The oxidation behavior of a two-phase(Ti3Al+TiAl) intermetallic compound, Ti-33.8wt%Al, has been in-vestigated in air at 800, 900 and $^1000{\circ}C$. Though the isothermal oxidation behavior followed a parabolic law up to 100$0^{\circ}C$ indicating that protective oxide scales were formed, the cyclic oxidation behavior followed a lin-ear law in the entire temperature range tested because flaky or stratified scales were usually spalled from the surface during cooling. During oxidation at 80$0^{\circ}C$, the alloy showed excellent oxidation resistance because continuous protective Al2O3 films were formed on the outermost surface of the alloy. However, above $900^{\circ}C$, the oxidation resistance of the alloy was decreased gradually because relatively non-protective TiO2 scales as well as some of Al2O3 scales were formed on the outer oxide scale. The oxidation mechanism of the alloy at different temperature was proposed.
In order to evaluate the oxidation behavior of $\beta$-Sialon, $\beta$-Sialon ceramics was prepared from Si3N4, Al2O3, AlN and Y2O3 system. The specimens were oxidized in an oxygen atmosphere at 1, 20$0^{\circ}C$ for 9days. Oxidation behavior was evaluated by weight gain oxidation process, surface roughness. Microscopy, EDX and X-ray diffraction analysis were also used for the evaluation. The weight and surface roughness ofoxidized specimens were increased with increasing the oxidation time. Oxidized products were mullite, $\alpha$-cristobalite, yttrium aluminum oxide and yttrium silicate oxide.
Kim, Byeong-Hyeon;Kim, Gyu-Bong;Park, Mi-Na;Ma, U-Ru-Di;Lee, Gwang-Ryeol;Jeong, Yong-Jae
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.499-499
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2011
Silicon nanowires (Si NWs) have been extensively studied for nanoelectronics owing to their unique optical and electrical properties different from those of bulk silicon. For the development of Si NW devices, better understanding of oxidation behavior in Si NWs would be an important issue. For example, it is widely known that atomic scale roughness at the dielectric (SiOx)/channel (Si) interface can significantly affect the device performance in the nano-scale devices. However, the oxidation process at the atomic-scale is still unknown because of its complexity. In the present work, we investigated the oxidation behavior of Si NW in atomic scale by simulating the dry oxidation process using a reactive molecular dynamics simulation technique. We focused on the residual stress evolution during oxidation to understand the stress effect on oxidation behavior of Si NWs having two different diameters, 5 nm and 10 nm. We calculated the charge distribution according to the oxidation time for 5 and 10 nm Si NWs. Judging from this data, it was observed that the surface oxide layer started to form before it is fully oxidized, i.e., the active diffusion of oxygen in the surface oxide layer. However, it is well-known that the oxide layer formation on the Si NWs results in a compressive stress on the surface which may retard the oxygen diffusion. We focused on the stress evolution of Si NWs during the oxidation process. Since the surface oxidation results in the volume expansion of the outer shell, it shows a compressive stress along the oxide layer. Interestingly, the stress for the 10 nm Si NW exhibits larger compressive stress than that of 5 nm Si NW. The difference of stress level between 5 an 10 anm Si NWs is approximately 1 or 2 GPa. Consequently, the diameter of Si NWs could be a significant factor to determine the self-limiting oxidation behavior of Si NWs when the diameter was very small.
In this study, the high-temperature oxidation properties of austenitic 316L stainless steel manufactured by laser powder bed fusion (LPBF) is investigated and compared with conventional 316L manufactured by hot rolling (HR). The initial microstructure of LPBF-SS316L exhibits a molten pool ~100 ㎛ in size and grains grown along the building direction. Isotropic grains (~35 ㎛) are detected in the HR-SS316L. In high-temperature oxidation tests performed at 700℃ and 900℃, LPBF-SS316L demonstrates slightly superior high-temperature oxidation resistance compared to HR-SS316L. After the initial oxidation at 700℃, shown as an increase in weight, almost no further oxidation is observed for both materials. At 900℃, the oxidation weight displays a parabolic trend and both materials exhibit similar behavior. However, at 1100℃, LPBF-SS316L oxidizes in a parabolic manner, but HR-SS316L shows a breakaway oxidation behavior. The oxide layers of LPBF-SS316L and HR-SS316L are mainly composed of Cr2O3, Fe-based oxides, and spinel phases. In LPBF-SS316L, a uniform Cr depletion region is observed, whereas a Cr depletion region appears at the grain boundary in HR-SS316L. It is evident from the results that the microstructure and the high-temperature oxidation characteristics and behavior are related.
The oxidation behavior of commercial pure titanium is investigated in the temperature range of $727^{\circ}C{\sim}950^{\circ}C$ in mixed gases. The weight change is measured by TGA during oxidation in mixed gases. The oxidation behavior indicated by weight gain or the growth of oxide layer is based on the linear rate law at high temperatures. The structure of the oxide scale formed during oxidation is analysed by optical microscopy, electron probe microanalyzer, scanning electron microscope and x-ray diffraction. Oxide scales have a $TiO_2$ structure, and are constituted with multi-layered or two layered porous external one and a dense internal one. Ti-O solid solution region is formed at the interface of metal and scale layer. The formation of oxide scale is influenced by the oxidation temperature, time, crystal structure and the condition of atmosphere.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.187-187
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2010
In this study, we investigated the effect of electrodes on resistance switching of TaOx film. Pt, Ni, TiN, Ti and Al metal electrodes having the different oxidation degree were deposited on TaOx/Pt stack. Unipolar resistance switching behavior in Pt or Ni/TaOx/Pt MIM stacks was investigated, but bipolar resistance switching behavior in TiN, Ti or Al /TaOx/Pt MIM stacks was shown. We investigated that the voltage dependence of capacitance was decreased with higher oxidation degree of metal electrodes. Through the C-V results, we expected that linearity ($\alpha$) and quadratic ($\beta$) coefficient was reduced with an increase of interface layer between top electrode and Tantalum oxide. Transmission Electron Microscope (TEM) images depicted the thickness of interface layer formed with different oxidation degree of top electrode. Unipolar resistance switching behavior shown in lower oxidation degree of top electrode was expected to be generated by the formation of the conducting path in TaOx film. But redox reaction in interface between top electrode and Tantalum oxide may play an important role on bipolar resistance switching behavior exhibited in higher oxidation degree of top electrode. We expected that the resistance switching characteristics were determined by oxidation degree of metal electrodes.
Oxidation behavior of hot-pressed silicon nitride ceramics with various sintering additives has been investigated. The weight gain of each specimens has shown in the range of 0.11 mg/$\textrm{cm}^2$ ~3.4 mg/$\textrm{cm}^2$ at 140$0^{\circ}C$ for 192 h and eleven compositions have shown good oxidation resistance with the weight gain below 0.5 mg/$\textrm{cm}^2$. The oxidation rate has been shown to obey the parabolic rate law and the oxidized surface has consisted of $\alpha$-cristobalite and M2Si2O7 or MSiO3 (M=rare earth or transition metals) phase. The oxidation rate of each specimens has related to the eutectic temperature between additive oxide and SiO2, and ionic radius of additive oxides, respectively. From the above results, it could be concluded that the oxidation behavior of hot pressed silicon nitride is dominated by the high temperature properties of grain boundary glassy phase and the high temperature properties of grain boundary glassy phase are affected by the ionic radius of additive oxides.
The oxidation behavior of 91 WC-9Co hardmetal in weight percentage has been studied in the present work as a part of the development of recycling process. The morphological and compositional changes of the WC-Co hardmetal with oxidation time at 90$0^{\circ}C$ were analyzed by using surface observation and X-ray diffraction. respective]y. As the oxidation time increased, the WC-Co hardmetal was continuously expanded to form porous oxide mixtures of $CoWO_4$ and $WO_3$. The morphology of porous oxide mixture was basically dependent on initial shape of the WC-Co hardmetal. From thermo-gravimetric (TG) analysis, it was found that the oxidation rate was increased with increasing oxidation temperature and oxygen content in the flowing atmospheric gas. The fraction of oxidation versus time curves showed S-curve relationship at a given of oxidation temperature. These oxidation behaviors of the WC-Co hardmetal were discussed in terms of previously proposed kinetic models.
Kim, Dae-Ho;Kim, Bo-Hye;Yang, Kap-Seung;Bang, Yun-Hyuk;Kim, Sung-Ryong;Im, Hun-Kook
Journal of the Korean Chemical Society
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v.55
no.5
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pp.819-823
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2011
The relationship between the microstructure, mechanical properties, and oxidation behavior of pitch-, polyacrylonitrile (PAN)-, and Rayon-based carbon fibers (CFs) has been studied in detail. Three types of carbon fiber were exposed to isothermal oxidation in air and the weight change was measured by thermogravimetric analyzer (TGA) apparatus. After activation energy was gained according to the conversion at reacting temperature, the value of specific surface area and the surface morphology was compared, and the reaction mechanism of oxidation affecting development of pores of carbon fibers was examined. This study will lead to a new insight into the relationship between the microstructure and mechanical properties of carbon fibers.
The electrochemical behavior of dissolved hydrogen (H2) was investigated at a Pt electrode in a high temperature LiOH-H3BO3 solution. The diffusion current of the H2 oxidation was proportional to the concentration of the dissolved H2 as well as the reciprocal of the temperature. In the polarization curve, a potential region in which the oxidation current decreases despite an increase in the applied potential between the H2 oxidation and the water oxidation regions was observed. This potential region was interpreted as being caused by the formation of a Pt oxide layer. Using the properties of the Cl- ion that reduces the growth rate of the Pt oxide layer, it was confirmed that there is a correlation between the Cl- ion concentration and the transient current of the H2 oxidation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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