micro-polishing pre-treatment. Especially, the micro-polishing pretreatment was very effective in roughness leveling off the surface of the porous nickel support, and it almost completely plugged the pores. Fine Ni particles filled surface pinholes with could form open structure at the interface of Pd alloy coating and Ni support by their diffusion to the membrane and resintering. In this study, a $4{\mu}m$ surface pore-free Pd-Cu-Ni ternary alloy membrane on a porous nickel substrate was successfully prepared by micro-polishing, high temperature sputtering and Cu-reflow process. And $H_2$ permeation and $N_2$ leak tests showed that the Pd-Cu-Ni ternary alloy hydrogen membrane achieved both high permeability of $13.2ml{\cdot}cm^{-2}{\cdot}min^{-1}{\cdot}atm^{-1}$ permation flux and infinite selectivity.

• 한국화재소방학회논문지
• /
• 제24권3호
• /
• pp.72-77
• /
• 2010

허니컴 코아 구조는 강성과 강도가 뛰어나 건축물의 내장재 등 많은 분야에서 활용되고 있다. 특히 허니컴 종이는 생산 단가가 낮으며 재활용이 가능하여 환경오염을 일으키지 않는다. 그러나, 종이 재료의 특성상 화재에 취약하여 난연화 할 필요가 있다. 본 연구에서는 방화문 내장재 및 포장재에 보편적으로 사용되는 허니컴 종이의 난연 처리 방법에 따른 난연 성능을 평가하였다. 연구 대상으로는 난연종이로 제작된 허니컴과 실험실에서 제작된 방염 필름을 부착한 허니컴, 난연제 함침을 통해 제작된 허니컴, 난연제 함침 후 방염 필름을 부착한 허니컴을 포함해 총 4종에 관한 난연 성능을 비교하였다. 그 결과, 난연제를 함침한 허니컴 종이가 가장 우수한 난연 능력을 보여주었으며, 방염 필름은 착화 시간 지연에는 효과가 있었으나 열방출률 및 연기발생률에 부정적인 영향을 미치는 것으로 확인되었다.