왕겨를 가연성 담체로 하는 새로운 훈연제의 실용적 가치를 평가하기 위하여 살충제와 살균제를 포함하는 7종의 봉상 훈연제를 제제하고 연소성을 측정하여 시판 중인 과립훈연제와 비교하였다. 오이를 재배 중인 연동하우스에서 fenarimol 과립훈연제를 처리하고 유효성분 분포를 조사하여 농약 처리의 균일성을 검증하였다. 또한 오이 노균병과 토마토 역병에 대한 예방 효과를 측정하여 수화제와 비교하였다. 왕겨를 가연성 담체로 하고 산화제로 염소산나트륨을 첨가한 봉상 훈연제는 여러 가지 농약에 대하여 높은 훈연율을 나타내었으며, 모두 시판되고 있는 과립훈연제보다 더 높았다. 오이를 재배하고 있는 연동하우스$(1,000\;m^2)$의 5곳에 fenarimol 과립훈연제를 처리하고 조사한 9개 지점의 지표면에서는 $26.2{\pm}7.7\;ng/cm^2$의 유효성분이 검출되었으며, 비교적 균일한 분포를 나타내었다. 또한 살균제 농약을 함유하는 봉상 훈연제는 오이 노균병과 토마토 역병에 대한 예방 효과가 시판되고 있는 수화제와 동등하고 약해 유발이 없어서 농약 제형으로 손색이 없었다.
Composite plating is a method of co-deposition of plating layer with metallic and/or non-metallic particles to improve the plating layer properties such as high corrosion resistance and photolysis of organic compounds. The properties of nickel-ceramic composite plating are significantly depend on the surface characteristics of co-deposited particles as well as the quantity in electrolyte. In this study, Ni-$TiO_2$ composite coating layer was produced by electrodeposition technique from non-aqueous eletrolyte and its surface characteristics as well as photolytic properties were investigated. The amounts of immobilized $TiO_2$ particles increased with increasing the initial $TiO_2$ particles contents in the bath. Samples electroplated with the current density of $0.5\;A/dm^2$ showed the significantly improved homogeneous $TiO_2$ particles distribution. The corrosion resistance of Ni-$TiO_2$ composite coating layer also improved with increaing the amounts of $TiO_2$ particles. Etched sample showed about 10% increased photolytic rate of organic matter compare to that of the non-etched.
Transparent conduction oxides (TCOs) films is extensively reported for optoelectronic devices application such as touch panels, solar cells, liquid crystal displays (LCDs), and organic light emitting diodes(OLEDs). Among the many TCO film, indium tin oxide(ITO) is in great demand due to the growth of flat panel display industry. However, indium is not only high cost but also its deposits dwindling. Therefore, many studies are being done on the transparent conductive oxides(TCOs). We fabricated a target of IZTO(In2O3:ZnO:SnO2=70:15:15 wt.%) reduced indium. Then, IZTO thin films were deposited on glass substrates by pulsed DC magnetron sputtering with various oxygen flow ratio. The substrate temperature was fixed at the room temperature. We investigated the electrical, optical, structural properties of IZTO thin films. The electrical properties of IZTO thin films were dependent on the oxygen partial pressure. As a result, the most excellent properties of IZTO thin films were obtained at the 3% of oxygen flow rate with the low resistivity of $7.236{\times}10^{-4}{\Omega}cm$. And also the optical properties of IZTO thin films were shown the good transmittance over 80%. These IZTO thin films were used to fabricated organic light emitting diodes(OLEDs) as anode and the device performances studied. The OLED with an IZTO anode deposited at optimized deposition condition showed good brightness properties. Therefore, IZTO has utility value of TCO electrode although it reduced indium and we expect it is possible for the IZTO to apply to flexible display due to the low processing temperature.
Kim, Weon-Jong;Park, Young-Ha;Cho, Kyung-Soon;Hong, Jin-Woong;Shin, Jong-Yeol;Kim, Tae-Wan
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제9권3호
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pp.105-109
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2008
Electrical characteristics of organic light-emitting diodes were investigated by varying a hole-size in evaporation boat in the device structure of ITO/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum$(Alq_3)$/Al. The device was manufactured using a thermal evaporation under a base pressure of $5{\times}10^{-6}$ Torr. The $Alq_3$ emitting organics were evaporated to be a thickness of 100 nm at a deposition rate of $1.5{\AA}/s$. A cylindrical-shaped evaporation boat was made out of stainless steel with a small size of hole on top of the boat. Several evaporation boats were made having a different hole size on top; 0.8 mm, 1.0 mm, 1.5 mm, and 3.0 mm. We found that when the hole size on top of the evaporation boat is 1.0 mm, the average roughness is rather smoother compared to the other ones. Also, luminance and external quantum efficiency are superior to the others. Compared to the ones from the devices made with the hole-size of 0.8 mm boat. The luminance and external quantum efficiency of the device made with the hole-size of 1.0 mm boat were improved by a factor of seventy and thirty three, respectively. Also operating voltage is reduced to 2 V.
Gas barrier coating from dense thin film deposition has been one of the important applications such as food-packaging and organic display. Especially for food-packaging, plastic container has been widely used due to its low price and high through-put in mass production. However, the plastic container with low surface energy like polypropylene (PP) has been limited to apply gas barrier coating. That is because a gas barrier coating could not adhere to PP due to its too low surface energy and high porosity of PP. In this research, we applied carbon coating consisting of Si and O as an interlayer between silicon oxide (SiOx) and PP. A carbon layer was found to provide better adhesion, which was experimentally proved by oxygen transmission rate (OTR) and SEM images. However, we also found that there is a limitation in the maximum thickness of a carbon layer and SiOx film due to their high stress level. For this conflict, we obtain the optimal thickness of a carbon layer and SiOx film showing optimal gas barrier property.
In the device structure of ITO/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum ($Alq_3$)/Al device, we investigated the efficiency improvement of organic light-emitting diodes (OLEDs) depending on the hole-size of crucible boat. The device was manufactured using a thermal evaporation under the base pressure of $5{\times}10^{-6}\;Torr$. The $Alq_3$ organics were evaporated to be 100 nm thick at a deposition rate of $1.5\AA/s$, and in order to investigate the optimal surface roughness of $Alq_3$, the $Alq_3$ was thermally evaporated to be 0.8 mm, 1.0 mm, and 1.5 mm as a hole-size of the boat, respectively. We found that luminance and external quantum efficiency are superior when the hole-size of the boat is 1.0 mm. The external quantum efficiency of the device made with the hole-size of 1.0 mm boat were improved by a factor of ten compared to the devices made with the hole-size of non boat.
The effects of the isoelectronic AI-doping of GaN grown by metal organic chemical vapor deposition were investigated for the first time using scanning electron microscopy (SEM), Hall measurements, photoluminescence (PL), and time-resolved PL. When a certain amount of Al was incorporated into the GaN films, the room temperature photoluminescence intensity of the films was approximately two orders larger than that of the undoped GaN. More importantly, the electron mobility significantly increased from 130 for the undoped sample to $500\textrm{cm}^2/Vs$ for the sample grown at a TMAl flow rate of $10{\mu}mol/min$, while the unintentional background concentration only increased slightly relative to the TMAl flow. The incorporation of Al as an isoelectronic dopant into GaN was easy during MOCVD growth and significantly improved the optical and electrical properties of the film. This was believed to result from a reduction in the dislocation-related non-radiative recombination centers or certain other defects due to the isoelectronic Al-doping.
Various organic acid were used in order to prepare new metalorganic deposition solution for high quality $REBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ (RE=Y, Eu, Gd) films. Prepared fluorine free MO precursor solution was coated on single crystal (001) $LaAlO_3$ (LAO) by dip coating method. Processing parameters such as oxygen partial pressure, water vapor, ramping rate and pyrolysis temperature etc havebeen controlled in order to make high $J_c$ films with a good epitaxial relationship with substrate. 0.5 micron-thick film was obtained by single coating and no crack appeared after calcination. Oxygen partial pressure was varied in the range of $100{\sim}1,000 ppm$ and conversion heat treatment was carried out at the temperature of $725{\sim}765^{\circ}C$. A critical transition temperature $(T_{c0})$ of 90K and a critical transport current density $(J_c)$ of $>0.5MA/cm^2$ (77K and self-field) were demonstrated for the YBCO film on (001) oriented LAO substrates with a thickness of 0.5 micron. $I_c$ was determined by utilizing a transport measurement. SEM and XRD investigations confirmed that films were grown epitaxially onto the LAO single crystal substrate. It is thought that fluorine free new MOD solutionis promising for high quality REBCO films.
In a device structure of ITO/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum $(Alq_3)$/Al device, We investigated an the electrical characteristics of Organic Light-Emitting Diodes (OLEDs) depending on the hole-size of boat. The device was manufactured using a thermal evaporation under a base pressure of $5{\times}10^{-6}$ [Torr]. The $Alq_3$ organics were evaporated to be 100 [nm] thick at a deposition rate of $1.5[{\AA}/s]$, and in order to investigate the optimal surface roughness of $Alq_3$, the $Alq_3$ was thermally evaporated to be 0.8 [mm], 1.0 [mm], 1.5 [mm], and 3.0 [mm] as a hole-size of the boat respectively. We found that when the hole-size of the boat is 1.0 [mm], luminance and external quantum efficiency are superior.
Alloy deposits of 80Sn-20Pb, electroplated on Cu-based leadframe alloy from an organic sulfonate bath were aged at $150^{\circ}C$ to form intermetallic phases between substrate and deposit, and effects of the deposit morphology, influenced by deposition conditions, on the fracture resistance of the 80Sn-20Pb deposit aged at $150^{\circ}C$ were examined. The growth rate of intermetallic compound layer on aging depended on the microstructure of deposit ; it was fastest in deposit formed using pulse current in bath without grain refining additive, but slowest in deposit formed using dc current in bath containing grain refining additive in spite of similar structure with equivalent grain size. The grain refining additive incorporated in electrodeposit appears to inhibit diffusion of atoms on aging, resulting in slow growth of intermetallic layer in the thickness direction but substantial growth in the lateral one. Density of surface cracks that were occurring when samples were subjected to the $90^{\circ}$-bending test increased with increasing the thickness of intermatallic layer on aging. For the same aged samples, the surface crack density of the sample electrodeposited from a bath containing the grain refining additive was the least due to the inhibiting effect of the additive incorporated into the deposit during electrolysis on atomic diffusion.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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