Comparison of In-situ Er-doped GaN with Er-implanted GaN Using Photoluminescence and Photoluminescence Excitation Spectroscope (In situ Er 도핑된 GaN와 Er이 이온 주입된 GaN의 PL과 PLE 비교에 대한 연구)
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- Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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- 제16권2호
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- pp.89-96
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- 2003