• 한국결정성장학회지
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• 제8권1호
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• pp.42-48
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• 1998

PLT($Pb_{1-x}La_{2x/3}TiO_3$, x=0.1~0.3) 분말의 합성을 수열법에 의해 행하였다. 최적의 PLT분말을 얻을 수 있는 합성조건은 반응온도; $250^{\circ}C$, 수열용매; 8M-KOH, 반응시간; 12시간이었으며, $Pb_{1-x}La_{2x/3}TiO_3$의 조성이 $x{\leq}0.2$일 때 단일상의 PLT가 얻어졌다. 수열적으로 얻어진 PLT분말에 있어서 tetragonality(c/a)와 상전이 온도는 고용된 La2O3 함량의 증가에 따라 감소하였으며, $Pb_{1-x}La_{2x/3}TiO_3$(x=0.2)의 Curie 온도는 약 $400^{\circ}C$이었다. 합성분말의 형태는 구상에 가깝고, 입자의 크기는 20~200mm 범위였다.

• 한국재료학회지
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• 제7권1호
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• pp.33-39
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• 1997

ECR PECVD법에 의해 $Pt/Ti/SiO_{2}/Si$ 다층 기판 위에 $480^{\circ}C$에서 순수한 페로브스카이트상의 PLT박막을 증착하였다. PLT 박막 증착전 ECR산소 플라즈마내에서의 $Pb(DPM)_{2}$ pre-flowing처리는 $Pb(DPM)_{2}$의 공급을 안정화시켜주며 박막증착초기에 Pb성분이 풍부한 분위기를 조성해 줌으로써 페로브스카이트 핵생성을 용이하게 하여 PLT박막 특성을 향상시켰다. Ti-source 유입량을 변화시킬 때 PLT박막의 증착특성, 조성, 결정상 그리고 전기적 특성을 관찰하였다. PLT박막은(100)으로 우선 배향되었으며 화학양론비가 잘 맞는 경우 높은 페로브스카이트 X-선 회절강도와 높은 유전율을 나타내었다.

• 센서학회지
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• 제4권3호
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• pp.37-42
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• 1995

고주파 마그네트론 스펏터링법으로 MgO 기판위에 제조된 PLT((PbLa)$TiO_{3}$) 박막의 제조변수에 따른 특성을 조사하였다. PbO 과잉인 타겟을 사용하였으며 기판온도, 분위기압, $Ar/O_{2}$, 및 고주파 전력밀도가 각각 $640^{\circ}C$, 10 mTorr, 10/1, 및 $1.7\;W/cm^{2}$ 일 때 가장 좋은 특성을 나타내었다. 이러한 조건에서 제조된 PLT 막은 증착율이 $62.5\;{\AA}/min$, Pb/Ti가 1/2, 비유전율이 200이였으며 좋은 c축 배양성과 결정성을 나타내었다.

• 한국지반공학회논문집
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• 제23권6호
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• pp.23-36
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• 2007

대구경 현장타설말뚝에 대한 정재하시험의 한계를 극복하기 위하여 양방향 저압 말뚝재하시험이 개발되어 사용되어오고 있으나 이 방법 또한 근원적으로 해결되지 않은 문제점을 내포하고 있다. 즉, 양방향 저압 말뚝재하시험은 대용량 실린더의 배치곤란 및 시험 종료 후 실린더의 미복원에 따른 장치 내 빈 공간잔류 등의 문제점을 내포하고 있다. 본 연구에서는 양방향 복동식 고유압 말뚝재하시험(BDH PLT ; Bi-directional High Pressure Pile Load Test)을 개발하였으며 실제 현장에서 시행된 사례를 분석하여 양방향 복동식 고유압 말뚝재하시험에 대한 적용성을 확보하였다. 현재 양방향 말뚝재하시험 규정이 제정 중에 있으며, 시험종류, 재하용량, 복동식 잭 사용 필요성, 사용말뚝에 적용 시 주의점 등의 주요개념이 포함될 것이다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제1권1호
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• pp.17-21
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• 2000

In order to investigate the dependence of a content in lead lanthanum titanate (PLT) films and heat treatment, sol-gel process has been used. Four types of PLT thin films with the chemical formula, Pb$\_$1-x/ La$\_$x/Ti$\_$1-x/4/O$_3$(X=18, 21, 24 and 28 mole %) have been fabricated on Pt/Ti/SiO$_2$/Si multi-layers and ITO/glass substrates, The post-annealing temperature in the range of 400~700 $\^{C}$ is applied for the formation of perovskite structure in PLT films. The structureal, electrical and optical properties of PLT film with the addition of La content are estimated. The films orientation and surface structure of films are studied by XRD (X-ray diffraction) and SEM(scanning electron microscopy). The P-E hysteresis loop become narrower with increasing La content. The average transmittance of the films is about 80%.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권2호
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• pp.105-108
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• 2005

The Pb(Zr,Ti)O$_3$ thin films were fabricated with Pb(La,Ti)O$_3$ buffers in-situ onto Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrates by pulsed laser deposition method. We have observed the increase of the remanent polarization using PLT buffers. The remanent polarization value of 33.4 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ and the coercive field value of 66.4 kV/cm were obtained when the PLT tufter was deposited for 15 seconds. Enhancement of the polarization is resulted from the enhanced orientation of PZT thin film because of the PLT buffet layer.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권8호
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• pp.78-85
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• 1995

We fabricated the Pb$_{1-0.28{\alpha}}La_{0.28}TiO_{3}$ (PLT(28)) thin film successfully by using the sol-gel method and characterized it to evaluate its potential for being utilized as the capacitor dielectrics of ULSI DRAMs. In our sol-gel process, the acetates were used as the starting materials. Through the TGA-DTA analysis, we established the excellent fabrication conditions of the sol-gel method for the PLT(28) thin film. We obtained the dense and crack-free PLT(28) thin film of 100% perovskite phase by drying at 350$^{\circ}C$ after each coating and final annealing at 650$^{\circ}C$. Its electrical properties were measured from the planar capacitors fabricated on the Pt/Ti/SiO$_{2}$/Si substrate. By the P-E hysteresis measurement, its paraelectric phase was identified and its dielectric constant and leakage current density were measured as 936 and 1.1${\mu}A/cm^{2}$, respectively. Those electrical values indicate that the PLT(28) thin film is the most successful candidate for the capacitor dielectrics of ULSI DRAMs at the present.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.133-137
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• 1998

$(Pb_{0.72}La_{0.28})Ti_{0.93}O_3(PLT(28))$ thin films were fabricated by pulsed laser deposition. PLT films deposited on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ at $600^{\circ}C$ had a preferred orientation in (111) plane and at $550^{\circ}C$ had a (100) preferred orientation. We found that (111) preferred oriented films had well grown normal to substrate surface. This PLT(28) thin films of $1{\mu}m$ thickness had dielectric properties of ${\varepsilon}_r$=1300, dielectric $loss{\fallingdotseq}0.03 $. and had charge storage density of 10 [${\mu}C/cm^2$] and leakage current density of less than $10^{-6}[A/cm^2]$ at 100[kV/cm]. These results indicated that the PLT(28) thin films fabricated by pulsed laser deposition are suitable for DRAM capacitor application.

• 한국분말재료학회지
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• 제17권2호
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• pp.101-106
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• 2010

In this study, we successfully synthesized a nano-sized lanthanum-modified lead-titanate (PLT) powder with a perovskite structure using a high-energy mechanochemical process (MCP). In addition, the sintering behavior of synthesized PLT nanopowder was investigated and the sintering temperature that can make the full dense PLT specimen decreased to below $1050^{\circ}C$ by using $Bi_2O_3$ powder as sintering agent. The pure PLT phase of perovskite structure was formed after MCP was conducted for 4 h and the average size of the particles was approximately 20 nm. After sintered at 1050 and $1150^{\circ}C$, the relative density of PLT was about 93.84 and 95.78%, respectively. The density of PLT increased with adding $Bi_2O_3$ and the specimen with the relative densitiy over 96% were fabricated below $1050^{\circ}C$ when 2 wt% of $Bi_2O_3$ was added.

• 한국결정성장학회지
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• 제11권6호
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• pp.246-251
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• 2001

수열법으로 $(Pb_{1-x}$La_{2x/3})TiO_3$(PLT, X=0.2) 분말을 합성한 후, $MnO_2$를 0.00~0.02 mol% 첨가하여 그에 따른 소결거동 및 유전특성을 조사하였다. PLT 소결체의 상대밀도는, Mn이 0.02 mol% 첨가되고 $1150^{\circ}C$에서 5시간 소결할 경우 96.7%이였다. PLT의 유전특성은, $MnO_2$의 함량과 소결온도의 변화에 따라 변하였다. Mn의 첨가나 소결온도의 증가시 유전손실값은 측정온도의 증가에 따라 증가되었다. Curie 온도는 Mn 첨가량의 증가와 더불어 감소하였으며, Mn이 0.02 mol% 첨가될 경우, 첨가하지 않은 경우보다 60~$70^{\circ}C$ 감소하였다.