• 제목/요약/키워드: Organic Thin Film Transistor

검색결과 285건 처리시간 0.025초

하이브리드 타입 절연막 위에서 열처리 온도에 따른 펜타센 생성과 관련된 화학반응 (Chemical Reaction of Pentacene Growth on Hybrid Type Insulator by Annealing Temperature)

  • 오데레사
    • 대한전자공학회논문지SD
    • /
    • 제43권2호
    • /
    • pp.13-17
    • /
    • 2006
  • Pentacene channel PTFT(organic thin film transistor)을 SiOC 절연박막 위에서 thermal evaporation 방법을 이용하여 성장시켰다. CVD 방법으로 증착시킨 SiOC 절연막은 조성비에 따라 특성이 달라지므로 절연막 위에서의 펜타센의 화학적 반응을 조사하기 위해서 inorganic-type인 $O_2/(BTMSM+O_2)=0.5$의 비율을 갖는 SiOC 박막을 사용하였다. 펜타센 분자의 말단에서 SiOC 표면에서 Diels-Alder 반응에 의한 이중결합이 깨어지면서 안정된 성장을 하지만 온도가 높아감에 따라 표면에서의 $SN_2(bimolecular nucleophilic substitution)$ 반응과 연쇄적인 화학반응에 의해 .펜타센의 성장을 방해하는 것으로 나타났다.

능동형 유기 발광 다이오드(AMOLED)에서 발생하는 수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Transistor)의 이력 (Hysteresis) 현상 (Hysteresis Phenomenon of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Transistors for an Active Matrix Organic Light Emitting Diode)

  • 최성환;이재훈;신광섭;박중현;신희선;한민구
    • 전기학회논문지
    • /
    • 제56권1호
    • /
    • pp.112-116
    • /
    • 2007
  • We have investigated the hysteresis phenomenon of a hydrogenated amorphous silicon thin film transistor (a-Si:H TFT) and analyzed the effect of hysteresis phenomenon when a-Si:H TFT is a pixel element of active matrix organic light emitting diode (AMOLED). When a-Si:H TFT is addressed to different starting gate voltages, such as 10V and 5V, the measured transfer characteristics with 1uA at $V_{DS}$ = 10V shows that the gate voltage shift of 0.15V is occurred due to the different quantities of trapped charge. When the step gate-voltage in the transfer curve is decreased from 0.5V to 0.05V, the gate-voltage shift is decreased from 0.78V to 0.39V due to the change of charge do-trapping rate. The measured OLED current in the widely used 2-TFT pixel show that a gate-voltage of TFT in the previous frame can influence OLED current in the present frame by 35% due to the change of interface trap density induced by different starting gate voltages.

ALD 방식의 $Al_2O_3$ 게이트 절연막을 이용한 저 전압 유기 트랜지스터에 관한 연구 (Low-Voltage Organic Thin-Film-Transistors on $Al_2O_3$ Gate Insulators Layer Fabricated by ALD Processing Method)

  • 형건우;소병수;이준영;박일홍;최학범;황진하;김영관
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
    • /
    • pp.230-231
    • /
    • 2007
  • we fabricated a pentacene thin-film transistor with an $Al_2O_3$ layer of ALD as a gate insulator and obtained a device with better electrical characteristics at low operating voltages (below 16V). This device was found to have a field-effect mobility of $0.03cm^2/Vs$, a threshold voltage of -6V, an subthreshold slope of 1 V/decade, and an on/off current ratio of $10^6$.

  • PDF

N형 유기물질을 이용한 세로형 유기 발광트랜지스터의 제작 및 특성에 관한 연구 (Characteristics and Fabrication of Vertical Type Organic Light Emitting Transistors Using n-Type Organic Materials)

  • 오세용;김희정;장경미
    • 폴리머
    • /
    • 제30권3호
    • /
    • pp.253-258
    • /
    • 2006
  • 4 종류의 n형 유기 반도체 물질 F16CuPC, NTCDA, PTCDA, PTCDI C-8을 사용하여 ITO/n형 활성물질/Al gate/n형 활성물질/Al으로 구성되는 세로형 유기 박막트랜지스터를 제작하였다. 캐리어 이동도의 차이를 갖는 유기 물질의 종류와 유기 박막층의 두께 조절에 따른 유기 박막트랜지스터의 전류전압(I-V) 특성 및 전류의 온오프비에 미치는 영향을 조사하였다. PTCDI C-8을 사용한 세로형 유기 박막트랜지스터에서 낮은 구동전압과 높은 스위칭 특성을 보였다. ITO/PEDOT-PSS/P3HT/F16CuPc/Al gate/F16CuPc/Al으로 구성되는 발광트랜지스터를 제작하였고, 20 V에서 최고 0.054의 양자 효율을 나타내었다.

유기 박막 트랜지스터 (Organic TFT)의 유기 활성층 기술 동향

  • 장상웅;최준환;윤호규;이주원;주병권;김재경
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
    • /
    • 제17권8호
    • /
    • pp.3-12
    • /
    • 2004
  • 유기 박막 트랜지스터 (Organic Thin film Transistors ; 이하 OTFT)는 1986년부터(1) 반도체 장치의 새로운 부류로 급속하게 발전해 오고 있다. 반도체 산업에 있어 이러한 유기물질의 큰 발전은 1947년에 있었던 최초의 inorganic FET (Field Effect Transistor) 탄생에 버금갈 만한 성과라고 여겨진다.(중략)

  • PDF

AMOLED 디스플레이 주요 기술 및 최근 동향 - 플렉서블 디스플레이 기술 위주로 - (AMOLED Display Technologies and Recent Trends - Focusing on Flexible Display Technology -)

  • 김경보;이종필;김무진
    • 산업과 과학
    • /
    • 1권1호
    • /
    • pp.16-22
    • /
    • 2022
  • 디스플레이는 브라운관을 시작으로 PDP(Plasma Display Panel), LCD(Liquid Crystal Display) 이후 AMOLED(Active Marix Organic Light Emitting Diode) 순으로 시장을 형성하고 있다. 유기발광다이오드 OLED는 4차 산업혁명을 준비하는 각 국가들의 발전을 위한 핵심 분야로 인정받고 있는 기술이며, 특히 국내 최고업계 삼성 디스플레이, LG디스플레이는 OLED의 90%이상의 점유율로 시장을 주도하고 있다. 현재 AMOLED는 접거나 휠 수 있는 영역으로 옮겨왔으며, 이와 같은 기술이 가능한 이유는 플렉서블 기판상에 TFT(Thin Film Transistor)와 OLED가 형성가능하기 때문이다. 향후 스트레처블 디스플레이로 그 기술은 이동할 것이며, 이를 위해서는 늘어나는 기판 소재 개발이 우선 진행되고, 다음으로 TFT, OLED 소자 역시 늘어날 수 있는 재료로 구현되어야 할 것이다.

Fabrication of Flexible OTFT Array with Printed Electrodes by using Microcontact and Direct Printing Processes

  • Jo, Jeong-Dai;Lee, Taik-Min;Kim, Dong-Soo;Kim, Kwang-Young;Esashi, Masayoshi;Lee, Eung-Sug
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
    • /
    • pp.155-158
    • /
    • 2007
  • Printed organic thin-film transistor(OTFT) to use as a switching device for an organic light emitting diode(OLED) were fabricated in the microcontact printing and direct printing processes at room temperature. The gate electrodes($5{\mu}m$, $10{\mu}m$, and $20{\mu}m$) of OTFT was fabricated using microcontact printing process, and source/drain electrodes ($W/L=500{\mu}m/5{\mu}m$, $500{\mu}m/10{\mu}m$, and $500{\mu}m/20{\mu}m$) was fabricated using direct printing process with hard poly(dimethylsiloxane)(h-PDMS) stamp. Printed OTFT with dielectric layer was formed using special coating system and organic semiconductor layer was ink-jet printing process. Microcontact printing and direct printing processes using h-PDMS stamp made it possible to fabricate printed OTFT with channel lengths down to $5{\mu}m$, and reduced the process by 20 steps compared with photolithography. As results of measuring he transfer characteristics and output characteristics of OTFT fabricated with the printing process, the field effect characteristic was verified.

  • PDF

Polymide와 Polyacryl을 게이트 절연층으로 이용한 pentacene TFT의 제작과 전기적 특성에 관한 연구 (The Fabrication and Electrical Characteristics of Pentacene TFT using Polyimide and Polyacryl as a Gate Dielectric Layer)

  • 김윤명;김옥병;김영관;김정수
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
    • /
    • 제50권4호
    • /
    • pp.161-168
    • /
    • 2001
  • Organic thin film transitors(TFTs) are of interest for use in broad area electronic applications. For example, in active matrix liquid crystal displays(AMLCDs), organic TFTs would allow the use of inexpensive, light-weight, flexible, and mechanically rugged plastic substrates as an alternative to the glass substrates needed for commonly used hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H). Recently pentacene TFTs with carrier field effect, mobility as large as 2 $cm^2V^{-1}s^{-1}$ have been reported for TFTs fabricated on silicon substrates, and it is higher than that of a-Si:H. But these TFTs are fabricated on silicon wafer and $SiO_2$ was used as a gate insulator. $SiO_2$ deposition process requires a high insulator which is polyimide and photo acryl. We investigated trasfer and output characteristics of the thin film transistors having active layer of pentacene. We calculated field effect mobility and on/off ratio from transfer characteristics of pentacene thin film transistor, and measured IR absorption spectrum of polymide used as the gate dielectric layer. It was found that using the photo acryl as a gate insulator, threshold voltage decreased from -12.5 V to -7 V, field effect mobility increased from 0.012 $cm^2V^{-1}s^{-1}$ to 0.039 $cm^2V^{-1}s^{-1}$ , and on/off current ratio increased from $10^5\;to\;10^6$. It seems that TFTs using photo acryl gate insulator is apt to form channel than TFTs using polyimide gate insulator.

  • PDF

유기트랜지스터용 p-type 유기반도체 개발 (New p-type Organic Semiconducting Materials for Organic Transistor)

  • 강인남;이지훈
    • 한국전기전자재료학회논문지
    • /
    • 제19권6호
    • /
    • pp.558-562
    • /
    • 2006
  • We have synthesized a new p-type polymer, poly(9,9'-n-dioctylfluorene-alt-phenoxazine) (PFPO), via the palladium catalyzed coupling reaction. The number average molecular weight ($M_n$) of PFPO was found to be 23,000. PFPO dissolves in common organic solvents such as chloroform and toluene. The UV-visible absorption maximum of the PFPO thin film is clearly blue-shifted with respect to that of F8T2, poly-(9,9'-n-dioctylfluorene-alt-bithiophene). The introduction of the phenoxazine moiety into the polymer system results in better field-effect transistor (FET) performance than that of F8T2. A solution processed PFPO TFT device with a top contact geometry was found to exhibit a hole mobility of $2.7{\times}10^{-4}cm^2/Vs$ and a low threshold voltage of -2 V with high on/off ratio(${\sim}10^4$).

Pentacene based organic thin film transistor on aqueous media for biosensor

  • 이동준;채승근;권오준;정병준
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
    • /
    • pp.210.2-210.2
    • /
    • 2015
  • 유기 박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor, OTFT)기반의 바이오센서는 저비용 제작 및 플렉서블 소자 제작이 가능하여 많은 주목을 받아오고 있다. 본 연구에서는, hexamethyldisilazane (HMDS) 표면 처리된 $Si/SiO_2$ 기판 위에 진공 증착 공정을 이용하여 pentacene 기반의 OTFT를 제작한 후, 수용성 매체에 대한 안정성을 향상시키기 위하여 저분자 물질인 tetratetracontane (TTC)를 진공 증착 공정을 이용하여 증착하였으며, cyclized perfluoropolymer (CYTOP)을 용액 공정으로 코팅하여 bilayer의 passivation 층을 형성하였다. 실제 제작된 OTFT의 수용성 매체에 대한 안정성을 테스트하기 위하여 소자에 수용성 phosphate buffered saline (PBS)용액을 투하하여 10분에 걸쳐 1분 간격으로 transistor의 transfer 특성을 측정하였다. 또한 측정된 $I_d-V_g$ 곡선 데이터를 이용하여 시간에 따른 드레인 전류, 이동도, 문턱 전압, 점멸비 등의 수치를 산출하였다. 그리고, 그 $I_d-V_g$ 곡선 데이터와 산출된 데이터들을 증류수가 투하된 OTFT 소자의 $I_d-V_g$ 곡선 데이터와 산출된 데이터들과 비교하였다. 결론적으로, TTC/Cytop bilayer passivation 층이 형성된 OTFT 소자는 인체 내 혈액의 pH와 유사한 PBS 용액 하에서도 안정적인 구동 성능을 보여 바이오센서로 응용될 수 있는 가능성이 있다는 결론을 얻었다.

  • PDF