To investigate the contribution of macroalgae to biogeochemical nutrients and carbon cycles, we measured the uptake rates of nutrients and $CO_2$ by Undaria pinnatifida using an incubation method in an acrylic chamber. From January to March 2010, U. pinnatifida was sampled at Ilkwang, a well-known area of macroalgae culture in Korea. The initial and final concentrations of nutrients, dissolved oxygen, total alkalinity, and pH of the chamber water were measured, and production/uptake rates were calculated using concentration changes, chamber volume, and incubation time. The production rate of dissolved oxygen by U. pinnatifida (n = 32) was about $5.4{\pm}4.0\;{\mu}mol\;g_{fw}^{-1\;}h^{-1}$. The uptake rate of total dissolved inorganic carbon (TDIC), calculated by total alkalinity and pH, was $7.9{\pm}6.5\;{\mu}mol\;g_{fw}^{-1}\;h^{-1}$. Nutrients uptake averaged $141.7{\pm}119.2$ nmol N $g_{fw}^{-1}\;h^{-1}$ and $15.0{\pm}9.1$ nmol P $g_{fw}^{-1}\;h^{-1}$. A positive linear correlation ($r^2$ = 9.6) existed between the production rate of dissolved oxygen and the uptake rate of total dissolved inorganic carbon, suggesting that these two factors serve as good indicators of U. pinnatifida photosynthesis. The relationships between fresh weight and uptake rates of nutrients and $CO_2$ suggested that younger specimens (<~50 g fresh weight) are much more efficient at nutrients and $CO_2$ uptake than are specimens >50 g. The amount of carbon uptake by the total biomass of U. pinnatifida in Korea during the year of 2008 was about 0.001-0.002% of global ocean carbon uptake. Thus, more research should be focused on macroalgae-based biogeochemical cycles to evaluate the roles and contributions of macroalgae to the global carbon cycle.
In an attempt to improve the electrical characteristics of tantalum pentoxide dielectric film, silicon substrate was reacted with a nitrogen plasma to form a silicon nitride of 50.angs. and then tantalum pentoxide thin films were formed by reactive sputtering in the same chamber. Breakdown field and leakage current density were measured to be 2.9 MV/cm and 9${\times}10^{8}\;A/cm^{2}$ respectively in these films whose thickness was about 180.angs.. With annealing at rectangular waveguides with a slant grid are investigated here. In particular, 900.deg. C in oxygen ambient for 100 minutes, breakdown field and leakage current density were improved to be 4.8 MV/cm and 1.61.6${\times}10^{8}\;A/cm^{2}$ respectively. It turned out that the electrical characteristics could also be improved by oxygen plasma post-treatment and the conduction mechanism at high electric field proved to be Schottky emission in these double-layered films.
$Al_2O_x$(0$Al_2O_3$ gradient coatings were formed by evaporating pure aluminium(99.9%) in $O_2$ environment with an IBAD facility, 12keV $Ar^+$ was used to irradiate the coatings simultaneously during the deposition. Sample's composition and depth profile were analysed by RBS and AES measurement, and their microhardness and porosity property were also measured in the experiment. Results show that, the oxygen concentration in the deposited coatings has a nearly linear relationship with the inputting gas flow before $O_2$ partial pressure in the target chamber reaches $1.2\times10^{-3}$ mbar under which stoichiometric $Al_2O_3$ could be formed; and sample's microhardness and porosity property is affected significantly by the oxygen concentration in the coatings.
ZnO thin films on Si wafer were deposited by RF magnetron reactive sputter with various RF power, chamber pressure, argon/oxygen gas ratios ana substrate temperatures. Crystallinities, surface morphologies, and electrical properties of the films were investigated by XRD, AFM, RBS, and electrometer(keithley 617). ZnO films showed a strong c-axis preferred orientation. Surface roughness and resistivity were changed by the argon/oxygen gas ratio. The minimum surface roughness of 12${\AA}$ and maximum resistivity of $10^8\Omega cm$ were achieved at Ar/O$O_2$=0/100.
축소형 가스발생기를 제작하여 연소시험을 성공적으로 수행하였으며 분사기의 형상 변화에 따른 유량계수의 영향을 파악하였다. 연소시험 결과 연료 및 산화제 분사기의 유량계수는 혼합비와 연소압에 상관없이 거의 일정하였으며, 특히 산화제 분사기의 유량계수는 이전 결과보다 크게 향상되었다.
Magnetic nanoparticles of iron and iron oxide have been prepared in a modified upward thermal diffusion cloud chamber using pulsed laser evaporation. SEM/TEM studies of these particles reveal a size distribution with a mean diameter of about $60\;{\AA}$. FTIR spectrum measurements are used to investigate the difference in oxidation level between nanoparticles prepared at different partial oxygen pressures. The complex magnetic behaviour of these particles was studied using DC- and AC-susceptibility measurements. All samples exhibit superparamagnetism with blocking temperatures ranging from 50 K to above room temperature. The coercivity fields as well as the dependence of the blocking temperature on measuring frequency have been studied. magnetic anisotropy constants are found to be one order of magnitude higher than is known for the bulk values. The mean particle size estimated from the magnetic data is found to be in perfect agreement with the TEM observations.
Lee, Seok Ryoul;Sung, Sang-Yun;Lee, Kyong Taik;Cho, Seong Gook;Lee, Ho Seong
Journal of the Korean Physical Society
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제73권9호
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pp.1329-1333
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2018
We investigated the mechanism of mobility enhancement after the dehydrogenation process in polycrystalline silicon (poly-Si) thin films. The dehydrogenation process was performed by using an in-situ CVD chamber in a $N_2$ ambient or an ex-situ furnace in air ambient. We observed that the dehydrogenated poly-Si in a $N_2$ ambient had a lower oxygen concentration than the dehydrogenated poly-Si annealed in an air ambient. The in-situ dehydrogenation increased the (111) preferred orientation of poly-Si and reduced the oxygen concentration in poly-Si thin films, leading to a reduction of the trap density near the valence band. This phenomenon gave rise to an increase of the field-effect mobility of the poly-Si thin film transistor.
We have employed Kelvin force microscopy (KFM) system to measure the potential change of a single SnO2 nanowire which had been synthesized on the Au thin film by a thermal process. By using the KFM probing technique, Rh coated conducting cantilever can approach a single SnO2 nanowire in nano scale and get the potential images with oscillating AC bias between Au electrode and cantilever. Also, during imaging the potential status, we controlled the concentration of oxygen in measuring chamber to change the ionosorption rate. From the results of such experiments, we verified that the surface potential as well as doping type of a single SnO2 nanowire could be changed by oxygen ionosorption.
Oh, Seung-Keun;Kang, Sang Do;Kim, Youngman;Park, Soon Sub
Journal of Ceramic Processing Research
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제17권7호
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pp.763-767
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2016
The structural characterization of cubic boron nitride (c-BN) thin films was performed using a B4C target in a radio-frequency magnetron sputtering system. The deposition processing conditions, including the substrate bias voltage, substrate temperature, and base pressure were varied. Fourier-transform infrared spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy were used to analyze the crystal structures and chemical binding energy of the films. For the BN film deposited at room temperature, c-BN was formed in the substrate bias voltage range of -400 V to -600 V. Less c-BN fraction was observed as the deposition temperature increased, and more c-BN fraction was observed as the base pressure increased.
SmBCO coated conductors were successfully fabricated using EDDC (Evaporation using Drum in Dual Chambers) deposition system that is a bath type co-evaporation system for fabrication of superconducting tape and divided into two chambers named evaporation chamber and reaction chamber. To obtain long and high quality superconducting coated conductor, it is very important to secure the uniformity of all the deposition parameters m the deposition system such as deposition temperature, oxygen partial pressure, compositional ratios and so on. Therefore, we investigated the distribution of the parameters along the axis of the drum m EDDC on which tapes were wound helically. When the temperature on the middle point of deposition zone was $700^{\circ}C$, that on the edge of deposition zone was $675^{\circ}C$. When the thickness of SmBCO layer on the middle point of deposition zone was 1063 nm, that on the edge of deposition zone was 899 nm. The partial pressure of oxygen was 5 mTorr in the reaction chamber while that was $7{\times}10^{-5}$Torr in the evaporation chamber. The composition ratio of Sm:Ba:Cu, that was measured by EDX, was very uniform along the axis of the drum. Under these deposition conditions, critical current distribution along the drum axis was 175 A/cm, 190A/cm, 217.5 A/cm, 182.5 A/cm, 175 A/cm with the interval of 9 cm between samples. It means that the EDDC system has the potential of fabricating (100m, 200A) class coated conductor.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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