• 공업화학
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• 제17권5호
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• pp.539-546
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• 2006

전도성 고분자인 polyethylenedioxythiophene (PEDOT)을 권취형 알루미늄 콘덴서의 고체 전해질 및 음극으로 적용하기 위하여 PEDOT 중합공정 및 절연지 탄화공정 연구를 수행하였다. 단량체로 ethylenedioxythiophene (EDOT), 산화제로 ferric-p-toluenesulfonate를 사용하였다. 권취된 미세 다공성 알루미늄 에칭박 피트 내부에 균일한 PEDOT 전해질 층을 생성하기 위하여 콘덴서 소자를 열처리하여 탄화함으로써 절연지의 섬유조직을 조절하고 이를 통해 중합액의 절연지 집중현상을 억제하여 에칭 피트 내부로의 중합액 함침이 용이하도록 하였다. 탄화온도, 탄화시간에 따라 콘덴서의 용량, 손실, 등가직렬저항, 내열특성이 좌우되었다. 절연지의 두께, 밀도는 탄화공정의 중요한 변수이며 이들 변수에 따라 콘덴서의 특성이 영향을 받는 것을 확인하였다.

• 멤브레인
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• 제29권1호
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• pp.30-36
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• 2019

본 연구에서는 titanium nitride (TiN) 나노 섬유와 poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT-PSS) 전도성 고분자로 이루어진 전극과 poly(vinyl alcohol) (PVA) 기반 고분자 전해질 분리막을 이용하여 슈퍼 캐퍼시터를 제조하였다. TiN 나노 섬유의 경우 높은 전기 전도도와 이차원적 구조로 인한 스케폴드 효과를 기대할 수 있다는 점에서 전극 물질로 사용되었다. PEDOT-PSS 전도성 고분자는 수소 이온과 산화-환원 반응을 통해 보다 높은 정전용량을 나타낼 수 있으며 용액상에 분산이 용이해 유무기 복합제를 형성하기에 적합하였다. PVA 기반의 고분자 전해질 분리막은 기존의 액상의 전해질의 문제인 외부 충격에 대한 안정성을 확보할 수 있으며 염으로 사용된 $H_3PO_4$의 경우 수소 이온은 빠른 확산으로 인해 캐퍼시터의 충방전 효율에 이점이 있다. 본 연구에서 보고된 PEDOT-PSS/TiN 슈퍼캐퍼시터의 정전용량은 약 75 F/g으로 기존의 탄소기반 캐퍼시터에 비해 큰 폭으로 증가한 값이다.

• 멤브레인
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• 제33권5호
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• pp.248-256
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• 2023

ITO 투명 전극 필름은 디스플레이, 전기 자동차 등 산업 전 범위에서 널리 사용되는 전자 재료이다. 본 연구에서는 이러한 indium tin oxide (ITO) 필름의 열성형 안정성을 향상시키기 위하여 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) 전도성 고분자 코팅 용액 조성을 결정하였다. 1000 S/cm의 고 전도성을 보이는 PEDOT:PSS 용액에 끓는점이 각기 다른 4가지 종류의 용매를 희석하였고, 코팅 전 후 면저항 변화를 분석하였다. 또한 380~800 nm 영역의 광 투과율 분석 및 Raman 스펙트럼 분석을 통하여 PEDOT:PSS 박막이 코팅된 ITO 투명 전극의 전기적 특성 결정 메커니즘을 규명하였다. 230℃ 열성형 공정 결과 ITO 필름은 113% 연신 상태에서 이미 전기 전도성을 읽었지만, ethylene glycol을 희석 용매로 사용하여 얻어진 전도성 고분자 박막이 적용된 ITO 필름은 126% 고 연신 상태에서도 초기 60 Ω/sq 면저항을 246 Ω/sq로 유지하는 우수한 전기 전도성을 보였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2008년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.135-136
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• 2008

• 센서학회지
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• 제26권1호
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• pp.56-59
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• 2017

This paper presents the Inkjet-printed strain gauge using PEDOT:PSS. The strain gauge (width 0.6 mm, length 20 mm, thickness $0.3{\mu}m$) was printed on the PET film using PEDOT:PSS ink. The resistance variation of the fabricated strain gauge was measured by the digital multi-meter with the displacement range of -4 to 10 mm. As the measured result, resistance variation (${\Delta}R/R_0$) has approximately 0.75%, linearity of 99.87%. The fabricated strain gauge is expected to the various applications such as tape type pressure sensor, PMS(pressure mapping sensor), wearable devices.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.132-132
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• 2010

In a previous report, we demonstrated that poly (3,4-ethylenedioxythiophene) derived from poly (ionic liquid) (PEDOT:PIL) constitutes a polymeric hole-injecting material capable of improving device lifetime in organic light-emitting diodes (OLEDs).was attributed to aprotection characteristic of PEDOT:PIL for the indium extraction from ITO electrodes, which frequently occurrs in the OLED device with the conventional PEDOT materials. In this study, we report the OLED device lifetime as well asvice efficiencycan be further improved with the modified PEDOT:PIL in whichorganic compounds are incorporated. The deviced performance will be presented in terms of device lifetime and efficiencies.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제14권2호
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• pp.23-27
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• 2015

In this paper, eco-friendly paper strain gauge was fabricated in the way of printing strain gauge on paper substrate, using PEDOT:PSS ink and inkjet printer technology. As a p-type conductive high polymer, PEDOT:PSS is known to be piezoresistive effect. I formed a strain gauge by connecting in parallel 5 lines of $60{\mu}m$ width printed with PEDOT:PSS. To minimize surrounding influence such as temperature, I formed wheat-stone bridge by combining 4 strain gauges (quarter-bridge strain gauge) which were made up of PEDOT:PSS 5 lines and measured. In quarter-bridge strain gauge, only two strain gauges, facing each other, arranged in strain and horizontal direction were deformed while the other two strain gauge of vertical direction were not. Therefore, quarter-bridge strain gauge showed the output of half bridge. The fabricated quarter-bridge strain gauge had output sensitivity of $105.6{\mu}V/V{\cdot}mm$ and its output linearity was relatively good.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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• pp.1153-1154
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• 2015

In this study, electro-polymerization was used for coating PEDOT:SDS films on CNTs, thereby producing hybrid-type electrodes. The CNTs were deposited on PET substrates using a spray method. For the fabricated hybrid electrodes, their surface morphologies, electric sheet resistances, visible transmittances, and chromatic properties were characterized as functions of the polymerization conditions used for coating PEDOT, and compared with those of conventional CNTs. The experiment results confirmed that the sheet resistance of CNTs was decreased significantly by coating of PEDOT via electropolymerization, and also indicated that the fabricated hybrid electrodes revealed desirable properties as a transparent electrode for touch screen panels.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제6권1호
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• pp.25-28
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• 2005

We have investigated the effects of hole-injection buffer layer in organic light-emitting diodes using poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(stylenesulfonate)(PEDOT:PSS) in a device structure of $ITO/PEDOT:PSS/TPD/Alq_{3}/cathode$. Polymer PEDOT:PSS buffer layer was made by spin casting method. Current-voltage, luminance-voltage characteristics and efficiency of device were measured at room temperature with a variation of cathode materials; Al, LiF/Al, LiAl, and Ca/Al. The device with LiF/Al cathode shows an improvement of external quantum efficiency approximately by a factor of ten compared to that of Al cathode only device. Our observation shows that cathode is important in improving the efficiency of the organic light-emitting diodes.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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• pp.306-307
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• 2015

유기태양전지의 대표적 Hole Transporting Layer(HTL)로는 전도성 고분자인 PEDOT:PSS이다. PEDOT:PSS는 약산성의 물질로 전극을 부식시켜 디바이스의 효율을 감소시키기 때문에 PEDOT:PSS를 대체하기 위한 Buffer층에 대한 연구가 활발히 진행되어지고 있다. PEDOT:PSS를 대체할 수 있는 Nickel Oxide(NiO) Buffer 층은 wide band-gab으로 Hole Transporting Layer와 Electron Blocking Layer 역할을 동시에 하여 디바이스의 효율을 향상시킬 수 있으며, 디바이스의 수명을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다. NiO는 용액공정과 Sputter 증착 방법으로 형성할 수 있는데, 용액공정은 고온공정이 요구되어지고 Sputter 증착방법은 산화되기 쉬운 전극위에서는 전극의 손상을 발생한다. 본 연구에서는 이러한 단점을 해결하기 위해서 Ni을 Magnetron Sputter로 증착한 후 Ion Beam 처리를 통해 산화시켜 NiO 층을 형성하는 방법을 연구하였다. 본 연구에서 제안한 NiO형성 방법으로 유기태양전지를 제작하여 PEDOT:PSS를 Buffer층으로 사용한 태양전지와 Voc가 0.72 V로 유사하게 나와 NiO가 Buffer층으로 잘 형성된 것을 확인하였다.