Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

Photoluminescence Properties of $TlGaS_2:Er^{3+}$ Single Crystal

$TlGaS_2:Er^{3+}$ 단결정의 Photoluminescence 특성 연구

  • 송호준 (전남대학교 자연과학대학 물리학과) ;
  • 윤상현 (전남대학교 자연과학대학 물리학과) ;
  • 김화택 (전남대학교 자연과학대학 물리학과)
  • Published : 1993.09.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

Erbium metal을 불순물로서 2mol% 첨가한 TlGaS2:Er3+ 단결정을 수평전기로에서 합성한 ingot를 사용하여 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. 성장된 결정은 층상으로 이루어진 monoclinic 구조였으며, 10K에서 간접전이형 및 직접전이형 energy band gap은 각각 2.55eV, 2.57eV이었고, Er3+ 이온에 의한 두 개의 불순물 광흡수 peak가 524.9nm와 656.4nm에서 관측되었다. Themally stimulated current(TSC)를 측정하여 0.21eV와 0.38eV의 donor 준위와 0.71eV의 accptor 준위를 구하였다. 10K에서 측정된 photoluminescence(PL) spectrum에서는 632nm와 759nm에서 D-A pair에 의한 broad한 peak와 552, 559, 666, 813, 816, 827nm에서 Er3+ 이온에 의한 sharp한 peak들이 나타났다.

Keywords