• Title/Summary/Keyword: PLASMA ETCHING

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Dry etching of pt thin film in inductive coupled BCl$_{3}$/Cl$_{2}$ plasmas (유도 결합 BCl$_{3}$/Cl$_{2}$ 플라즈마내에서 Pt 박막의 건식 식각)

  • 김남훈;김창일;권광호;장의구
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 1998.06a
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    • pp.375-378
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    • 1998
  • Platinum thin film which hardly form volatile compounds with any reactive gas at normal process temperature was etched in inductive coupled BCl$_{3}$/Cl$_{2}$ plasma. The etch rate of platinum thin film increased with increasing Cl$_{2}$/(Cl$_{2}$ + BCl$_{3}$) ratio. That reasoned increasing of ion current density.

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나노임프린트 리소그래피를 이용한 SOI 광결정 슈퍼프리즘 제작

  • Choe, Chun-Gi;Han, Yeong-Tak;O, Sang-Sun
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2007.07a
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    • pp.319-320
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    • 2007
  • We report on the fabrication of two-dimensional Silicon On Insulator (SOI) photonic crystal (PhC) superprism. To optimize the design of 2-D SOI PhC superprism, the photonic band structures (TE-polarization) for triangular lattices and the dispersion surfaces were calculated and analyzed by the plane wave expansion method. Dense 2-D SOI PhC superprism nanostructures with taper input and output waveguide microstructures were successfully fabricated by nanoimprint lithography, followed by inductively coupled plasma (ICP) etching.

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Using plasma etching to roughen a polyimide surface for inkjet printing (잉크젯 프린팅 적용을 위한 플라즈마 식각에 의한 폴리이미드 기판 조도생성)

  • Kim, Du-San;Mun, Mu-Gyeom;Yeom, Geun-Yeong
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2015.05a
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    • pp.81-81
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    • 2015
  • inkjet printing system으로 flexible 기판위에 metal interconnection 혹은 metal mesh를 제작 할 때 metal과 flexible substrate 의 접착력을 향상 시키고 선폭을 조절하기 위하여 surface roughness를 생성 시키고 표면을 hydrophobic 하게 개질 하였다. 그 결과 metal line의 선폭과 접착력이 향상됨을 알 수 있었다.

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Plasma sheath modeling of Dry etching process (드라이 에칭 프로세스의 플라즈마 쉬스 모델링)

  • Yu, Gwang-Jun;Lee, Se-Yeon;Park, Il-Han
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2007.07a
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    • pp.1432-1433
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    • 2007
  • 반도체 제조공정에서 널리 쓰이고 있는 플라즈마 에칭프로세스는 기판의 물질을 선택적으로 제거할 때 사용하는 방법이다. 컴퓨터 시뮬레이션을 이용하여 플라즈마 에칭공정을 예측하기 위한 많은 노력이 행하여져 왔다. 그러나 많은 연구에서 플라즈마와 쉬스영역을 따로 모델링하거나 PIC-MC 방법을 이용하였다. 본 논문에서는 반도체 에칭 공정에 사용되는 플라즈마와 플라즈마 쉬스를 상용 코드인 Multiphysics를 사용하여 동시에 시뮬레이션하고 실험결과와의 일치성을 보이고자 한다.

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Modeling of Plasma Etching by Using Neural Network and Optical Emission Spectroscopy (광방사분광기와 신경망을 이용한 플라즈마 식각공정 모델링)

  • Kwon, Min-Ji;Kim, Byung-Whan
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2007.07a
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    • pp.1807-1808
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    • 2007
  • 본 연구에서는 반도체 플라즈마 공정감시와 제어에 응용될 수 있는 모델을 제안한다. 본 모델은 광반사분광기(OES)정보와 신경망을 이용해서 개발하였으며, OES의 차수를 줄이기 위해 주인자 분석을 세 종류의 분산 (100, 99, 98%)에 대해서 적용하였다. 모델의 예측성능은 유전자 알고리즘을 이용하여 최적화하였다. 제안하는 모델링 방식은 MERIE를 이용한 Oxide 식각공정에 적용하였으며, 개발된 모델은 발표된 이전의 모델에 비해 증진된 예측성능을 보였다.

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