Mobility Enhancement in Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors due to the Dehydrogenation Mechanism |
Lee, Seok Ryoul
(LG Display Co., Ltd.)
Sung, Sang-Yun (LG Display Co., Ltd.) Lee, Kyong Taik (LG Display Co., Ltd.) Cho, Seong Gook (LG Display Co., Ltd.) Lee, Ho Seong (School of Materials Science and Engineering, Kyungpook National University) |
1 | T. Tsujimura, W. Zhu, S. Mizukoshi, N. Mori, K. Miwa, S. One, Y. Maekawa, K. Kawabe and M. Kohno, SID 38, 84 (2007). DOI |
2 | A. Nathan, G. R. Chaji and S. J. Ashtiani, J. Dis. Technol. 1, 267 (2005). DOI |
3 | C. L. Lin, IEEE Electron Dev. Lett. 28, 129 (2007). DOI |
4 | J. H. Lee, W. J. Nam, B. K. Kim, H. S, Choi, Y. M. Ha and M. M. Han, IEEE Electron Dev. Lett. 27, 830 (2006). DOI |
5 | J. J. Lih, C. F. Sung, C. H. Li, T. H. Hsiao and H. H. Lee, SID 12, 367 (2004). |
6 | S. K. Hong, B. K. Kim and Y. M. Ha, SID 38, 1366 (2007). DOI |
7 | S. H. Jung, H. K. Lee, C. Y. Kim, S. Y. Yoon, C. D. Kim and I. B. Kang, SID 39, 101 (2008). DOI |
8 | M. K. Hatalis and D. W. Greeve, J. Appl. Phys. 63, 2260 (1988). DOI |
9 | M. W. Ma, T. Y, Chiang, T. S. Chao and T. F. Lei, Semicond. Sci. Technol. 24, 072001 (2009). DOI |
10 | S-W. Lee and S-K. Joo, IEEE Electron Dev. Lett. 17, 4, (1996). DOI |
11 | M. A. Crowder, P. G. Carey, P. M. Smith, R. S. Sposili, H. S. Cho and J. S. Im, IEEE Electron Dev. Lett. 19, 8 (1998). |
12 | A. T. Voutsas, A. M. Marmorstein and R. Solanki, J. Electrochem. Soc. 146, 3500 (1999). DOI |
13 | M. Yazakis, S. Takenaka and H. Ohshima, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 206 (1992). DOI |
14 | K. C. Moon, J-H. Lee and M-K. Han, IEEE Trans. Electrons Dev. 52, 512 (2005). DOI |
15 | C. Chen, K. Abe, H. Kumoni and J. Kanicki, IEEE Trans. Electrons Dev. 56, 1177 (2009). DOI |
16 | R. Martel, Ph. Avouris and I-W. Lyo, Science 272, 385 (1996). DOI |
17 | A. Feltz, U. Memmert and R. J. Behm, Chem. Phys. Lett. 192, 271 (1992). DOI |
18 | B. Mereu, C. Rossel, E. P. Gusev and M. Yang, J. Appl. Phys. 100, 014504 (2006). DOI |
19 | L. Chang, M. Ieong and M. Yang, IEEE Trans. Electron Dev. 51, 1621 (2004). DOI |