Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제12권6호
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pp.267-270
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2011
In the process of inkjet-printed zinc tin oxide thin-film transistor, the effect of metallic interlayer underneath of source and drain electrode was investigated. The reason for the improved electrical properties with thin molybdenum oxide ($MoO_3$) layer was due to the chemically intermixed state of metallic interlayer, aluminum source and drain, and oxide semiconductor together. The atomic configuration of three Mo $3d_3$ and $3d_5$ doublets, three different Al 2p core levels, two Sn $3d_5$, and four different types of oxygen O 1s in the interfaces among those layers was confirmed by X-ray photospectroscopy.
Some applications of carbon nanotubes (CNTs) as field emitters, such as x-ray tubes and microwave amplifiers, require high current emission from a small emitter area. To emit the high current density, CNT emitters should be optimally fabricated in terms of material properties and morphological aspects including high crystallinity, aspect ratio, distribution density, height uniformity, adhesion on a substrate, low outgassing rate during electron emission in vacuum, etc. In particular, adhesion of emitters on the substrate is one of the most important parameters to be secured for high current field emission from CNTs. So, we attempted a novel approach to improve the adhesion of CNT emitters by incorporating metal oxide layers between CNT emitters. In our previous study, CNT emitters were fabricated on a metal mesh by filtrating the aqueous suspensions containing both highly crystalline thin multiwalled CNTs and thick entangled multiwalled CNTs. However, the adhesion of CNT film was not enough to produce a high emission current for an extended period of time even after adopting the metal mesh as a fixing substrate of the CNT film. While a high current was emitted, some part of the film was shown to delaminate. In order to strengthen the CNT networks, cobalt-nickel oxides were incorporated into the film. After coating the oxide layer, the CNT tips seemed to be more strongly adhered on the CNT bush. Without the oxide layer, the field emission voltage-current curve moved fast to a high voltage side as increasing the number of voltage sweeps. With the cobalt-nickel oxide incorporated, however, the curve does not move after the second voltage sweep. Such improvement of emission properties seemed to be attributed to stronger adhesion of the CNT film which was imparted by the cobalt-nickel oxide layer between CNT networks. Observed after field emission for an extended period of time, the CNT film with the oxide layer showed less damage on the surface caused by high current emission.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.27-32
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2006
The present status and prospects for further development of thin-film electroluminescent (TFEL) devices using oxide phosphors are described. High-luminance oxide TFEL devices have been recently developed using a new combinatorial deposition technique featuring rf magnetron sputtering with a subdivided powder target. In addition, new flexible oxide TFEL devices have been fabricated on an oxide ceramic sheet and operated stably in air above $200^{\circ}C$.
Titanium alloy (grade-4) is commonly used in industrial and medical applications. To improve its corrosion resistance and biocompatibility for medical use, it is necessary to form a titanium oxide film. In this study, the morphology of the oxide film formed by anodizing Ti-grade 4 using different electrolytes was analyzed. Wetting properties before and after surface modification with SAM coating were also observed. Electrolytes used were categorized as A, B, and C. Electrolyte A consisted of 0.3 M oxalic acid and ethylene glycol. Electrolyte B consisted of 0.1 M NH4F and 0.1 M H2O in ethylene glycol. Electrolyte C consisted of 0.07 M NH4F and 1 M H2O in ethylene glycol. Samples B and C exhibited a porous structure, while sample A formed a thickest oxide film with a droplet-like structure. AFM analysis and contact angle measurements showed that sample A with the highest roughness exhibited the best hydrophilicity. After surface modification with SAM coating, it displayed superior hydrophobicity. Despite having the thickest oxide film, sample A showed the lowest insulation resistance due to its irregular structure. On the other hand, sample C with a thick and regular porous oxide film demonstrated the highest insulation resistance.
In this paper, we have studied the effect of electron reflection on shadow mask on which tungsten oxide film is coated and have studied the variation of beam mislanding with coating thickness in CRT. We found the method to be able to control coating thicknessed and optimum coating thickness of tungsten oxide film was 1∼2$\mu\textrm{m}$. Mislanding of electron beam was reduced about 20∼48% with increasing coating thickness in CRT
Magnetite film on iron surface could be coated in strongly alkaline solution (12M NaH\OH) which contained additives such as NaHCO3, KCl and NaNO2, Iron plate was immersed in boiling solution ($130^{\circ}C$) contained above mentioned additives for 1 hour. There are some microcracks and these cracks proved to be the sites for the initiation of corrosion when immersed in 3% NaCl solution. To improve corrosion resistance of the coated steel plate, chromating was done as a post treatment. Chromate film was formed on magnetite oxide film potentiostatically at-918mV/SCE for five minutes at temperature of $70^{\circ}C$ in the alkaline solution containing 5g/l Na2Cr2O7.2H2O.Cr3O4 was electrodeposited on magnetite oxide film and Cr2O3 was electrodeposited on iron surface which was assumed as surface revealed due to microcracks. Increased corrosion resistance of chromated magnetite oxide film was proved in salt spray test & immersion test.
티타니움 폴리사이드 MOS(metal oxide semiconducter)캐퍼시타 구조에서 두께가 8nm인 게이트산화막의 절연파괴강도의 열화거동을 열처리조건 및 폴리실리콘막의 두께를 달리하여 조사했다. 티타니움 폴리사이드 게이트에서 게이트산화막의 전연피괴특성은 열처리 온도가 높을수록, 열처리시간이 길수록 많이 열화되어 실리사이드의 하부막인 잔류 폴리실리콘의 두께가 얇을수록 그 정도는 심해진다. 티타니움 실리사이드가 게이트산화막고 직접적인 접촉이 없더라도 게이트산화막의 신회성이 열화되는 것을 알 수 있었다. 실리사이드 형성후 열처리에 따른 게이트 산화막의 절연파괴특성열화는 티타니움 원자가 폴리실리콘을 통해 게이트산화막으로 확산되어 게이트산화막에서 티타니움의 고용량이 증가한 때문인 것이 SIMS분석 결과로부터 확인되었다.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.1145-1148
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2008
The present status and trend of oxide phosphor thin-film development for thin-film electroluminescent (TFEL) device application are presented in this paper. Recently, several newly developed types of bendable or bendable see-through oxide TFEL lamps have been fabricated using the TFEL technology with a newly developed bendable ceramic sheet, glass sheet or sapphire sheet substrate, which has become available on the market. Stable operation at high temperatures was obtained in double-insulating-layer-type TFEL lamps fabricated with a $Zn_2Si_{0.6}Ge_{0.}4O_4$:Mn thin-film emitting layer forming on translucent or transparent bendable sheet substrates.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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