As the most common type of endocrine malignancy, papillary thyroid cancer (PTC) accounts for 85-90% of all thyroid cancers. In this study, we presented the hypothesis that SDC4 gene silencing could effectively attenuate epithelial mesenchymal transition (EMT), and promote cell apoptosis via the $Wnt/{\beta}-catenin$ signaling pathway in human PTC cells. Bioinformatics methods were employed to screen the determined differential expression levels of SDC4 in PTC and adjacent normal samples. PTC tissues and adjacent normal tissues were prepared and their respective levels of SDC4 protein positive expression, in addition to the mRNA and protein levels of SDC4, $Wnt/{\beta}-catenin$ signaling pathway, EMT and apoptosis related genes were all detected accordingly. Flow cytometry was applied in order to detect cell cycle entry and apoptosis. Finally, analyses of PTC migration and invasion abilities were assessed by using a Transwell assay and scratch test. In PTC tissues, activated $Wnt/{\beta}-catenin$ signaling pathway, increased EMT and repressed cell apoptosis were determined. Moreover, the PTC K1 and TPC-1 cell lines exhibiting the highest SDC4 expression were selected for further experiments. In vitro experiments revealed that SDC4 gene silencing could suppress cell migration, invasion and EMT, while acting to promote the apoptosis of PTC cells by inhibiting the activation of the $Wnt/{\beta}-catenin$ signaling pathway. Besides, $si-{\beta}-catenin$ was observed to inhibit the promotion of PTC cell migration and invasion caused by SDC4 overexpression. Our study revealed that SDC4 gene silencing represses EMT, and enhances cell apoptosis by suppressing the activation of the $Wnt/{\beta}-catenin$ signaling pathway in human PTC.
Backgrounds/Aims: Endoscopic retrograde cholangiopancreatography-guided gallbladder drainage (ERGD) is an alternative to percutaneous cholecystostomy (PTC) for hospitalized acute cholecystitis (AC) patients. Methods: We retrospectively analyzed propensity score matched (PSM) AC hospitalizations using the National Inpatient Sample database between 2016 and 2019 to compare the outcomes of ERGD and PTC. Results: After PSM, there were 3,360 AC hospitalizations, with 48.8% undergoing PTC and 51.2% undergoing ERGD. There was no difference in median length of stay between the PTC and ERGD cohorts (p = 0.110). There was a higher median hospitalization cost in the ERGD cohort, $62,562 (interquartile range [IQR] $40,707-97,978) compared to PTC, $40,413 (IQR $25,244-65,608; p < 0.001). The 30-day inpatient mortality was significantly lower in hospitalizations with ERGD compared to PTC (adjusted hazard ratio 0.16, 95% confidence interval [CI]: 0.1-0.41; p < 0.001). There was no difference in association with blood transfusions, acute renal failure, ileus, small bowel obstruction, and open cholecystectomy conversion (p > 0.05) between hospitalizations with ERGD and PTC. There was lower association of acute hypoxic respiratory failure (adjusted ratio [AOR] 0.46, 95% CI: 0.29-0.72; p = 0.001), hypovolemia (AOR 0.66, 95% CI: 0.49-0.82; p = 0.009) and higher association of lower gastrointestinal bleed (AOR 1.94, 95% CI: 1.48-2.54; p < 0.001) with ERGD compared to PTC. Conclusions: ERGD is a safer alternative to PTC in patients with AC. The risk complications are lower in ERGD compared to PTC but no difference exists based on mortality or conversion to open cholecystectomy.
본 연구에서는 Sbrk 치환된 BaTiO$_3$에 그라파이트를 첨가하고 고상반응법을 이용하여 PTC 소자를 제조한 후, 저항-온도 특성을 조사하였으며 미세구조 분석을 통하여 그라파이트 첨가로 인한 PTC 특성 변화를 고찰하였다. 시편의 저항-온도 특성은 자체 제작한 저항-온도 특성 자동 측정 시스템을 사용하였으며 미세구조 고찰은 주사 전자 현미경을 사용하였다. 상온 저항값은 그라파이트를 1.5 mol% 첨가한 시편이 8.8Ω.cm로 가장 낮은 저항값을 나타내었고 저항-온도 계수는 그라파이트를 3.0 mol% 첨가한 시편이 22.4%/$^{\circ}C$로 가장 좋은 PTC 효과를 보였다. 미세구조 고찰 결과 그라파이트를 1.5 mol% 첨가한 경우 90$^{\circ}$ 및 180$^{\circ}$전계구조가 상당히 발달되었음을 볼수 있었다.
Although several kinds of conduction mechanism of PTC thermistor have been reported, there were few satisfying results. In this paper, the reported conduction mechanism theories were scrutinized and analyzed by using the experimental results. PTC thermistors for this study were manufactured by adding Sb$\_$2/O$\_$3/, AI$\_$2/O$\_$3/, TiO$\_$2/, and SiO$\_$2/ to BaTiO$\_$3/, and by sintering it at different temperatures. In order to analyze the conduction mechanism, R-T characteristics and its frequency dependence of specimens were measured. And also, the structures of specimens were studied. Especially this paper emphasized the explanation of the resistivity characteristics as the grain growth state of PTC thermistor specimens with respect to soaking temperature. According to the results, the resistivity of PTC thermistor whose grain was formed by semiconducting, was independent to the grain size at room temperature. For small and uniform grain size, the slope of the resistivity near the Curie temperature and the resistivity above the Curie temperature became greater and PTCR effect was improved.
This dissertation is about the development of $BaTiO_{3}$-type PTC(Positive Temperature Coefficient) thermistor by composition method. PTC samples were fabricated after setting the experimental composition equation as $(Ba_{0.95-x}Sr_{0.05}Ca_x)TiO_3\;-\;0.01TiO_2\;-\;0.01SiO_2\;-\;aMnCO_3\;-\;0.2Nb_{2}O_{5}$ and their testing results were analyzed. a PTC thermistor, having the characteristics of relatively low resistance at room temperature and c and a good temperature coefficient, has been developed.
The discovery of ferroelectric barium titanate (BaTiO$_3$) in 1942 began the present era of dielectrics-based electronic ceramics. Ferroelectric barium titanate has a high dielectric constant and after the recognition of BaTiO$_3$ as a new ferroelectric compound, various attractive electrical properties have been extensively studied and reported. Since then, pioneering work on valence-compensated semiconduction led to the discovery of the positive temperature coefficient (PTC) of the resistance effect found in doped BaTiO$_3$. Significant progress has since followed with respect to understanding the PTC phenomena, advancing materials capabilities, and developing devices for sensor and switching applications. In this paper, the theoretical aspects of the various PTC models are discussed and the future trends of practical applications for PTC devices are briefly mentioned.
PTC (Positive Temperature Coefficient of Resistivity) 소자는 티탄산 바륨 (barium titanate) 계열의 페로브스카이트 (perovskite) 구조를 가지는 물질을 반도체화시켰을 때 큐리온도 부근에서 저항이 1,000배 이상 증가하는 물질을 가리킨다. 처음에는 BaTiO$_3$를 대상으로 12$0^{\circ}C$ 부근에서 발생하는 PTC 현상을 연구하였으나, BaTiO$_3$에 SrTiO$_3$, PbTiO$_3$를 첨가하면, 큐리온도를 낮출 수도 있고, 높일 수도 있어서 PTC 소자의 사용 영역이 넓어졌다. PTC 소자의 응용분야는 1) 천연색 텔레비젼 수상기와 모니터에 사용하는 degausser와 같은 스위칭 소자, 2) 냉장고용 컴프레서등에 사용되는 모터 기동용 소자, 3) 자동차 연료조기증발용 히타와 같은 세라믹 히타 소자로 크게 구분된다.(중략)
Electrical properties of the laminated SMD-type PTC thermistor for microcircuit protection were investigated as a function of calcination and sintering temperature. $BaTiO_3$ with $Y_2O_3$ and $MnO_2$ were calcined at 1000 to $1150^{\circ}C$ for 2h and the laminated SMD-type PTC thermistor was sintered at 1350 to $1400^{\circ}C$ for 2h in a reduced atmosphere (1% $H_2/N_2$). Sintered density of the sample was dependent on the calcination and sintering temperature. Electrical properties of the sintered samples were strongly dependent on the densities of samples. For the samples with density below 4.6 g/$cm^3$, the insulator characteristics were observed, while PTC jump characteristics (R150/R30) were disappeared for the sample with density above 5.05 g/$m^3$. Optimal PTC characteristics were obtained for the sintered samples with density of 5.05 g/$m^3$. The laminated SMD-type PTC thermistor prepared by calcination at $1100^{\circ}C$ for 2h and sintering at $1270^{\circ}C$ for 2h showed the room temperature resistivity of $11{\Omega}{\cdot}cm$ and PTC jump characteristics of $10^2$ order.
The alumina substrates that Ni electrode was printed on and the multi-layered PTCR thermistors of which composition is $(Ba_{0.998}Ce_{0.002})TiO_3+0.001MnCO_3+0.05BN$ were fabricated by a thick film process, and the effect of re-oxidation temperature on their resistivities and resistance jumps were investigated, respectively. Ni electroded alumina substrate and the multi-layered PTC thermistor were sintered at $1150^{\circ}C$ for 2 h under $PO_2=10^{-6}$ Pa and then re-oxidized at $600{\sim}850^{\circ}C$ for 20 min. With increasing the re-oxidation temperature, the room temperature resistivity increased and the resistance jump ($LogR_{290}/R_{25}$) decreased, which seems to be related to the oxidation of Ni electrode. The small sized chip PTC thermistor such as 2012 and 3216 exhibits a nonlinear and rectifying behavior in I-V curve but the large sized chip PTC thermistor such as 4532 and 6532 shows a linear and ohmic behavior. Also, the small sized chip PTC thermistor such as 2012 and 3216 is more dependent on the re-oxidation temperature and easy to be oxidized in comparison with the large sized chip PTC thermistor such as 4532 and 6532. So, the re-oxidation conditions of chip PTC thermistor may be determined by considering the chip size.
기존 발열체의 전력제어는 On-Off 제어, 위상제어, PWM 제어를 사용해왔다. 최근 개발된 PTC 발열체를 기존의 방법으로 전력제어를 하였을 경우, 온도를 정밀하게 제어하지 못하고 인체에 유해한 전자파가 발생한다. 본 논문은 AC Cycles 가변을 이용한 PTC 열선의 전력 제어를 제안한다. 이것은 N개의 교류 cycle을 전력 제어의 단위로 간주하여, 각 cycle 마다 On-Off 여부를 결정하여 N cycles 내의 on-cycle 을 랜덤하게 배치하여 지속적으로 AC전력제어방법이다. 이 때 최소 전력량은 1/N이 되고 최대 전력량은 1이 되며 설정 값에 따라 on cycle의 수를 설정하여 N개의 단계로 일정하게 전력을 제어할 수 있다. PTC 열선과 온도센서를 사용한 발열 시스템에서 제안한 전력제어 방식이 전자파 발생과 온도제어 특성에서 우수함을 MATLAB simulation과 실험 및 측정을 통하여 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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