• Journal of the Korea Institute of Information Security & Cryptology
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• v.10 no.4
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• pp.81-93
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• 2000

In a methodological approach to improve the processing performance of modulo exponentiation which is the primary arithmetic in RSA crypto algorithm, we present a new RSA hardware architecture based on high-radix modulo multiplication and CRT(Chinese Remainder Theorem). By implementing the modulo multiplier using radix-16 arithmetic, we reduced the number of PE(Processing Element)s by quarter comparing to the binary arithmetic scheme. This leads to having the number of clock cycles and the delay of pipelining flip-flops be reduced by quarter respectively. Because the receiver knows p and q, factors of N, it is possible to apply the CRT to the decryption process. To use CRT, we made two s/2-bit multipliers operating in parallel at decryption, which accomplished 4 times faster performance than when not using the CRT. In encryption phase, the two s/2-bit multipliers can be connected to make a s-bit linear multiplier for the s-bit arithmetic operation. We limited the encryption exponent size up to 17-bit to maintain high speed, We implemented a linear array modulo multiplier by projecting horizontally the DG of Montgomery algorithm. The H/W proposed here performs encryption with 15Mbps bit-rate and decryption with 1.22Mbps, when estimated with reference to Samsung 0.5um CMOS Standard Cell Library, which is the fastest among the publications at present.

• Journal of the Korea Institute of Information Security & Cryptology
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• v.12 no.2
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• pp.21-34
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• 2002

In this paper we propos a new hardware architecture of modular exponentiation using a division chain method which has been proposed in (2). Modular exponentiation using the division chain is performed by receding an exponent E as a mixed form of multiplication and addition with divisors d=2 or $d=2^I +1$ and respective remainders r. This calculates the modular exponentiation in about $1.4log_2$E multiplications on average which is much less iterations than $2log_2$E of conventional Binary Method. We designed a linear systolic array multiplier with pipelining and used a horizontal projection on its data dependence graph. So, for k-bit key, two k-bit data frames can be inputted simultaneously and two modular multipliers, each consisting of k/2+3 PE(Processing Element)s, can operate in parallel to accomplish 100% throughput. We propose a new encoding scheme to represent divisors and remainders of the division chain to keep regularity of the data path. When it is synthesized to ASIC using Samsung 0.5 um CMOS standard cell library, the critical path delay is 4.24ns, and resulting performance is estimated to be abort 140 Kbps for a 1024-bit data frame at 200Mhz clock In decryption process, the speed can be enhanced to 560kbps by using CRT(Chinese Remainder Theorem). Futhermore, to satisfy real time requirements we can choose small public exponent E, such as 3,17 or $2^{16} +1$, in encryption and verification process. in which case the performance can reach 7.3Mbps.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.371.1-371.1
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• 2014

반도체 트랜지스터의 크기가 점점 미세화 함에 따라 이에 수반되는 절연막에 대한 요구 조건도 까다로워지고 있다. 특히 게이트 산화 막의 두께는 10 nm 이하에서 고밀도를 갖는 높은 유전율 막에 대한 요구가 증가되고 있으며 또한 증착 온도 역시 낮아져야 한다. 이러한 요구사항을 충족하는 기술중의 하나는 매우 낮은 압력 및 200도 이하 저온에서 절연막을 증착하는 것이다. 본 연구에서는 플라즈마 화학 기상 증착(PE-CVD) 시스템을 이용하여 $180^{\circ}C$의 온도 및 10 mTorr의 압력에서 SiN 및 SiCN 박막을 제조하였다. 박막의 특성은 원자층 증착 공정 결과와 유사하면서 증착 속도의 향상을 위해 개조된 사이클릭 화학 기상 증착 공정을 이용하였다. Si 전구체와 산화제는 기판에 공급되기 전에 혼합되어 1차 리간드 분해를 하였으며, 리간드가 일부 제거된 가스가 기판에 흡착되는 구조이다. 기판흡착 후 플라즈마 처리 공정을 이용하여 2차 리간드 분해 공정을 수행하였으며, 반응에 참여하지 않은 가스 제거를 위해 불활성 가스를 이용하여 퍼지 하였다. 공정 변수인 플라즈마 전력, 반응가스유량, 플라즈마 처리 시간은 최적화 되었다. 또한 효율적인 리간드 분해를 위해 ICP와 CCP를 포함하고 있는 이중 플라즈마 시스템에 의해 2회에 걸쳐 분해되어지고, 그 결과로 불순물이 들어있지 않는 순수한 SiN과 SiCN 박막을 증착하였다. XRD 측정 결과 증착된 박막들은 모두 비정질 상이며, 550 nm 파장에서 측정한 SiN 및 SiCN 박막의 굴절률은 각 각 1.801 및 1.795이다. 또한 증착된 박막의 밀도는 2.188 ($g/cm^3$)로서 유전체 박막으로 사용하기에 충분한 값임을 확인하였다. 추가적으로 300 mm 규모의 Si 웨이퍼에서 측정된 비 균일도는 2% 이었다. 저온에서 증착한 SiN 및 SiCN 박막 특성은 고온 공정의 그것과 유사함을 확인하였고, 이는 저온에서의 유전체 박막 증착 공정이 반도체 제조 공정에서 사용 가능하다는 것을 보여준다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2000.10a
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• pp.74-77
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• 2000

사출성형에 관한 연구는 오랜 역사를 가지고 있으며 공정 시뮬레이션을 위한 상용화된 CAE 프로그램을 포함하여 많은 연구가 진행되는 분야중의 하나이다. 그러나 다양한 고분자 재료의 성질, 금형의 복잡한 형상 및 성형조컨 둥의 변화로 인해 금형설계 및 제작 그리고 사출성형시 상당한 어려움을 겪게 된다. 사출성형 공정에서는 금형온도, 플라스틱 재료, 냉각수, 보압과 사출압 등의 여러 가지 공정변수가 있어 현장전문가의 경험에 의해 사출금형의 제작이 이루어지는 경우가 보통이다 이와 같은 경험에 의한 금형 제작은 상당한 납기지연과 노동집약적인 방식으로 흘러가게 된다. 금형 제작시 가장 고려해야 될 사항 중의 하나는 사출성형품의 수축이다. 사출성형에서 광음수지는 냉각, 고화하면서 수축하는데 성형품 치수를 유지하기 위해서는 수축하는만큼 금형의 치수를 보정하여야 한다. 이 수축률은 사용수지의 종류와 성형품 크기, 살두께 등에 따라 다르다. 또 동일한 수지일 경우에도 성형조건에 따라 변화하고 특히 배향성을 가진 수지는 유동방향에 따라서도 변화가 있다. 즉, 금형의 온도가 높으면 수축률은 증가하고 사출압력이 높으면 감소한다. 또한 살두께가 두껍고 길이가 길 때 수축률은 증가한다 방향성이 있는 수지는 유동방향에 대하여 지각방향에서 가장 적다. 특히 방향성이 현저한 HDP에서는 유동방향에 따라 수축차가 크므로 성형할 때 변형을 일으키는 경우가 많다. 일반적으로 PE, PP. PA와 같은 결정성 수지는 PS, SAM, ABS 등의 비결정성 수지보다 수축률이 크다. 본 연구에서는 한조산업사에서 제작한 '클랠프 척' 금형 제작과정에서 성형품의 수축으로 인한 금형의 치수보정에 있어서의 문제점을 유동해석 전용 CAE 프로그램인 C-mold를 사용하여 해석하고 평가하였다. 그리하여 현장 전문가가 경험적으로 여러 번의 시행착오를 거쳐 완성된 금형을 제작하던 기존의 방법보다 체계적이고 합리적이며 또한 신속하게 문제를 해결함으로써 궁극적으로 금형설계 및 제작기간을 단축하고자 한다.

• Geotechnical Engineering
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• v.10 no.3
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• pp.55-78
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• 1994

Decomposed granite soil is a Granitic Gneiss, and it is a c Korean peninsula. It is known a changed significantly when it is aim of this study is to evaluat utility of the constitutive laws. Firstly, triaxial tests were pe sites prepared by the laborato scrutinized the characteristics results were analysed and the p evaluated. Finally, the predicted Even though the origins of slight difference in the angle of pression line( A) : both soils show In the effective mean normal uniqueness of the Normal Compr The relationships between the the decomposed granite soil tier OCR is larger than 2, the stress stress(MDS) or. even thous moved below the theoretical Ros was found to coincide with the (NC) soils, the pore pressure parameter, A,, increased up to 1.3. This phenomenon might be mainly due to the effect of the particle crushing during shearing, When the OCR value approaches 7, the negative pore pressure is developed in undrained tests and the dilatancy is observed in drained tests. The predicted and the observed behavior of drained tests showed relatively good fitting with the Cam-Clay model.