When atomic layer deposition (ALD) is performed on a porous material by using an organometallic precursor, minimum exposure time of the precursor for complete coverage becomes much longer since the ALD is limited by Knudsen diffusion in the pores. In the previous report by Min et al. (Ref. 23), shrinking core model (SCM) was proposed to predict the minimum exposure time of diethylzinc for ZnO ALD on a porous cylindrical alumina monolith. According to the SCM, the minimum exposure time of the precursor is influenced by volumetric density of adsorption sites, effective diffusion coefficient, precursor concentration in gas phase and size of the porous monolith. Here we modify the SCM in order to consider undesirable adsorption of byproduct molecules. $TiO_2$ ALD was performed on the cylindrical alumina monolith by using titanium tetrachloride ($TiCl_4$) and water. We observed that the byproduct (i.e., HCl) of $TiO_2$ ALD can chemically adsorb on adsorption sites, unlike the behavior of the byproduct (i.e., ethane) of ZnO ALD. Consequently, the minimum exposure time of $TiCl_4$ (~16 min) was significantly much shorter than that (~71 min) of DEZ. The predicted minimum exposure time by the modified SCM well agrees with the observed time. In addition, the modified SCM gives an effective diffusion coefficient of $TiCl_4$ of ${\sim}1.78{\times}10^{-2}\;cm^2/s$ in the porous alumina monolith.
Park, Sung-Soo;Lee, Kee-Hag;Suh, Young-Sun;Lee, Chang-Hoon;Luthi, Hans P.
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.23
no.2
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pp.241-244
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2002
Using ab initio method, we have studied the structural stabilities, the electronic structures and properties between the two isomers with $C_{2h}$ and $C_{2v}$ symmetry of AlN four-membered-ring single precursors $[Me_2AlNHR]_2$ (R = Me, $^iPr$, and $^iBu$). In the viewpoint of bond lengths in optimized structures, the N-C bonds are considerably affected by the change of the R groups bonded to nitrogen, but the bonding characters of the Al-N and Al-C bonds are little affected. Also the structural stabilities between the two isomers with $C_{2h}$ and $C_{2v}$ symmetry by using Hartree-Fock (HF) and the second order Moeller-Pleset (MP2) calculations agree well with the experimental results for the relative stability of bis(dimethyl- m-isopropylamido-aluminum) (BDPA) and bis(dimethyl- m-t-butylamido-aluminum) (BDBA), while the semiempirical AM1 and PM3 calculations for BDPA were reverse. Thus, our results may aid in designing an optimum precursor for a given process by explaining the experimental results through the elimination of the R groups bonded to nitrogen.
Three kinds of organometallic compounds (chromium acetylacetonate, magnesium acetate and vanadyl acetylacetonate) were used as transition metal precursor, titanium n-butoxide and multi-walled carbon nanotube as titanium and carbon precursor to prepare metal oxide-CNT/$TiO^2$ composites. The surface properties and morphology of metal oxide-CNT/$TiO^2$ composites were by Brauer-Emett-Teller (BET) surface area measurement, scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffraction (XRD) and energy dispersive X-ray (EDX) analysis. The photocatalytic activity of prepared metal oxide-CNT/$TiO^2$ composites was determined by the degradation effect of methylene blue in an aqueous solution under irradiation of visible light.
We report that the crack-free organic-inorganic hybrid silica thin films were fabricated by sol-gel process using organometallic compounds as a precursor and that we have established very reproducible fabrication condition with systematic investigation of thickness and refractive index variations for various control parameters, such as, coating type, coating speed, chemical composition, prebake and postbake temperature. Additionally, we measured and compared the change of optical property with the UV exposure dose for three different kinds of photoinitiators. Furthermore, the fabrication of Ix4 MMI optical power splitter using the sol-gel thin film provides the possibility of various applications to the optical waveguide devices. vices.
Kim, Myoung-Hee;Lee, Jun;Mo, Soo-Yong;Kim, Jong-Hyun;Woo, Hee-Gweon
Journal of Integrative Natural Science
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v.3
no.2
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pp.61-71
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2010
Hydrosilanes possessing reactive Si-H bond are used in synthesizing various types of polysilanes by dehydrocoupling under the influence of various organometallic promoters. Catalytic Si-Si/Si-O coupling of hydrosilanes with hydrosilanes, alcohols, and lactones to silicon-based polymers are described in this article as selective examples of our recent research developments. These silicon-containing polymers can be used as a precursor to prepare useful functional materials for fabricating electronic devices.
Reaction of organic chlorine containing ester, alcohol, and acids with metallic tin and zinc in dimethyl formamide solvent gave a good yield of organo metallic complex. The same reaction under a mixed U.V. irradiation could not give an appreciable yield of the complex except in the case of an elevated reaction temperature. The solvation effect of dimethyl formamide of the metallic complex formation was markedetly increased as compared to the reaction in toluene and cyclohexane. In case of chlorine containing carboxylic acid, the formation of organo chloro zinc complex of the salt was observed. The reaction of organo zinc complex with a carbonyl precursor gave the addition product together with a dimerized product. Especially the aldehyde species enhanced the formation of zinc complex. The addition reaction was simple and convenient, but the yield was not high.(30-40% for the acid, 73% for the ester, 14.6% for alcohol). The result was discussed on basis of solvent effect and the procedures were described.
An organometallic precursor, hfac(hexafluoroacetylacetonate) Cu(I) DMB (3,3-dimethyl- 1-butene) was synthesized, evaluated and compared with other precursors for metal organic chemical vapor deposition of copper thin films. It was found that at $40^{\circ}C$, the vapor pressure was an order of magnitude higher (about 3 torr) than (hfac) Cu vinyltrimethylsilane (VTMS) and films could be deposited at the substrate temperature of 100-$280^{\circ}C$ with deposition rate substantially higher. The copper films contained no detectable impurities as measured by Auger electron spectroscopy and had a resistivity of about 2.0$\mu\Omega$-cm in the deposition temperature range of 150 to $250^{\circ}C$. From the thermal analysis, (hfac)Cu(I)(DMB) is believed to be quite stable and no appreciable amount of precipitation was observed at $65^{\circ}C$ heating for more than a month.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1998.02a
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pp.120-120
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1998
Boron nitride (BN) films have attracted a growing interest for a variety of t technological applications due to their excellent characteristics, namely hardness, c chemical inertness, and dielectrical behavior, etc. There are two crystalline phases 1551; of BN that are analogous to phases of carbon. Hexagonal boron nitride (h-BN) has a a layered s$\sigma$ucture which is spz-bonded structure similar to that of graphite, and is t the stable ordered phase at ambient conditions. Cubic boron nitride (c-BN) has a z zinc blende structure with sp3-bonding like as diamond, 따ld is the metastable phase a at ambient conditions. Among of their prototypes, especially 삼Ie c-BN is an i interesting material because it has almost the same hardness and thermal c conductivity as di없nond. C Conventionally, significant progress has been made in the experimental t techniques for synthesizing BN films using various of the physical vapor deposition 밍ld chemical vapor deposition. But, the major disadvantage of c-BN films is that t they are much more difficult to synthesize than h-BN films due to its narrow s stability phase region, high compression stress, and problem of nitrogen source c control. Recent studies of the metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) of I III - V compound have established that a molecular level understanding of the d deposition process is mandatory in controlling the selectivity parameters. This led t to the concept of using a single source organometallic precursor, having the c constituent elements in stoichiometric ratio, for MOCVD growth of 삼Ie required b binary compound. I In this study, therefore, we have been carried out the growth of h-BN thin f films on silicon substrates using a single source precursors. Polycrystalline h-BN t thin films were deposited on silicon in the temperature range of $\alpha$)() - 900 $^{\circ}$C from t the organometallic precursors of Boron-Triethylamine complex, (CZHs)3N:BRJ, and T Tris(dimethylamino)Borane, [CH3}zNhB, by supersonic molecular jet and remote p plasma assisted MOCVD. Hydrogen was used as carrier gas, and additional nitrogen w was supplied by either aDlIDonia through a nozzle, or nitrogen via a remote plasma. T The as-grown films were characterized by Fourier transform infrared spectroscopy, x x-ray pthotoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy, x-ray diffraction, t transmission electron diffraction, optical transmission, and atomic force microscopy.roscopy.
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.33
no.1
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pp.67-74
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2016
The Prussian Blue Analogue(PBA) has three dimensional structure and the metal - organic framework material, and it has a variety configurations depending on the type of organic ligands. PBA has been receving an attention in the fields of biosensors, optical, catalytic, and hydrogen storage device. Also, it is an environmental friendly substance with a chemical stability. In addition, PBA is widely used in the filed of adsorption art since we can adjust the size of the fine pores. In this study, we synthesized $Mn_3[Fe(CN)_6]_2$, an organometallic framework chains by using a hydrothermal synthesis method. We used $K_4[Fe(CN)_6]$ and $MnCl_2$ as precursors. We also produced a manganese iron oxide, by baking the synthesized material. The effect of the size and shape of the particles was examined by controling pH of the precursor solution, the molar concentration of the precursor, and reaction time as the experimental variables. Synthesized absorbent was analyzed by XRD, SEM, FT-IR, UV-Vis, and TG / DTA to evaluate the adsorption properties of several dyes.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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