Journal of the Korean Graphic Arts Communication Society
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v.28
no.1
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pp.15-24
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2010
Photovoltaic solar cells are all in the incident because they are not converted into electrical energy, high-efficiency solar cells in order to reduce the loss of elements must be. Significant factor in the loss of solar cells, optical loss and electrical loss can be divided into. Optical losses occur when the sun will be joined on the surface of the reflection, the shadow loss due to electrodes, and the losses are in the solar wavelengths. Commercialization is currently the most common solar cells on the front of the light incident on the electrode is formed. Therefore, the shadow caused by the electrode to cover the dead area of the sun, due to factors that hinder the absorption of sunlight which is shadowing them and conversion efficiency of solar cells is the inhibition factor. These barriers to eliminate the electrode linewidth reduces the shadowing to reduce, but simply of the electrode line width is reduced electrode area by reducing the series resistance elevates this because to improve the electrode Aspect ratio(height/width) to increase Ag development of paste is required. In this study, aspect ratio of screen-printing method to increase the electrode Ag paste composition of the binder for the characterization of rheology in the shadow of the electrode by reducing the optical loss of the photoelectric conversion efficiency of solar cells to boost the performance measures was. Properties and printability of the paste, the binder resin sintered characteristics that affect the thermal properties are excellent with a good screen printability acrylic resin, ethyl cellulose, using a resin were evaluated. Prepared paste rheology properties, was formed to evaluate the electrode conductivity and aspect ratio.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.478.1-478.1
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2014
We investigated $MoO_3$ graded ITO electrodes for organic solar cells (OSCs) without PEDOT:PSS buffer layer. The effect of $MoO_3$ thickness on the electrical, optical, and structural properties of $MoO_3$ graded ITO anodes prepared by RF/DC magnetron co-sputtering system using $MoO_3$ and ITO targets was investigated. At optimized conditions, we obtained $MoO_3$ graded ITO electrodes with a low sheet resistance of 13 Ohm/square, a high optical transmittance of 83% and a work function of 4.92 eV, comparable to conventional ITO films. Due to the existence of $MoO_3$ on the ITO electrodes, OSCs fabricated on $MoO_3$ graded ITO electrode without buffer layer successfully operated. Although OSCs fabricated on ITO anode without buffer layer showed a low power conversion efficiency of 1.249%, OSCs fabricated on $MoO_3$ graded ITO electrode without buffer layer showed a outstanding cell performance of 2.545%. OSCs fabricated on the $MoO_3$ graded ITO electrodes exhibited a fill factor of 61.275%, a short circuit current of 7.439 mA/cm2, an open circuit voltage of 0.554 V, and a power conversion efficiency of 2.545%. Therefore, $MoO_3$ graded ITO electrodes can be considered a promising transparent electrode for cost efficient and reliable OSCs because it could eliminate the use of acidic PEDOT:PSS buffer layer.
Kim, Jung-Hoi;Kim, Nam;Lee, Kwon-Yeon;Jeon, Seok-Hee;Ban, Jae-Kyung
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.02a
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pp.58-59
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2000
현재 고속 판독률(fast-readout-rate)과 고밀도(high-capacity) 디지털 데이터 정보저장을 위해 불륨 홀로그래피(volume holography) 기술에 많은 관심이 집중되고 있다. 이러한 특징들은 다중 데이터 페이지(mulitple data page)들을 중첩(superposition)시킴으로서 이루어지며, 각각의 페이지들은 100만 픽셀이상의 정보를 가지고 page/msec의 속도로 병렬 엑세스가 가능하다. 최근 연구논문에서는 10,000 페이지의 충첩 홀로그램,$^{[1]}$ 데이터 추출을 위한 디지털 처리기술의 사용,$^{[2]}$ 광학적인 데이터 접근$^{[3]}$ , 박막 매질을 이용한 높은 면적 밀도(10bits/$mu extrm{m}$$^2$)$^{[4]}$ 등이 구현되었다. 그러나 이들 실험들은 대량의 병렬 데이터 페이지들의 실질적인 광-전 변환(optical-electrical conversion)을 구현하지 못해 고밀도와 빠른 접근 속도를 동시에 만족시키지 못하고 있다. 이러한 원인중에 하나로 출력의 CCD 픽셀 격자위에 입력의 SLM픽셀 격자를 정확하게 결상시키는데 어려움이 있기 때문이다. (중략)
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.18
no.2
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pp.93-96
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2017
The structural, electrical and optical properties of Ti thin films fabricated by dual magnetron sputtering were investigated under various film thicknesses. The fabricated Ti thin films exhibited uniform surfaces, crystallinity, various grain sizes, and with various film thicknesses. Also, the crystallinity and grain size of the Ti thin films increased with the increase of film thickness. The electrical properties of Ti thin films improved with the increase of film thickness. The results showed that the performance of TCO-less DSSC critically depended on the film thickness of the Ti working electrodes, due to the conductivity of Ti thin film. However, the maximum conversion efficiency of TCO-less DSSC was exhibited at the condition of 100 nm thickness due to the surface scattering of photons caused by the variation of grain size.
Poly(1,4-phenylene(1-methoxyenthylene)), organic water soluble PPV precursor was synthesized for polymer electroluminescence(EL) device. To control the molecular array, deposition method of emitter was Langmuir-Blodgett(LB). PPV precursor layer was treated thermally to conversion of PPV. Optical, electrical and EL properties of PPV LB thin film was estimated. Homogeneous light emission of greenish-yellow in PPV LB thin film can be easily confirmed under normal lighting even at low driving voltage. Polymer EL device using PPV LB thin film as emitter materials had a possibility to apply to next generation display device.
Kim, Kwang-Ok;Lee, Jie-Hyun;Lee, Sang-Soo;Lee, Jong-Hyun;Jang, Youn-Seon
ETRI Journal
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v.34
no.3
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pp.352-360
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2012
This paper proposes a low-cost, low-power, and high-capacity optical-electrical-optical-type reach extender that can provide 3R frame regeneration and remote management to increase the reach and split ratio with no change to a legacy time division multiple access passive optical network. To provide remote management, the extender gathers information regarding optical transceivers and link status per port and then transmits to a service provider using a simple network management protocol agent. The extender can also apply to an Ethernet passive optical network (E-PON) or a gigabit-capable PON (G-PON) by remote control. In a G-PON, in particular, it can provide burst mode signal retiming and burst-to-continuous mode conversion at the upstream path through a G-PON transmission convergence frame adaptor. Our proposed reach extender is based on the quad-port architecture for cost-effective design and can accommodate both the physical reach of 60 km and the 512 split ratios in a G-PON and the physical reach of 80 km and the 256 split ratios in an E-PON.
As structural materials, magnesium (Mg) alloys have been widely used in the fields of aviation, automobiles, optical instruments, and electronic products. There are few studies on the effect of coating conditions on the compositional variation during the formation process of the conversion coatings. Rare-earth based conversion coating on AZ91 magnesium alloy was prepared in ceric sulfate and hydrogen peroxide contained solution. The element composition and valence as well as their distribution in the coating were analyzed with energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS), Electron probe micro-analyzer (EPMA), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The effect of treating process on the element composition were also studied. It was found that the conversion coating surface consists of Mg, Al, O, Ce, and the weight content of Ce in the coating was affected by the treating solution concentration and immersion time; the Ce element was distributed in the coating non-uniformly and existed in the form of $Ce^{+3}$ and $Ce^{+4}$, while the O element existed in the form of $OH^-$, $O^{2-}$, $H_2O$. Based on microscopic analysis results, the electrochemical deposition mechanism on the micro-anode and micro-cathode in the process of the coating growth was suggested.
Integrated optical waveguide polarization converters are among the essential components for constructing various functional optical integrated circuits. The RM materials have been widely used in liquid crystal displays for fabricating waveplates. In this work, the polarization converters are fabricated by using a solution of Reactive Mesogen(RM) dissolved in liquid crystal(LC). In the middle of the polymer waveguide, a groove is defined by an oxygen plasma etching in a direction perpendicular to the optical waveguide. The solution of RM-LC is inserted to fill up the groove, and then liquid crystal is aligned in a certain direction by applying an electric field. After the alignment, RM materal is crosslinked by UV light so as to form a permanent waveplate. The phase retardation of the waveplate is determined by the width of the groove, and by the birefringence and the degree of alignment of the LC. Polarization conversion efficiency of 90% is obtained for the wavelength of 1550 nm.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.268-268
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2010
The performance dependence of the P3HT:PCBM based bulk hetero-junction (BHJ) organic solar cells (OSCs) on the electrical and the optical properties of amorphous InZnSnO (a-IZTO) electrodes as a difference in film thicknesses are examined. With an increasing of the a-IZTO thickness, the series resistance ($R_{series}$) of the OSCs is reduced because of the reduction of sheet resistance ($R_{sheet}$) of a-IZTO electrodes. Additionally, It was found that the photocurrent density ($J_{sc}$) and the fill factor (FF) in OSCs are mainly affected by the electrical conductivity of the a-IZTO anode films rather than the optical transparency at thinner a-IZTO films. On the other hand, despite the much lower $R_{series}$ comes from thicker anode films, the dominant factor affecting the $J_{sc}$ became average optical transmittance of a-IZTO electrodes as well as power conversion efficiency (PCE) in same device configuration due to the thick anode films had as sufficiently low $R_{sheet}$ to extract the hole carrier from the active material.
Colloidal semiconductor quantum dots (QDs), because of the novel optical and electrical properties that stem from their three-dimensional confinement, have attracted great interest for their potential applications in such fields as bio-imaging, display, and opto-electronics. However, many semiconductors that can be exploited for QD applications contain toxic elements. Herein, we synthesized non-toxic ZnTe/ZnSe (core/shell) type-II QDs by pyrolysis method. Because of the unique type-II character of these QDs, their emission can range over an extended wavelength regime, showing photoluminescence (PL) from 450 nm to 580 nm. By optimizing the ZnSe shell growth condition, resulting ZnTe/ZnSe type-II QDs shows PL quantum yield up to ~ 25% with 35 nm PL bandwidth. Using a simple two step cation exchange reaction, we also fabricated ZnTe/ZnSe type-II QDs with absorption extended over the whole visible region. The visible-light sensitized heavy metal free ZnTe/ZnSe type-II QDs can be relevant for opto-electronic applications such as displays, light emitting diodes, and bio-imaging probes.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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