• 융합신호처리학회논문지
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• 제2권2호
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• pp.68-74
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• 2001

UHF 대역에서 동작하는 3db-커플러(Coupler)를 이용한 가변 감쇄기(Variable Attenuator)를 설계하고 제작한다. 가변 감쇄기를 구현하기 위하여 9$0^{\circ}C$, 3dB-커플러를 사용한다. 커플러를 이용한 가변 감쇄기의 동작 원리를 소개하고, 이에 대한 수학적 해석(Mathematical Analysis)을 통하여 가변 감쇄기 제작에 사용할 3dB 커플러를 시뮬레이션(Simulation) 등을 통하여 설계한다. PIN 다이오드(Diode)를 이용한 가변저항(Variable Resistor)를 시뮬레이션을 통하여 설계하고, 직접 제작하여 네트웍 분석기(Network Analyzer)를 통하여 측정하여 비교 분석한 결과 최저 삽입손실(Insertion Loss) -l0dB, 연속적인 가변 최대 감쇄(Attenuation) 10dB를 얻을 수 있다.

• ETRI Journal
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• 제41권6호
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• pp.715-730
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• 2019

We propose a switched beam-forming antenna that satisfies not only ultra-wideband characteristics but also beam-forming in the WLAN frequency band using an ultra-wideband antenna and passive parasitic elements applying a broadband optimal reactance load algorithm. We design a power and phase estimation function and an error correction function by re-analyzing and normalizing all the components of the parasitic array using control system engineering. The proposed antenna is compared with an antenna with a pin diode and reactance load value, respectively. The pin diode is located between the passive parasitic elements and ground plane. An antenna beam can be formed in eight directions according to the pin diode ON (reflector)/OFF (director) state. The antenna with a reactance load value achieves a better VSWR and gain than the antenna with a pin diode. We confirm that a beam is formed in eight directions owing to the RF switch operation, and the measured peak gain is 7 dBi at 2.45 GHz and 10 dBi at 5.8 GHz.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.377-377
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• 2007

A simplified integration process including packaging is presented, which enables the realization of the portable fluorescence detection system. A fluorescence detection microchip system consisting of an integrated PIN photodiode, an organic light emitting diode (OLED) as the light source, an interference filter, and a microchannel was developed. The on-chip fluorescence detector fabricated by poly(dimethylsiloxane) (PDMS)-based packaging had thin-film structure. A silicon-based integrated PIN photo diode combined with an optical filter removed the background noise, which was produced by an excitation source, on the same substrate. The active area of the finger-type PIN photo diode was extended to obtain a higher detection sensitivity of fluorescence. The sensitivity and the limit of detection (LOD S/N = 3) of the system were $0.198\;nA/{\mu}M$ and $10\;{\mu}M$, respectively.

• 한국전자파학회논문지
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• 제15권11호
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• pp.1090-1099
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• 2004

본 논문에서는 PIN 다이오드의 on/off특성을 이용해 공진 주파수가 변하는 정삼각형 마이크로스트립 안테나를 제안하였다. PIN 다이오드가 off 상태에서는 T 형태 스퍼라인(Spur-line)의 영향으로 스퍼라인 주위로 전류가 돌아서 흐르기 때문에 안테나의 공진 주파수가 1.22 GHz를 보였으나, PIN 다이오드가 on상태일 때는 T형의 스퍼라인이 I 형태 슬롯라인(Slot-line)으로 바뀌고, 이 I 형태의 슬롯라인에 의해 전류가 영향을 덜 받아서 안테나의 공진 주파수가 1.82 GHz를 나타내었고, 이는 일반적인 정삼각형 마이크로스트져 안테나와 공진 주파수와 차이가 거의 없었다. 제안한 안테나는 PIN다이오드가 on, off상태에서 모두 교차 편파가 -20 dB미만의 방사패턴을 가진 선형 편파 특성을 나타내었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제27권9호
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• pp.834-843
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• 2016

본 논문에서는 PIN 다이오드를 이용한 S-대역 고출력 경로선택형 SP4T 및 SP4T 구동회로의 설계를 보였다. 격리도 개선을 위하여 SP4T의 각 경로(path)는 직렬 및 병렬 PIN 다이오드 2개를 cascade하여 구성하였다. 설계된 SP4T 회로는 칩-형 PIN 다이오드와 박막(thin-film) 기법으로 제작된 20 mil AIN 기판을 사용하여 구현하였다. 또한, 설계된 SP4T의 구동회로는 1개의 multiplexer와 4개의 NMOS-PMOS push-pull 쌍을 이용하여 구성하였다. 온-웨이퍼 측정결과, 제작된 SP4T는 최대 삽입손실 1.1 dB, 최소격리도 41 dB의 특성을 보였다. 구동회로의 PIN 다이오드의 on-off, off-on 천이시간은 동일 PIN 다이오드의 패키지를 이용하여 시험하였으며, 모두 약 100 nsec 이하의 천이시간을 보였다. 150 W 입력 고출력 시험 결과, 격리도와 삽입손실은 동축 패키지의 손실 및 부정합을 고려하면 온-웨이퍼 측정결과에 준하는 결과를 얻었다.

• 한국위성정보통신학회논문지
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• 제10권3호
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• pp.26-31
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• 2015

본 논문에서는, Ku 대역의 소형 도파관 리미터 설계를 기술한다. 기본적으로 16.125 GHz로부터 16.375 GHz의 주파수 범위에서 통과 특성을 가지며, 큰 전력의 유입 시, 차단특성이 나타난다. 덧붙이면, 협대역에서는 20 dB 이상, 상기 전체 대역에서는 50 dB 이상의 감쇄량을 가지는 대역차단 여파기로 전환가능한 구조가 요구된다. 따라서, 이를 만족하기 위해 Off상태에서는 대역통과 여파기로서 On상태에서는 대역차단 여파기 기능으로 스위칭 가능한 다중 PIN 다이오드 포스트를 갖춘 도파관 장치가 구현되어야 한다. 등가회로모델링에서 출발하여 정확도 높은 전자장 분석기에서 구조 설계가 이뤄진다. 마지막으로, 설계결과가 요구성능에 부합하는지에 대해 논의된다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제8권5호
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• pp.452-461
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• 1997

PIN 다이오드를 사용한 직렬 마이크로스트립 감쇠기 회로는 PIN 다이오드 등가 회로상의 접합 커패시턴스의 영향으로 인해 감쇠량의 변화에 따라 위상 변화가 많이 발생하게 된다. 본 논문에서는 이러한 감쇠량에 따른 위상 변화량을 최소화하기 위한 CAD 방볍을 제안한다. 설계된 감쇠기 회로는 마이크로스트립 선로의 리액턴스 값이 주파수에 따라 용량성과 유도성으로 변하는 특성을 이용한다. 또, 감쇠기 회로의 위상에 영향을 주는 바이어스 회로의 위상 변화량을 미리 예측하여, 그 양을 최소화하고 광대역상에서 동작하도록 하기 위하여 반달 모양의 방사형 동조 스터브로 종단되어진 $\lambda$/4 전송선을 이용하였다. 제안된 저위상 변화 감쇠기를 측정한 결과, 최대 삽입 손실은 1GHz에서 2.5dB이었으며, PCS 대역 내에서는 1dB 미만이었다. 삽입 손실 상태에 대해 정규화 되어진 위상 변화량은 10 dB 감쇠량까지 1.2-1.9 GHz의 대역내에서는 평균 1.27였다. 설계 대역 내에서 감쇠 량에 따콘 작은 위상 변화, 감쇠량의 평탄도, 엽.출력 반사 손실을 고려할 때, 실제 유용한 대역은 1.4-1.9 G GHz까지임을 알 수 있었으며, 이 대역 내에서 0-10 dB의 감쇠량까지 입.출력 반사 손실은 10 dB 이상이었다.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 2001년도 춘계학술발표회요약집
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• pp.426.1-426
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• 2001

• 한국군사과학기술학회지
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• 제12권5호
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• pp.644-651
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• 2009

In this paper, the design results of a $22.5^{\circ}$ diode phase shifter for the RADANT lens and two $11.25^{\circ}$, $22.5^{\circ}$ dielectric phase shift layers for the diode phase shifter are presented. The amount of phase shift introduced by each dielectric layer depends on the thickness and the shape of the metal strip and the electrical property of the diode. The equivalent circuit model is employed to represent the dielectric phase shift layer, and the simulated result of the equival circuit model is compared with the result of the field simulation. The measured data of the fabricated $11.25^{\circ}$, $22.5^{\circ}$ dielectric phase shift layer shows about $2^{\circ}$ phase shift error.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.364-371
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• 2007

본 논문에서는 와이브로 기지국 시스템을 위한 고전력 PIN 다이오드 스위치와 고속 스위치 구동회로에 대한 설계와 측정 결과를 제공한다. 일반적인 전력용 팩키지 다이오드의 기생 인덕턴스에 의한 격리도 열화를 막고 다이오드 스위치의 전력 능력을 향상시키기 위해 칩 형태의 다이오드를 사용하였으며, 본딩 와이어에 의한 직렬 인덕턴스는 전송선로의 임피던스에 쉽게 흡수될 수 있도록 회로를 구성하였다. 구현된 스위치 모듈은 사용된 다이오드의 개수를 최대한 줄이면서 최대의 성능을 얻을 수 있도록 설계되었으며 2.35 GHz에서 써큘레이터의 손실을 포함하여 약 0.84 dB의 삽입 손실과 80 dB 이상의 격리도 특성을 보였다. 또한 TTL 신호를 통한 스위치 모듈의 제어를 위해 스위치 구동회로를 설계, 제작하였으며 스위칭 속도는 200 nsec로 측정되었다. 스위치 모듈은 디지털 변조된 고전력 신호에 의해 전력능력이 시험되었으며 70 W의 전력이 인가되는 경우에도 정상적으로 동작하는 특성을 보여주었다.