• 제목/요약/키워드: PIN diode

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저위상 변화 특성을 갖는 $\pi$-형 가변 감쇠기 (A $\pi$-type Variable Attenuator with Low Phase Shift)

  • 박웅희;안길초
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권10호
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    • pp.2066-2070
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    • 2009
  • 본 논문에서는 한 개 PIN 다이오드와 두 개 저항을 이용하여 $\pi$-형 고정 감쇠기 구조 형태의 전압 제어 방식의 가변 감쇠기를 설계 및 제작하였다. 제안된 가변 감쇠기는 저항과 외부 인가 전압에 따른 PIN 다이오드의 저항 값의 변화에 따라 원하는 일정 감쇠 범위에서 동작하며, 작은 크기의 회로로 낮은 입력 VSWR 특성과 혼변조 발생 특성을 갖는다. 또한, 제안된 가변 감쇠기에서는 PIN 다이오드에 추가적인 개방 선로를 연결하여 감쇠량의 변화에 따른 위상 변화량을 적게 하였다. 추가적인 개방 선로의 길이는 Deloach 방법과 초고주파 회로 특성을 이용하여 계산하였다. 제안된 가변 감쇠기의 특성을 살펴보기 위하여 2110~2170 MHz 주파수 대역에서 마이크로스트립 기판을 이용하여 가변 감쇠기를 제작하였다. 제작된 감쇠기는 0~2.7 V의 전압 범위에서 4 dB의 감쇠량의 변화를 가졌으며, 이 때 위상 변화량은 2도 이내, 반사계수(S11)는 -20 dB 이하의 값을 가졌다.

10 Gbps SDH 광전송시스템을 위한 클럭보상/데이타 재생회로용 전압제어 hair-pin 공진 발진기의 설계 (A design of voltage controlled hair-pin resonator oscillator for the use of clock precovery/data regeneration circuit in 10 Gbps SDH fiber optic systems)

  • 연영호;이수열;이주열;유태완;박문수;홍의석
    • 한국통신학회논문지
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    • 제21권5호
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    • pp.1304-1316
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    • 1996
  • In this paper, A VCO(Voltage Controlled Oscillator) in use of clock recovery/data regeneration circuit for 10 Gbps fiber optic receivers was developed. The improved hair-pin resonator with a parallel coupled lines, which has been applied to microstrip filters, was used as a resonance part. As a frequcncy tuning device by substituting 3-terminalMESFET vaaractor for varactor diode, an MMIC manufacturing process will be simplified. Since a hair-pin resonator is planar type compared to the dielectric resonator and has a relatively flat reactance verus frequency, it will be favorable to apply a hair-pin resonator to an MMIC, in addition wideband frequency tuning range is able to be obtained.

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마이크로파대 광대역 가변 선형이득 등화기 설계 (The Design of a Wideband Adjustable Linear Gain Microwave Equalizer)

  • 김정연;공동욱;박동철;이동호;전계익
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제45권10호
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    • pp.59-64
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    • 2008
  • 본 논문은 6GHz에서 18GHz까지 동작하는 광대역 RF (송수신) 회로 시스템에 적용하기 위한 가변 선형 이득 등화기를 PIN 다이오드를 이용하여 설계하고 Thin Film 공정을 이용하여 $Al_2O_3$ (알루미나)기판에 제작하였다. 개발된 가변 선형 이득 등화기는 T형으로 동작 대역 내에서 $-7dB{\sim}-13dB$의 가변 기울기를 갖는다.

대역폭 확장 특성을 갖는 주파수 Reconfigurable 슬롯 안테나 (A Frequency Reconfigurable Slot Antenna with Bandwidth-Enhanced Characteristics)

  • 이우성;김형락;윤영중
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제17권6호
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    • pp.556-561
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    • 2006
  • 본 논문에서는 기존의 주파수 reconfigurable 안테나의 협대역 특성을 개선하기 위한 대역폭 확장 특성을 가지는 주파수 reconfigurable 슬롯 안테나가 제안되었다. 제안된 안테나는 주파수 reconfigurable 특성을 가지는 동시에 대역폭을 확장시키기 위하여 넓은 슬롯 및 좁은 슬롯 두 부분으로 구성되어 있다. 삼각형 구조의 넓은 슬롯은 제안된 안테나의 대역폭을 증가시키는 역할을 하며, 좁은 슬롯은 PIN diode를 장착하는 역할을 한다. 제안된 안테나는 PM diode의 동작 상태를 바꿈에 따라 슬롯의 총 길이를 변화시키며, 이로 인해 중심 주파수 조절과 임피던스 정합의 변화를 최소화시킨다.

VHF 대역용 광대역 고전력 스위치 설계 (Design of VHF-Band Wideband High-Power Switch)

  • 이병남;박동철
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제19권9호
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    • pp.992-999
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    • 2008
  • 본 논문은 $20{\sim}100$ MHz 범위의 VHF 대역에서 $50{\mu}s$ 이내에 2 kW 이상의 고전력 신호를 제어할 수 있는 SPST(Single Pole Single Throw) PIN 다이오드 스위치의 설계 및 제작에 관하여 기술하였다. 고전력 스위치 설계에 필요한 설계 요소를 고찰하였고, 시뮬레이션을 통해 설계된 스위치의 삽입 손실, VSWR 및 격리도 특성이 목표 값을 만족함을 확인하였다. 또한, 실험을 통하여 최대 $20{\mu}s$ 이하의 빠른 스위칭 속도로서 2 kW의 고전력 취급이 가능함을 알 수 있었고, 0.2 dB 이하의 삽입 손실, 1.17:1 이하의 VSWR 및 40 dB 이상의 격리도 특성을 얻었다.

다이오드를 이용한 가변 감쇠기의 설계 및 제작에 관한 연구 (A Study on the Fabrication of Variable Attenuator using a Diode)

  • 전중성
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제32권1호
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    • pp.147-152
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    • 2008
  • This paper has been fabricated the two different type of variable attenuators using a characteristics of a 3 dB directional coupler and pin diodes. One was not analyzed using the conventional even-odd modes but used simple two-port techniques. The resulting scattering parameters described operation characteristics for the general case where the terminating impedances are equal and unequal. After analyzing resistor role of the ${\pi}$ type fixed attenuator. this paper used a pin diode instead of a resistor. The variable attenuators were fabricated using pin diodes for current-controlled attenuation on the coupled ports of a 3 dB branch-line coupler and ${\pi}$ type fixed attenuator. The realized variable attenuators have more than 33 dB attenuation ranges at 2.1 GHz. and the input and output reflection coefficients are less than -13 dB. These results could be applied to mobile communication systems. It can be varied gain of the power amplifier according to change a outdoor environmental temperature and improved linearity.

갈릴리안 광학계를 사용한 IM/DD 광무선통신 시스템에서 830[nm] 광파장에 대한 전송거리 제한 해석 (Numerical Study on the Link Range of the IM/DD Wireless Optical Communication at 830[nm] Optical Wavelength using Galilean Optics)

  • 홍권의;고성원;조정환
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제25권11호
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    • pp.123-129
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    • 2011
  • In terrestrial wireless optical communication links, atmospheric effects including turbulence, absorption and scattering have significant impact on the system performance. Based on the analysis of transmission in atmospheric channel concerning 830[nm] wavelength diode laser beam, performance of free space optical (FSO) link utilizing Galilean optics as a laser beam transmitting and receving optics, PIN photodiode as a detecting device. In this paper we designed optical link equation for received optical power and we analyze the atmospheric effects on the signal to noise ratio (SNR) and bit error rate (BER) of an terrestrial FSO system. We show that the possible communication distance for BER=$10^{-9}$ in proposed adverse atmospheric conditions.

Transferrable single-crystal silicon nanomembranes and their application to flexible microwave systems

  • Seo, Jung-Hun;Yuan, Hao-Chih;Sun, Lei;Zhou, Weidong;Ma, Zhenqiang
    • Journal of Information Display
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    • 제12권2호
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    • pp.109-113
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    • 2011
  • This paper summarizes the recent fabrication and characterizations of flexible high-speed radio frequency (RF) transistors, PIN-diode single-pole single-throw switches, as well as flexible inductors and capacitors, based on single-crystalline Si nanomembranes transferred on polyethylene terephthalate substrates. Flexible thin-film transistors (TFTs) on plastic substrates have reached RF operation speed with a record cut-off/maximum oscillation frequency ($f_T/f_{max}$) values of 3.8/12 GHz. PIN diode switches exhibit excellent ON/OFF behaviors at high RF frequencies. Flexible inductors and capacitors compatible with high-speed TFT fabrication show resonance frequencies ($f_{res}$) up to 9.1 and 13.5 GHz, respectively. Robust mechanical characteristics were also demonstrated with these high-frequency passives components.

MIC화 PIN다이오드 하이브리드형 이상기의 설계에 관한 연구 (A Study on the Design of Hybrid MIC Phase Shifter Using PIN Dioid)

  • 김태회;박의준;박정기
    • 한국통신학회논문지
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    • 제12권4호
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    • pp.325-334
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    • 1987
  • PIN 다이오드를 利用한 反射形 移相器는 4端子網 임피던스 變換回路로 構成될 수 있는데 원하는 移相量을 얻기위한 設計方程式 誘導에 假想 임피던스法을 적용하였다. 실제로 2-bit($22.5^{\circ}$$45^{\circ}$)하이브리드 移相器를 設計 具現하여 中心周波數(10GHz)에서 $22.5^{\circ}$bit는 $0.5^{\circ}$, $45^{\circ}$bit는 $0^{\circ}$의 移相量 誤差의 것을 얻었으며 main beam 制御用 phased-array안테나를 위한 移相器設計에 이 方法을 사용할 수 있음을 立證하였다.

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