• 폴리머
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• 제34권5호
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• pp.391-397
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• 2010

폴리아믹산(PAA)은 가교가 가능한 2중 결합을 갖는 bicyclo(2,2,2)oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxy-licdianhydride(BTDA)와 bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl] sulfone(BAPS)을 N,N-dimethylacetamide(DMAc) 용매에서 반응하여 얻어졌으며, 폴리이미드(PI) 필름은 PAA를 캐스팅하여 각각 다른 반응 온도에서 열처리를 통해 얻었다. 가교 온도를 $250{\sim}350^{\circ}C$까지 증가하여 얻은 가교된 PI의 열적-기계적 성질, 가교도, 광학적 특성을 열처리 온도에 따라 조사하였다. 열적-기계적 성질은 $350^{\circ}C$에서 열처리되었을 때 최대 값을 나타냈으며, 광학적 특성은 $250^{\circ}C$에서 열처리된 필름이 가장 우수한 광학특성을 보였다. $250{\sim}350^{\circ}C$까지 열처리에 따른 가교도는 NMR 상에서 85~93%를 나타냈다.

• 한국재료학회지
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• 제2권6호
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• pp.417-427
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• 1992

저압화학기상증착(LPCVD)법에 의해 비정질 실리콘 박막을 증착한 후, 자기 이온주입 (self-implantation)과 저온 열처리에 의해 결정화와 입자성장을 유도하였다. 그리고 여러가지 공정변수의 변화에 따른 결정화 양상을 관찰함으로써 최적의 물리적 성질 즉, 입자크기 및 분포를 갖는 공정조건을 도출하였다. 다결정 성장막의 균일성은 광학현미경 분석에 의존하였으며, 이를 위해 KOH : (IPA) : $H_2$O $K_2$C${r_2}{O_7}$, 에칭용액을 개발하였다. 비정질 박막의 결정화 양상에 있어서는 XRD와 TEM 분석결과 결정들이 (111) 우선방위를 갖고 수지상(dendrite) 형태로 성장하였으며, 이온 주입량의 증가에 따라 입자 크기는 증가하였다. 최대 입자는 3${\times}{10^{15}}$c$m^2$의 농도로 Si 이은주입한 비정질 Si박막을 55$0^{\circ}C$에서 40시간 이상 결정화시켜 얻었으며, 이때의 최대 입자크기는 3.2${\mu}$m로 측정되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.398.1-398.1
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• 2014

The $Cu_2ZnSnSe_4$ (CZTSe) thin films solar cell is one of the next generation candidates for photovoltaic materials as the absorber of thin film solar cells because it has optimal bandgap (Eg=1.0eV) and high absorption coefficient of $10^4cm^{-1}$ in the visible length region. More importantly, CZTSe consists of abundant and non-toxic elements, so researches on CZTSe thin film solar cells have been increasing significantly in recent years. CZTSe thin film has very similar structure and properties with the CIGS thin film by substituting In with Zn and Ga with Sn. In this study, As-deposited CZTSe thin films have been deposited onto soda lime glass (SLG) substrates at different deposition condition using Pulsed Laser Deposition (PLD) technique without post-annealing process. The effects of deposition conditions (deposition time, deposition temperature) onto the structural, compositional and optical properties of CZTSe thin films have been investigated, without experiencing selenization process. The XRD pattern shows that quaternary CZTSe films with a stannite single phase. The existence of (112), (204), (312), (008), (316) peaks indicates all films grew and crystallized as a stannite-type structure, which is in a good agreement with the diffraction pattern of CZTSe single crystal. All the films were observed to be polycrystalline in nature with a high (112) predominant orientation at $2{\theta}{\sim}26.8^{\circ}$. The carrier concentration, mobility, resistivity and optical band gap of CZTSe thin films depending on the deposition conditions. Average energy band gap of the CZTSe thin films is about 1.3 eV.

• 한국자기학회지
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• 제18권1호
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• pp.14-18
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• 2008

본 연구에서는 Bi:YIG($Bi_{0.5}Y_{2.5}Fe_5O_{12}$) 막을 에어로졸 성막법을 이용하여 제작함에 있어서, 에어로졸을 구성하는 수송가스의 유량이 막의 자기적 특성과 광학적인 특성에 대하여 분석하였다. 직경 $100{\sim}500$ nm 의 Bi:YIG 분말을 질소 가스를 수송가스로 사용하여 성막을 실시하였고, 이 때, 수송가스의 유량은 0.5 l/min${\sim}10$ l/min 사이에서 변화시켰다. 수송가스의 유량이 증가할수록 Bi:YIG 막의 보자력은 51 Oe에서 37 Oe까지 지수함수적으로 감소하였다. 이것은 충돌에너지가 증가함에 따라 막내부 혹은 막표면의 결함이 감소하였기 때문이라고 고찰되었다. 포화자화는 유량이 증가할수록 감소하였는데, 이는 충돌에너지가 강해짐에 따라 결정이 왜곡되는 힘을 받았기 때문이라고 고찰되었다.

• 전기화학회지
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• 제6권2호
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• pp.145-152
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• 2003

전해 캐패시터와 supercapacitor의 특성을 함께 가지는 하이브리드 캐패시터의 용량은 표면이 산화물로 피복된 양극에 의해서 좌우된다 본 연구에서는 고전압 하이브리드 슈퍼캐패시터의 제조를 위해 양극의 용량 최적화를 수행하였다. $40{\mu}m$의 입자경을 갖는 알루미늄 분말과 NaCl분말을 4:1의 무게비로 혼합하여 디스크 형태의 전극을 만들고 열처리를 하였다. 열처리 후 $50^{\circ}C$의 증류수에서 NaCl을 용해시켜 열처리 온도에 따른 용량과 저항을 비교하였다. 최적의 열처리 과정을 거친 후 electropolishing 및 화학처리, 1차 및 2차 에칭을 단계별로 행하였고 각각의 단계에서 최적의 조건을 조사하였다 각각의 단계에서의 용량과 저항은 ac impedance analyzer를 사용하여 측정하였으며 전극의 표면은 SEM을 이용하여 관찰하였다. 2차 에칭 후 내전압이 300V급인 전극으로 만들기 위하여 365V로 양극산화 시켰으며, 산화된 알루미늄 디스크 전극을 사용하여 단위 셀을 제조하여 주파수에 따른 용량과 저항 특성을 기존의 300V급 알루미늄 전해 캐패시터와 비교하였다.

• 식물병연구
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• 제26권3호
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• pp.170-178
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• 2020

바이러스의 정확한 진단법 확립은 바이러스의 피해 및 확산을 예방하는데 매우 중요하게 작용한다. 대부분의 딸기 바이러스는 조직내에 낮은 역가로 분포하여 진단이 어렵고, 특히 딸기 조직은 다당류 및 페놀화합물의 함유가 많아 RNA 추출이 어려운 것으로 알려져 있다. 딸기 우량묘 생산에 필요한 바이러스 검정기술을 확립하기 위해 본 연구에서는 딸기 잎에서 바이러스 진단을 위해 가장 최적의 RNA 추출방법 정립을 위해 다양한 상용 키트와 시약을 이용하여 RNA 추출효율 비교하였다. 바이러스 진단을 통한 RNA 추출효율을 분석하기 위해 SMoV 감염주인 미홍 딸기 품종을 이용하여 다양한 단계에서 잎조직으로부터 RNA를 추출하고 바이러스 진단을 수행하였다. 식물 RNA 추출 방법 가운데 상업용으로 판매되는 RNeasy plant mini kit (Qiagen)를 이용하는 경우 본 연구에서 살펴본 one-step 또는 two-step RT-PCR 방법과 무관하게 SMoV의 검출이 잘 되었다. 또한, 딸기 우량묘의 바이러스 검정에 대한 신뢰있는 진단방법을 구축하기 위해 주요 딸기 바이러스인 strawberry mild yellow edge virus (SMYEV), strawberry mottle virus (SMoV), strawberry latent ringspot virus (SLRSV), strawberry crinkle virus (SCV), strawberry pallidosis associated virus (SPaV), strawberry vein banding virus (SVBV) 및 strawberry necrotic shock virus (SNSV) 7종에 대한 유전자 합성을 통해 진단클론을 제작하였다. 각 클론의 합성유전자를 기반으로 7종의 딸기바이러스 프라이머 세트를 설계하고 편리한 진단법 수행을 위해 동일한 PCR 조건을 설정하였다.

• 대한수의학회지
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• 제42권3호
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• pp.363-370
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• 2002

For the development of diagnostic polymerase chain reaction (PCR) to fungal infection by dermatophytes Trichophyton and Microsporum, detection of the fungal DNA by PCR and analysis of the DNA pattern were undertaken in the present study. A total of 15 strains were tested and those consisted of 3 reference strains and 12 isolates such as: reference strains of T mentagrophytes (downy type, ATCC 9533), T rubrum (IFO 6204) and M gypseum (ATCC 9083), and each isolate of T mentogrophytes (powdery type), T mentagrophytes (granular type), T mentogrophytes (purple-red type), T rubrum, T raubitschekii, T tonsurans, T equinum, T ajelloi, T verrucosum, M cookei, M nanum and M gypseum. The DNA were purely isolated from all strains of Trichophyton spp. and Microsporum spp. by a simple method partly consisted of disruption of fungal cells by lyophilization and grinding and extraction of fungal DNA without phenol treatment which is a routine procedure in DNA isolation. For the detection of fungal DNAs, optimal condition of PCR was determined as preheating once at $94^{\circ}C$ for 5 min, 35 cycles of denaturation at $94^{\circ}C$ for 1 min, annealing at $38^{\circ}C$ for 1 min and polymerization at $72^{\circ}C$ for 2 min, and 1 cycle of final extension at $72^{\circ}C$ for 5 min. In PCR using arbitrary primers AP-1 (5' ACCCGACCTG3') and AP-2 (5' ACGGGCCAGT3'), DNAs in various numbers and sizes were detected from different species of Trichophyton and Microsporum, while DNAs in similar size were also detected in all strains of Trichophyton spp. and Microsporum spp. There were unique DNAs observed from certain dermatophytes by AP-1 such as 1,900 bases in T rubrum, 950 and 1,100 bases in T raubitscheldi, 2,100 bases in T equinum, 400 bases in T verrucosum and 1,150 bases in M gypseum. The unique DNAs were also observed by AP-2 such as 1,200 bases in T ajelloi, 250 bases in T verrucosum, 1,150 bases in M cookei and 2,000 bases in M nanum. The results indicated that PCR can detect a specific DNA from certain Trychophyton and Microsporum spp, which can be the information for further development of diagoomc PCR to dennatophytes.

• 융복합기술연구소 논문집
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• 제8권1호
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• pp.33-39
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• 2018

The screen printing method for forming the electrode by applying the existing pressure is difficult to apply to thin wafers, and since expensive Ag paste is used, it is difficult to solve the problem of cost reduction. This can solve both of the problems by forming the front electrode using a plating method applicable to a thin wafer. In this paper, the process conditions of electrode formation are optimized by using LIEP (Light-Induced Electrode Plating). Experiments were conducted by varying the Ni plating bath temperature $40{\sim}70^{\circ}C$, the applied current 5 ~ 15 mA, and the plating process time 5 ~ 20 min. As a result of the experiment, it was confirmed that the optimal condition of the structural characteristics was obtained at the plating bath temperature of $60^{\circ}C$, 15 mA, and the process time of 20 min. The Cu LIEP process conditions, experiments were conducted with Cu plating bath temperature $40{\sim}70^{\circ}C$, applied voltage 5 ~ 15 V, plating process time 2 ~ 15 min. As a result of the experiment, it was confirmed that the optimum conditions were obtained as a result of electrical and structural characteristics at the plating bath temperature of $60^{\circ}C$ and applied current of 15 V and process time of 15 min. In order to form Ni silicide, the firing process time was fixed to 2 min and the temperature was changed to $310^{\circ}C$, $330^{\circ}C$, $350^{\circ}C$, and post contact annealing was performed. As a result, the lowest contact resistance value of $2.76{\Omega}$ was obtained at the firing temperature of $310^{\circ}C$. The contact resistivity of $1.07m{\Omega}cm^2$ can be calculated from the conditionally optimized sample. With the plating method using Ni / Cu, the efficiency of the solar cell can be expected to increase due to the increase of the electric conductivity and the decrease of the resistance component in the production of the solar cell, and the application to the thin wafer can be expected.

• 한국결정성장학회지
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• 제31권1호
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• pp.1-7
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• 2021

Ga2O3의 준 안정상인 ε-Ga2O3는 육각형 구조나 준 육각형 구조를 가지는 기판들과 정합성이 우수하여 β-Ga2O3보다 상대적으로 쉽게 낮은 표면 거칠기와 결함 밀도를 갖는 박막을 얻을 수 있다. 이에 ε-Ga2O3를 고온에서 열처리하면 β-Ga2O3로 상전이 되는 특성을 이용하여 표면 거칠기와 결함 밀도가 낮은 고품질 β-Ga2O3 박막의 제조를 시도하였다. 이를 위해서는 고품질 ε-Ga2O3 박막의 성장이 선행되어야 하므로 본 연구에서는 갈륨과 산소의 공급 유량 비율에 따른 Ga2O3 박막의 구조적, 형태적 특성을 분석함으로써 최적의 유량 비율을 조사하였다. 추가로 열처리 조건과 ε-Ga2O3 박막에 혼입된 β-Ga2O3가 상전이 이후 β-Ga2O3의 결정성에 미치는 영향도 함께 조사하였다.