• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.229-232
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• 2000

InP/lnGaAs HPT's were fabricated by employing Indium Tin Oxide(ITO) transparent emitter contact. The device showed the current gaing 70 was obtained but the emitter series resistance was significantly increased. the electrical charateristics of the device were similar to HBT's. However Vceoff was shifted the positive direction. Such a shift ma be resulted from the formation of the shottky barrier rather than the ohmic contact between ITO and n+ InP emitter.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 전력기술부문
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• pp.319-321
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• 2001

When the fault occurred at distribution system, the restoration was late. There are 2 reasons The one is the error of fault location the other is multiple possible candidates of fault location. This paper presents two of new techniques for diagnosing fault regions. The proposed diagnosis scheme is capable of accurately identifying the location of fault upon its occurrence. based on the integration of information available from protective devices and measured load current change at the substation. In this paper expert system for real fault region is presented using these facts. Testing of the developed system using EMTP Simulation Model has demonstrated.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 추계학술대회 논문집 전력기술부문
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• pp.121-123
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• 2001

This paper presents a fault location algorithm using iterative method at unbalance condition for distribution feeder systems. Distribution feeders include single phase and three phase laterals. The proposed algorithm achieves a high accuracy by continuously updating voltage and current phasor using the phase components and admittance load model.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 추계학술대회 논문집 전력기술부문
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• pp.278-281
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• 2001

Identifying the fault location has to deal with multiple possible candidates. It presents a new technique to diagnosis a fault region. The proposed diagnosis scheme identifies accurately the location based on the protective device operations and load current change at the substation. An Expert system is presented using these facts.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.413-413
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• 2016

태양전지 제작 시 에미터층을 형성하는 도핑 공정의 최적화는 캐리어 수집 확률 증가와 함께 결정질 실리콘 태양전지 고효율화를 위해 매우 중요하다. 본 연구에서는 결정질 실리콘 태양전지 다이오드의 다양한 도핑 공정으로 제작된 p-n 접합에 대한 전기적 특성 분석을 진행하였다. 도핑 공정의 경우 선 증착-후 확산 공정 시간과 가스량을 변화시켜 다양한 에미터층을 제작하였다. 선 증착 시간 변화를 주는 경우 선 증착 공정을 $825^{\circ}C$로 고정한 뒤 시간을 7분에서 17분까지 변화하고 후 확산 공정을 $845^{\circ}C$, 14분으로 고정하였다. 후 확산 시간 변화를 주는 경우는 선 증착 공정을 $825^{\circ}C$, 12분으로 고정한 뒤 후 확산 공정을 $845^{\circ}C$로 고정 하고 시간을 9분에서 19분까지 변화시켰다. 선 증착 공정을 $845^{\circ}C$ 12분, 후 확산 공정을 $845^{\circ}C$, 14분으로 고정 한 뒤 선 증착 시 POCl3양을 400 ~ 1400 SCCM까지 변화시켰고, 후 확산 시 산소량을 0 ~ 1000 SCCM까지 가변한 조건에서 에미터층에 대한 특성을 분석하였다. 결과적으로 선 증착 공정 $825^{\circ}C$ 12분, 후 확산 공정 $845^{\circ}C$ 14분에서 SCR(Space Charge Region)에서 3.81의 가장 낮은 이상 계수 값을 나타내었다. 이는 p-n접합의 내부결함이 줄어들어 태양전지의 캐리어 수명이 증가됨을 보였다. 선 증착 공정 중 $POCl_3$ 주입량 800 SCCM, 후 확산 공정 중 산소량 400 SCCM에서 $15.9{\mu}s$로 가장 높은 캐리어 수명을 나타내었다. Suns-VOC 측정 결과 $POCl_3$ 주입량 800 SCCM, 산소량 400 SCCM에서 619mV로 가장 높은 개방전압을 얻을 수 있었다.

• 대한화학회지
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• 제21권5호
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• pp.307-319
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• 1977

Thiourea derivative인 $N-({\alpha}-dimethyl\;{\beta}-hydroxy)ethyl\;N'-cyclohexyl\;thiourea,\;C_{ll}H_{22}N_2OS)$의 결정 및 분자구조를 X-선 회절법으로 해명하였다. 이 화합물의 결정은 공간군 $P_{bca}$에 속하는 orthorhombic 형으로 a = 10.33(3), b = 11.82(3), c = 22.57(4)${\AA}$ 이고 Z = 8이다. Weissenberg 사진촬영으로 얻은 회절반점의 총수는 1414개이며 중원자법을 이용하여 구조해명을 한 후 최소자승법으로 정밀화하였으며 최종 R값은 0.13이다. Cyclohexane ring은 normal chair conformation을, thiourea 부분은 평면을 이루고 있다. 일차 알코올의 hydroxyl group은 N(2)원자와 분자내 수소결합을 이뤄서 전체분자를 안정화시키고 있다. 분자들은 결정내에서 수소결합과 van der Waals힘으로 서로 결합되어 있다. 분자내 수소결합 N(2)-H${\cdot}{\cdot}{\cdot}$O는 강한 수소결합으로 N${\cdot}{\cdot}{\cdot}$O 길이는 2.71${\AA}$이고, 분자간 수소결합 O${\cdot}{\cdot}{\cdot}$H${\cdot}{\cdot}{\cdot}$S의 O${\cdot}{\cdot}{\cdot}$S 길이는 3.02${\AA}$으로 b축에 나란하다.

• 전자통신동향분석
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• 제26권3호
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• pp.71-87
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• 2011

2004년 MIT 10대 신기술, 2005년 일본 총무성 10대 기간 기술로 선정된 테라헤르츠 기술 개발에 집중적인 연구개발이 진행되고 있다. 물질의 투과, 낮은 광자에너지로 식품, 인체에 상대적으로 안전하여 인간에 필요한 테라헤르츠 영상이나 인간에 유해한 물질을 추출하기 위한 테라헤르츠 분광기술에 관한 많은 가능성들을 제시하여 왔다. 또한, 영상 및 분광 이외에도 유무선 경계가 희박해지고 있는 시점에서 유무선 통합 기능제공이 가능하고 정보전달, 센싱, 비파괴 검사 등 다양한 응용영역으로 기술수요가 급격히 증가하고 있는 실정이다. 수요기술의 핵심은 언제, 어디서나, 실시간, 무고통으로 값싸게 활용하여 풍요롭고 안전한 삶을 유지하는 것으로 고령화 사회의 핵심 인프라 구축과 연동되어 가치를 공유하고 있다. 전자기파 대역에서의 초소형, 고효율, 실시간, 저가격 파원 및 검출기 기술개발의 장점을 갖는 포토닉스 기반 테라헤르츠 기술 동향에 대해 기술하였다.

• 대한화학회지
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• 제18권5호
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• pp.329-340
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• 1974

X-선 회절법을 이용하여 sulfadiazine, $C_{10}H_{10}N_4O_2S$, 의 결정 및 분자 구조를 규명하였다. Acetone 과 ethanol의 혼합용액으로 부터 얻은 결정은 일사축계에 속하며, 단위세포에는 4분자가 있고, 공간군은 P21/c이다. 단위세포 상수는 $a=13.71{\pm}0.04,\;b=5.84{\pm}0.03,\;c=15.11{\pm}0.05{\AA},\;{\beta}=115.0{\pm}0.3^{\circ}$이다. 결정구조는 3차원적인 와이센버그사진으로 부터 얻어진 실험치를 이용하여 패터슨합성과 프리에합성을 하고 이를 해석하여 밝혀냈다. 수소원자를 제외한 원자들의 좌표치는 최소자승법으로 정밀화 하였으며, 최종 R값은 관측된 1517개의 독립반사에 대하여 0.15이다. 벤젠고리와 피리미딘고리의 두 평면이 이루는 각은 $76^{\circ}$이고, S-N(1)결합을 중심으로 한 N(1)-C(1) 결합과 S-C(5)결합이 이루는 conformational angle은 $77^{\circ}$로서 gauche형을 하고 있다. 이미노기의 질소원자, N(1)은 대칭중심에 의하여 옮겨지는 다른 분자의 피리미딘고리의 질소원자, N(3)와 $N-H{\cdots}N$형의 수소결합을 이루고 있으며, 아미노기의 질소원자, N(4)는 b축의 거리만큼 떨어져 있는 다른분자의 산소원자, O(1) 및 O(2)와 두개의 $N-H{\cdots}O$형 수소결합을 이루고 있다. 이들 수소결합의 2차원적 그물은 (100)면에 평행한 무한한 분자층을 형성하며 인접분자층 사이에는 van der Waals의 힘에 의하여 결합되어 있다

• 한국결정학회지
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• 제9권2호
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• pp.120-124
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• 1998

N-tert-Butyl-2-(1-acetoxy-2-fluoro-1-butyl)benzenesulfonamide의 분자 및 결정구조를 X-선회절법으로 연구하였다. 결정의 공간군은 P21/c이고, 단위포 상수는 a=8.583(2) , b=14.674(2) , c=14.703(2) , β=103.23(1)0, Z=4, V=1802.6(5) 3, Dc=1.27 Mgm-3이다. 회절반점들의 세기는 Rigaku AFC-5 Diffractometer로 얻었으며, graphite로 단색화한 Cu-KαX-선을 사용하였다. 분자구조는 직접법으로 풀었으며 최소자승법으로 정밀화하였다. 최종신뢰도 R값은 2472개의 회절반점에 대하여 0.069였다. 분자 내에 N(7)과 O(4)사이에 1개의 수소결합[2.990(4) ]을 갖으며, C(14)와 C(15)는 반대배열을 갖고 있다. 분자간 가장 인접한 거리는 3.465(5) [C(19) O(5)] (symmetry code: -x, y+1/2, -z+1/2)로 분자간 접촉은 van der Waals 힘에 의해 결합되어 있다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2004년도 추계학술대회
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• pp.220-225
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• 2004

The mesh-insensitive structural stress procedure by Dong is modified to apply to the welded joints with local thickness variation and inignorable shear/normal stresses along local discontinuity surface. In order to make use of the structural stress based K solution for fatigue correlation of welded joints, a proper crack growth model needs to be developed. There exist some significant discrepancies in inferring the slope or crack growth exponent in the conventional Paris law regime. Two-stage crack growth model was not considered since its applications are focused upon the fatigue behavior in welded joints in which the load ratio effects are considered negligible. In this paper, a two-stage crack growth law considering high mean loading is proposed and proven to be effective in unifying the so-called anomalous short crack growth data.