• 제목/요약/키워드: PSPICE

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갈륨비소 MESFET의 모델링과 파라미터 추출법에 관한 연구 (A Study on the GaAs MESFET Modeling and the Method of Parameter Extraction)

  • 정명래;김학선;이형재
    • 한국통신학회:학술대회논문집
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    • 한국통신학회 1991년도 추계종합학술발표회논문집
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    • pp.210-214
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    • 1991
  • We briefly compared GaAs MESFET model and s셔요 on the method of parameter extraction for PSPICE simulation. The parameter determined from above method were substituded into a commercial version of PSPICE which supports the hyperbolic tangentent model. The result of simulation is reasonably good at the lower VGS and is significantly fitted overall by optimization.

전자식 안정기를 위한 HID Lamp 시뮬레이션 모델 (A PSpice Model for the Electrical Ballast of HID Lamps)

  • 지윤근;권원목;김남준
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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    • pp.123-125
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    • 2002
  • To simulate the characteristics of an High-Intensity Discharge Lamp, this paper uses PSpice circuit model which have been developed from modification of the classical Cassie and Mayr equations. The model is for an High-Intensity Discharge Lamp and compatible to adopt high-frequency electric ballast. This model is correspond to some conditions between the simulated and experimental results.

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비선형 소자 및 서지억제회로의 Pspice 시뮬레이션 (Pspice Simulation for Nonlinear Components and Surge Suppression Circuits)

  • 이복희;공영은;최원규;전덕규
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제49권8호
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    • pp.477-486
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    • 2000
  • This paper presents Pspice modeling methods for spark gaps and ZnO varistors and describes the application for the two-stage surge suppression circuit which was composed of the nonlinear components. The simulation modelings of nonlinear components were conducted on the basis of the voltage and current curves measured by the impulse current with the time-to-crest of $1~50 \mus$ and the impulse voltage with the rate of the time-to-crest of 10, 100 and 1000 V/\mus$. The firing voltages of the spark gap increased with increasing the rate of the time-to-crest of impulse voltage and the measured data were in good agreement with the simulated data. The I-V curves of the ZnO varistor were measured by applying the impulse currents of which time-to-crests range from 1 to $50 \mus$ and peak amplitudes from 10 A to 2 kA. The simulation modeling was based on the I-V curves replotted by taking away the inductive effects of the test circuit and leads. The meximum difference between the measured and calculated data was of the order of 3%. Also the two-stage surge suppression circuit made of the spark gap and the ZnO varistor was investigated with the impulse voltage of $10/1000\mus$$mutextrm{s}$ wave shape. The overall agreement between the theoretical and experimental results seems to be acceptable. As a consequence, it was known that the proposed simulation techniques could effectively be used to design the surge suppression circuits combined with nonlinear components.

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뉴런 시냅스를 위한 멤리스터의 전기회로 모델의 실험적 연구 (Experimental Study on an Electrical Circuit Model for neuron synapse based Memristor)

  • 모영세;송한정
    • 한국지능시스템학회논문지
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    • 제26권5호
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    • pp.368-374
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    • 2016
  • 본 논문에서 뉴런시냅스 응용을 위한 이산화 타이타늄 나노와이어 기반 멤리스터 소자의 전기회로 모델의 실험적 연구를 보인다. 제안하는 멤리스터 소자의 전기회로 모델은 IC 칩과 연산증폭기, 곱셈기 저항 및 커패시터 등의 수동소자 등으로 이루어진다. 멤리스터 소자의 등가모델의 시간파형, 주파수 특성, I-V 곡선 및 전력특성 등에 대한 PSPICE 모의실험 및 하드웨어 구현의 실험적 연구를 하였다. 측정결과, 히스테리시스 전류-전압 특성 등 실제 멤리스터 소자의 전기적 특성에 유사한 결과를 확인하였다.

대화면/고화질 TFT-LCD 개발을 위하여 ELA 및 SMC로 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 화소 특성 비교 (Comparative Pixel Characteristics of ELA and SMC poly-Si TETs for the Development of Wide-Area/High-Quality TFT-LCD)

    • 한국진공학회지
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    • 제10권1호
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    • pp.72-80
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    • 2001
  • 본 논문에서는 ELA(excimer laser annealing) 및 SMC(silicide mediated crystallization) 공정으로 제작된 다결정 실리콘 TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) 화소의 전기적 특성을 Spice회로 시뮬레이션을 통해 비교 분석하였다. 복잡한 TFT-LCD 어레이 (array) 회로의 전기적 특성 분석을 위하여 GUI(Graphic User Interface) 방식으로 손쉽게 복잡한 회로를 구성할 수 있는 PSpice에 AIM-Spice의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 소자 모델을 이식하고, AIM-Spice의 변수 추출법을 개선 체계화하였으며 ELA 및 SMC공정으로 각기 제작된 다결정 실리콘 박막트랜지스터에 적용하여 단위 화소 및 라인 RC 지연을 고려한 화소 특성을 비교 분석하였다. 비교 결과 ELA 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 소자가 SMC에 비해 TFT-LCD의 화소 충전 시간 및 킥백(kickback) 전압 특성이 모두 우수하게 나타남을 확인하였다.

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최적 일체형 태양광 발전용 전력변환장치 PCS 특성에 관한 연구 (A Study on the Characteristics of PCS Using a Solar Cells Generation of Optimal Integrated)

  • 황락훈
    • 전기전자학회논문지
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    • 제23권3호
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    • pp.1003-1014
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    • 2019
  • 본 논문에서는 PV 시스템에서 사용되는 회로들을 쉽게 해석할 수 있도록 모델링하였다. 시뮬레이션 툴은 직관적인 전기회로 시뮬레이션이 가능한 PSPICE를 이용하였다. 모델링한 라이브러리를 이용하여 태양전지의 사용에서 간과하기 쉬운 온도와 공간방사의 영향에 대해서도 시뮬레이션을 수행하였다. 이와 더불어 태양광 발전 시스템의 완전한 동작을 위해 DC-DC 벅-부스트 컨버터와 MPPT 제어 시스템에 대한 완전한 동작 시스템에 대해 모델링하고 시뮬레이션을 수행하여 양호한 동작을 확인할 수 있었다. 또한 시뮬레이션의 동작을 입증하기 위하여 시뮬레이션에서와 동일한 조건의 실제 시스템을 구성하여 실험을 수행 하였으며 실험의 결과와 시뮬레이션의 결과가 동일한 동작을 수행하는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 단상 3[kW] 계통연계형 태양광 전력변환기를 제안하였다.

TFT-LCD 특성 분석을 위한 poly-Si TFT 소자 모델링 및 회로 시뮬레이션 (Modeling of Poly-Si TFT and Circuit Simulation for the Analysis of TFT-LCD Characteristics)

  • 손명식;류재일;심성융;장진;유건호
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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    • pp.314-317
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    • 2000
  • In order to analyze the characteristics of complicated TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) circuits, it is indispensible to use simulation programs. In this study, we present a systematic method of extracting the input parameters of poly-Si TFT for Spice simulation. This method is applied to two different types of poly-Si TFTs fabricated in our group with good results. Among the Spice simulators, Pspice has the graphic user interface feature making the composition of complicated circuits easier. We added successfully a poly-Si TFT model on the Pspice simulator, which would contribute to efficient simulations of poly-Si TFT-LCD pixels and arrays.

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