• 미생물학회지
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• 제36권3호
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• pp.221-227
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• 2000

본 연구는 등전점과 PCR 생성물을 통하여 광범위 $\beta$-Lactamase(ESBL) 를 생성하는 Klebsiella pneumoniae의 ESBL 유형을 결정하였다. 부산시내 소재 3개 종합병원의 임상검체로부터 20균주의 ESBL 을생성하는 Klebsiella pneumoniae를 분리하였다. 제 3세대 cephalosporin인 cefotaime, cef-tazidime, ceftriaxone으로 double disk synergy test를 시행하여 ESBL 생성균주를 확인하였다. 등전점 및 PCR결과 TEM 형 (pI 5.2~6.0, 1080 bp), TEM+SHV 혼합형(pI 5.2~6.0 및 pI 7.0~7.4 로 1080 bp, 599bp), SHV형 (pI 7.0~ 7.4, 599 bp) , 그리고 PCR결과는 SHV형으로 나타났으나 등전점을 나타내지 않는 것과 등전점 및 PCR 결과 어느 쪽에도 속하지 않는 non TEM non SHV 형 등 5개군으로 나뉘어 졌다.

• 비파괴검사학회지
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• 제22권4호
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• pp.361-368
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• 2002

본 연구는 초당 2개의 속도로 이송되는 사과를 대상으로 측정된 투과 에너지 스팩트럼 데이터를 이용하여 사과의 당도예측 모델을 개발하기 위해 각종 전처리가 당도 예측 모델의 정밀도에 미치는 영향을 구명하고, 신뢰성이 높은 당도 예측 회귀 모델을 개발하기 위해 수행되었다. 스펙트럼의 산란 보정, 노이즈 감소 등을 위해 1차미분, MSC, SNV, OSC 및 이들 조합으로 구성된 전처리 알고리즘을 프로그래밍하고, 이들 전처리를 스펙트럼데이터에 적용한 결과 특히 MSC SNV에 의해 각 파장에서의 투과에너지와 당도와의 상관관계가 전처리를 하지 않은 경우에 비해 현저히 증가하였다. 각종 전처리를 수행한 후 당도 예측 회귀 모델을 개발하고, 검정한 결과, 전처리 방법에 따라 예측모델의 SEP가 최대 1.265%brix 에서 최소 0.507%brix로 큰 차이를 나타내었다. 이는 SEP를 최소화하기 위해 주어진 스펙트럼 데이터의 특성에 알맞는 전처리 방법이 개발 또는 선택되어야 함을 의미한다. MSC 와 SNV는 예측 정밀도와 밀접한 관계가 있으며, OSC는 PLS의 factor 수와 관계되는 것으로 판단되었다. 1차미분은 오히려 모델의 예측 성능을 저하시키는 것으로 나타났다. 이는 실시간으로 측정된 투과스펙트럼에 상대적으로 노이즈 성분이 많이 포함되어 이들 성분이 미분에 의해 강조된 것으로 판단되었다. 본 연구에 사용된 스펙트럼 데이터의 경우 MSC와 OSC 전처리를 수행한 당도예측모델이 $R^2=0.8823$, SEP=0.5071%brix, bias=0.0327로 가장 우수하였다.

• 한국진공학회지
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• 제2권3호
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• pp.299-303
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• 1993

Erbium metal을 불순물로서 2mol% 첨가한 TlGaS2:Er3+ 단결정을 수평전기로에서 합성한 ingot를 사용하여 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. 성장된 결정은 층상으로 이루어진 monoclinic 구조였으며, 10K에서 간접전이형 및 직접전이형 energy band gap은 각각 2.55eV, 2.57eV이었고, Er3+ 이온에 의한 두 개의 불순물 광흡수 peak가 524.9nm와 656.4nm에서 관측되었다. Themally stimulated current(TSC)를 측정하여 0.21eV와 0.38eV의 donor 준위와 0.71eV의 accptor 준위를 구하였다. 10K에서 측정된 photoluminescence(PL) spectrum에서는 632nm와 759nm에서 D-A pair에 의한 broad한 peak와 552, 559, 666, 813, 816, 827nm에서 Er3+ 이온에 의한 sharp한 peak들이 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료연구회 및 광주 전남지부
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• pp.121-122
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• 2008

Blue emitting materials have been explored by various researchers. However, blue-emitting materials with high luminous efficiency, good color purity, and thermal stability are still much desired. In this study, we synthesized a new blue luminescent material, $SnDP(HPB)_2$ which is low molecular compound and thermal stability. The PL spectrum of $SnDP(HPB)_2$ was observed blue at the wavelength of 447nm. The ionization potential(IP) and the electron affinity(EA) of $SnDP(HPB)_2$ was measured to be 6.7 eV and 3.0 eV, respectively. The fundamental structure of the OLED was ITO/NPB/$SnDP(HPB)_2/Alq_3$/LiF/Al. As a Result, we obtained to enhance the performance of blue OLED.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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• pp.952-954
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• 2003

We report the photo-(PL) and electroluminescence (EL) properties of new conjugated compounds based on carbazolyl vinylene moiety, 3,3'-(1,4-phenylene di-2,1-ethenediyl) bis[9-ethyl-(E,E)-9H-carbazole](PEEC) and 3,3'-([1,1'-biphenyl]-4,4'-diyldi-2,1-ethenediyl)bis[9-ethyl-9H-carbazole](BPEEC), as emitting materials. The ITO/m-MTDATA/NPB/BPEEC/Alq3/LiF/Al device shows bluish-green EL spectrum at 490nm and turn-on voltage at 8V. PEEC shows bluish-green EL around ${\lambda}$ max=496nm and turn-on voltage at 6V and 2.4 Cd/A efficiency in ITO/m-MTDATA/NPB/PEEC/Alq3/LiF/Al device.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.378-378
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• 2010

The ZnSe epilayers were grown on the GaAs substrate by hot wall epitaxy. After the ZnSe epilayers treated in the vacuum-, Zn-, and Se-atmosphere, respectively, the defects of the epilayer were investigated by means of the low, temperature photoluminescence measurement. The dominant peaks at 2.7988 eV and 2.7937 eV obtained from the PL spectrum of the as-grown ZnSe epilayer were found to be consistent with the upper and the lower polariton peak of the exciton, $I_2$ ($D^{\circ}$, X), bounded to the neutral donor associated with the Se-vacancy. This donor-impurity binding energy was calculated to be 25.3 meV. The exciton peak, $I_l^d$, at 2.7812 eV was confirmed to be bound to the neutral acceptor corresponded with the Zn-vacancy.

• 한국마린엔지니어링학회:학술대회논문집
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• 한국마린엔지니어링학회 2005년도 후기학술대회논문집
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• pp.242-243
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• 2005

The SrS:Ag, Cl thin films have been grown by the hot wall technique with S furnace placed on the outside of the growth chamber in order to investigate the crystallographic and optical characteristics. The XRD patterns indicate a strongly preferential orientation in the [200] direction. The PL spectrum has an emission peak of about 398nm which is assigned by the transition from $4d^{95}s^1$ to $4d^{10}$ of$Ag^+$ center.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.25-26
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• 2009

We design and demonstrate the controlled morphologies of Ag-dpped ZnO nanowires (NWs) adopting self-contrived hot-walled pulsed laser deposition (HW-PLD). p-type Ag-doping is ensuired by low temperature photoluminescence (PL) spectrum to find the AoX peak at 3.349 eV. Morphology of grown NWs are controlled by changing the kinetic energy and flux of the ablated particles with adjusting the target - substrate (T-S) distance. The analysis on the resultant NWs is presented.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.346.2-346.2
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• 2014

To use the GaN based light-emitting diodes (LEDs) as solid state lighting sources, the improvement of light extraction and internal quantum efficiency is essential factors for high brightness LEDs. In this study, we suggested the new materials system of a zinc tin oxide (ZTO) layer formed on blue LED epi-structures to improve the light extraction. ZTO is a representative n-type oxide material consisted of ZnO and SnO system. Moreover, ZTO is one of the promising oxide semiconductor material. Even though ZTO has higher chemical stability than IGZO owing to its SnO2 content this has high mobility and high reliability. After formation of ZTO layer on p-GaN layer by using the spin coating method, structural and optical properties are investigated. The x-ray diffraction (XRD) measurement results show the successful formation of ZTO. The photoluminescence (PL) and absorption spectrum shows that it has 3.6-4.1eV band gap. Finally, the light extraction properties of ZTO/LED chip using electroluminescence (EL) measurement were investigated. The experimental and theoretical analyses were simultaneously conducted.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.700-702
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• 2009

We present the epitaxial growth of high-quality ZnO layers by chemical vapor transport (CVT) technique on (01-12) sapphire with a ZnO buffer layer growth by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). The surface of the grown ZnO epitaxial layers has atomically flats and the RMS is 0.11 nm. PL spectrum of as-grown samples exhibits two emissions originated by interactions between photon and free excitons.