• 대한화학회지
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• 제51권4호
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• pp.339-345
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• 2007

Urea는 높은 온도(60~80 °C)의 수용액 상태에서 PtCl2, H2[PtCl6]·6H2O, H2[IrCl6] Ni(CH3CO2)2 와 반응해서 각각 (1)[PtCl2(Urea)]·2H2O, (2)(NH4)2[PtCl6], (3)(NH4)2[IrCl6]·H2O, (4)[Ni2(OH)2(NCO)2(H2O)2]의 complexes를 생성 한다. complexe 1에서 urea는 중성 bidentate 리간드로써 Pt(II)와 배위한다. complexe 2,3,4에서는 높은 온도에서 반 응하는 동안 배위 urea분자들이 분해되고 다양한 반응생성물들을 얻을 수 있다. 모든 complexes은 각각 적당한 수득률 로 dark green(1) yellow(2), pale brown (3) faint green(4)의 침전물로 분리된다. 반응생성물은 열분석, IR, 1H and 13C NMR spectra에 의해 측정 되었다. 이 complexes의 구성을 설명하는 일반적인 매카니즘이 제시되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 일렉트렛트 및 응용기술
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• pp.47-52
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• 2002

A processing method is developed for preparing sol-gel derived $Pb(Zr_{1-x}Ti_x)O_3$ (x=0.5) thin films on Pt-Ir($Pt_{80}Ir_{20}$)-alloy substrates. The as-deposited layer was dried on a plate in air at $70^{\circ}C$. And then it was baked at $1500^{\circ}C$, annealed at $450^{\circ}C$ and finally annealed for crystallization at various temperatures ranging from $580^{\circ}C$ to $700^{\circ}C$ for 1hour in a tube furnace. The thickness of the annealed film with three layers was $0.3{\mu}m$. Crystalline properties and surface morphology were examined using X-ray diffractometer (XRD). Electrical properties of the films such as dielectric constant, C-V, leakage current density were measured under different annealing temperature. The PZT thin film which was crystallized at $600^{\circ}C$ for 60minutes showed the best structural and electrical dielectric constant is 577. C-V measurement show that $700^{\circ}C$ sample has window memory volt of 2.5V and good capacitance for bias volts. Leakage current density of every sample show $10^{-8}A/cm^2$ r below and breakdown voltage(Vb) is that 25volts.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제13권4호
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• pp.27-36
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• 2006

약 10%이하의 Pt 또는 Ir 첨가시켜 니켈모노실리싸이드를 고온에서 안정화 시키는 것이 가능한지 확인하기 위해서 활성화영역을 가정한 단결정 실리콘 웨이퍼와 게이트를 상정한 폴리 실리콘 웨이퍼 전면에 Ni, Pt, Ir을 열증착기로 성막하여 10 nm-Ni/l nm-Pt/(poly)Si, 10 nm-Ni/l nm-Ir/(poly)Si 구조를 만들었다. 준비된 시편을 쾌속 열처리기를 이용하여 40초간 실리사이드화 열처리 온도를 $300^{\circ}C{\sim}1200^{\circ}C$ 범위에서 변화시켜 두께 50nm의 실리사이드를 완성하였다. 완성된 Pt와 Ir이 첨가된 니켈실리사이드의 온도별 전기저항변화, 두께변화, 표면조도변화, 상변화, 성분변화를 각각 사점전기저항측정기와 광발산주사전자현미경, 주사탐침현미경, XRD와 Auger depth profiling으로 각각 확인하였다. Pt를 첨가한 결과 기판 종류에 관계없이 기존의 니켈실리사이드 공정에 의한 NiSi와 비교하여 $700^{\circ}C$ 이상의 NiSi 안정화 구역을 넓히는 효과는 없었고 면저항이 커지는 문제가 있었다. Ir을 삽입한 경우는 단결정 실리콘 기판에서는 $500^{\circ}C$ 이상에서의 NiSi와 동일하게 $1200^{\circ}C$까지 안정한 저저항을 보여서 Ir이 효과적으로 Ni(Ir)Si 형태로 $NiSi_{2}$로의 상변태를 적극적으로 억제하는 특성을 보이고 있었고, 다결정 기판에서는 $850^{\circ}C$까지 효과적으로 NiSi의 고온 안정성을 향상시킬 수 있었다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2004년도 동계학술연구발표회 논문개요집
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• pp.202-203
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• 2004

• 한국세라믹학회지
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• 제39권4호
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• pp.341-345
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• 2002

The effect of the Pt electrode and the $Pt-IrO_2$ hybrid electrode on the performance of ferroelectric device was investigated. The modified Pt thin films with non-columnar structure significantly reduced the oxidation of TiN diffusion barrier layer, which rendered it possible to incorporate the simple stacked structure of Pt/TiN/poly-Si plug. When a $Pt-IrO_2$ hybrid electrode is applied, PZT thin film properties are influenced by the thickness and the partial coverage of the electrode layers. The optimized $Pt-IrO_2$ hybrid electrode significantly enhanced the fatigue properties with minimal leakage current.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제17권11호
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• pp.1061-1065
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• 1996

The charge transfer compounds of tetrathiafulvalene (TTF) with the general formula of (TTF)mMCln, (M=Au, Pt, Ir, Os) were prepared by the direct reaction using excess HAuCl4·3H2O, H2PtCl6·xH2O, H2IrCl6·xH2O and H2OsCl6 respectively. The powdered electrical conductivities (σrt) at room temperature are given as follows; (TTF)3AuCl2, 4.53×10-3; (TTF)3.5AuCl2, 6.37×10-3; (TTF)3PtCl4, 5.51×10-4; (TTF)2IrCl4, 2.40×10-5; (TTF)OsCl4·1/2C2H5OH, 4.46×10-7 Scm-1. Magnetic susceptibility, electronic (UV-Vis.), vibrational (IR) and EPR spectroscopic evidences indicate that there is incomplete charge transfer from the TTF donor to gold, platinum, and iridium respectively, and that there is essentially complete charge transfer to osmium, thereby resulting a relatively low electrical conductivity in osmium compound. The EPR and magnetic susceptibility data reflect that the metals are in diamagnetic Au(Ⅰ), Pt(Ⅱ), Ir(Ⅲ), and Os(Ⅱ) oxidation states, and the odd electrons are extensively delocalized over the TTF lattices in each compound.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.411-414
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• 1998

In this paper, the silicon-nitride membrane structure for IR sensor was fabricated through the etching and the direct bonding. The PT layer as a IR detection layer was deposited on the membrane and its characteristics were measured. The attack of PT layer during the etching of silicon wafer as well as the thermal isolation of the IR detection layer can be solved through the method of bonding/etching of silicon wafer. Because the PT layer of c-axial orientation rained thermal polarization without polling, the more integration capability can be achieved. The surface roughness of the membrane was measured by AFM, the micro voids and the non-contacted area were inspected by IR detector, and the bonding interface was observed by SEM. The polarization characteristics and the dielectric characteristics of the PT layer were measured, too.

• 한국결정성장학회지
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• 제6권2호
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• pp.177-184
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• 1996

본연구에서는 금속타겟을 이용한 반응성 스퍼터링법을 이용하여 PZT 박막의 전극 및 계면 특성의 개선을 위해, $Pt/SiO_{2}/Si$과 $Ir/SiO_{2}/Si$기판을 각각 사용하였으며, buffer layer로는 $PbTiO_{3}$을 이용하였다. Pt하부전극을 이용하여 PZT 박막제조시 randomly oriented PZT 박막이 얻어졌으나, buffer layer를 이용한 경우 (100)으로 배향된 결정성이 좋은 PZT 박막을 얻을 수 있었다. Ir하부전극을 이용한 경우, buffer layer증착에 따른 PZT 박막의 상형성이 다소 증진되었으며, Pt하부전극의 경우에 비해 잔류분극의 증가와 항전계의 감소를 관찰할 수 있었다. PZT 박막제조시 buffer layer의 이용에 따라 유전율이 증가함을 알 수 있었으며, 또한 Ir하부전극의 경우가 Pt하부전극의 경우보다 더 좋은 유전특성이 얻어졌다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2010년도 춘계학술발표대회
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• pp.50.1-50.1
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• 2010

내열성과 내부식성, 촉매능력등이 뛰어난 백금은 자동차 배출가스 정화촉매, 유/무기화학반응의 공정 촉매, 석유화학산업에서의 촉매 등 촉매 뿐만 아니라 용융유리용 도가니, 유리 섬유용 부싱 등의 유리산업, 백금 열전대 외에도 전기/전자기기, 치과용 합금, 장신구, 항공우주,등의 많은 분야에서 폭넓게 쓰인다. 한편 낮은 기계적 특성을 개선하기 위하여 로듐 등의 백금족 원소를 첨가한 합금을 제조하여 이용하고 있지만 로듐의 공금 부족과 이에 따른 가격 상승으로 인한 대체조성의 설계가 요구되고 있다. 또한 고온의 산화분위기에 노출이 되면 산화물이 형성되고 이것이 휘발하여 중량의 손실이 생긴다고 알려져 있다. 본 연구에서는 백금 합금의 이러한 문제점의 해결방안을 제시하고자 백금족 원소를 첨가하고 첨가 원소별 산화휘발의 정도를 측정하였다. 시편은 plasma arc melting법으로 각각 Pt, Pt-20%Rh, Pt-11%Ir, Pt-10%Rh-10%Ir의 조성을 가지는 합금을 만든 후 압연을 하여 판상으로 만들었고, 이를 각각 $1000^{\circ}C$, $1200^{\circ}C$, $1400^{\circ}C$ 등에서 각각 96시간 까지 산화휘발시켜 중량손실량을 측정하였고 이를 XPS를 이용한 표면분석을 하여 산화휘발거동을 규명하였다. 그 결과 Pt-20%Rh가 가장 우수한 고온산화휘발특성을 보였으며 상대적으로 고온산화휘발특성이 좋지 않은 Pt-Ir 2원계 합금에 Rh를 첨가한 Pt-10%Rh-10%Ir 3원계 합금을 만들어 약 60% 향상된 결과를 얻을 수 있었고 이 결과를 증기압 관점에서 고찰하였다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.120-121
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• 2002