Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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v.26
no.6
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pp.390-402
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2006
The elastic properties and thickness of mullite environmental barrier coatings grown through chemical vapor deposition (CVD) on silicon carbide substrates were measured using frequency domain photoacoustic microscopy. In this technique, extremely narrow bandwidth surface acoustic waves are generated with an amplitude modulated laser source. A photorefractive crystal based interferometer is used to detect the resulting surface displacement. The complex displacement field is mapped as a function of source-to-receiver distance in order to extract the wavelength of the surface acoustic wave at a given excitation frequency, and the phase velocity is determined. The coatings tested exhibited spatial variations in thickness and mechanical properties. The measured surface wave dispersion curves were used to extract an effective value for the elastic modulus and the coating thickness. Nanoindentation was used to validate the measurements of the effective elastic modulus. The average elastic modulus measured through the coating thickness using nanoindentation is compared to the effective modulus found using the photoacoustic system. Optical microscopy is used to validate the thickness measurements. The results indicate that the photoacoustic microscopy technique can be used to estimate the effective elastic properties in coatings exhibiting spatial inhomogeneities, potentially providing valuable feedback for the optimization of the CVD growth process.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.26
no.5
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pp.72-78
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2009
We propose the separation algorithm to simultaneously measure two-dimensional refractive index distribution and thickness profile of transparent samples using three wavelengths. The optical system was based on the Mach-zehnder interferometer with LD (Laser Diode)-based multi-wavelength sources. A LCR (Liquid Crystal Retarder) was used to obtain interference images at four phase states and then the optical phase of the object is calculated by four-bucket algorithm. Experimental results with a glass rod are provided at the different wavelengths of 635nm, 660nm and 675nm. The refractive indices of the sample are distributed with accuracy of less than 0.0005 and the thickness profile of sample was cylindrical type. This result demonstrates that it is possible to separate refractive index distribution and thickness profile of samples in two dimensions using the proposed algorithm.
Plasma display Panels(PDPs) are one of the leading technologies currently under development for large-area high-brightness flat panel displays. However, the luminance and luminous efficiency of at PDPs should be improved. Especially, one of the main factors affecting on the luminance and luminous efficiency of ac PDP may be the phosphor thickness and size of discharge space. In this study, we examined into addressing time, electrical and optical properties as a parameter of the phosphor thickness and the size of discharge space during the display period of ac PDP. It is found out that the optimum phosphor thickness was $50{\mu}m$ and height of discharge space was about $100{\mu}m$.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.40
no.8
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pp.572-579
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2003
By comparing the measured optical reflection spectra with calculated one by the transfer-matrix method (TMM) in epitaxial wafers for vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs), we have estimated the systematic thickness errors in a simple and nondestructive way. The experimentally confirmed technique is based on the finding that the shape of the reflection spectra depends mainly on a newly defined single parameter, the effective error in the n-mirror layers, and the thickness error in the active cavity simply shifts the Fabry-Perot resonance wavelength. Also shown is that the proposed method is reliable when the relative standard deviation of the random thickness errors is less than 0.005. Because reflection spectra are routinely measured, we can easily estimate the thickness errors nondestructively with high spatial resolution.
Nam Sang Yep;Ohm Woo Young;Lee Won Seok;Yi Sang Yeou1
Proceedings of the IEEK Conference
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2004.08c
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pp.717-722
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2004
A design was done, and all characteristic of photodetectr of the web pattern type which a standard process of the Bipolar which Si PIN structure was used in this paper, and was used for the current amplifier design was used, and high-speed, was used as receiving optcal area of high altitude, and the module which had a low dark current characteristic was implemented with one chip with a base. Important area decreases an area of Ie at the time of this in order to consider an electrical characteristic and economy than the existing receiving IC, and performance of a product and confidence are got done in incense. First of all, the receiving IC which a spec, pattern of a wafer to he satisfied with the following electrical optical characteristic that produced receiving IC of 5V and structure are determined, and did one-chip is made. On the other hand, the time when AR layer of double is $Si_{3}N_{4}/SiO_{2}=1500/1800$ has an optical reflectivity of less than $10{\%}$ on an incidence optical wavelength of 660 ,and, in case of photo detector which reverse voltage made with 1.8V runs in 1.65V, an error about a change of thickness is very the thickness that can be improved surely. And, as for the optical current characteristic, about 5 times increases had the optical current with 274nA in 55nA when Pc was -27dBm. A BJT process is used, and receiving IC running electricity suitable for low voltage and an optical characteristic in minimum 1.8V with a base with two phases is made with one chip. IC of low voltage operates in 1.8V and 3.0V at the same time, and optical link receiving IC is going to be implemented
The effect of diffusing substrate and pillow lenses on the outcoupling efficiency of organic light-emitting diodes (OLEDs) was studied by optical simulation based on the point-dipole model. The diffusing substrate included Mie scatterers by which the condition of total internal reflection could be broken. The finite-difference time-domain method was used to obtain the intensity distribution on the transparent electrode of an OLED, which was used as a light source to carry out a ray-tracing simulation of the OLED and the diffusing substrate. It was found that the outcoupling efficiency of the OLED was sensitive to the thickness of organic layers and could be increased by 21.0% by adopting a diffusing substrate in which Mie scatterers whose radius was $2.0{\mu}m$ were included at the density of $10^7mm^{-3}$ and by 65.5% by forming one pillow lens with the radius of 2 mm on the front surface of the glass substrate. This study revealed that the outcoupling efficiency could be improved by adopting diffusing substrate and pillow lenses along with the optimization of the thickness of each layer in the OLED.
Optical properties of aerosols associated with haze events over Seoul were examined using ground-based skyradiometer and satellite-borne CALIOP and MODIS measurements over the 2009~2010 period. It is shown that aerosol optical thickness (AOT), ${\AA}ngstr{\ddot{o}}m$ exponents (${\alpha}$), and fine-mode particles increase during the haze events. The CALIOP-measured vertical profiles of aerosol during the haze events revealed that most of aerosols are loaded within layers below 4 km altitude. A large portion of these events appear to be related to the long-range transport of aerosols from China; about 35% and 18% of the haze events observed over Seoul were traced back to northern China and southern China, respectively. Compared with optical properties for locally-induced haze events (25%), these long-range transported aerosols are found to have relatively higher AOTs.
We have studied the effective optical absorption power of Si solar cell with $SiO_2$-antireflection layer based on a mathematical modelling of AM(air mass)1 spectrum and Si refractive index in the wavelength range(0.4 $\mu\textrm{m}\leq$λ$\leq$$0.97\mu\textrm{m}$). The effective optical absorption power obtained from the theoretical calculation was 450 and 520 W/$\m^2$ for the Si solar cells with $SiO_2$-antireflection layer of 500$\AA$ and 1000$\AA$, respectively. The optimum thickness of $SiO_2$-antireflection layer showing the minimum reflection loss was about 1000$\AA$ in the computer simulation. Two kinds of Si solar cells named EBS(500$\AA$) and EBS(l000$\AA$) were fabricated to evaluate the effect of $SiO_2$-antireflection layer thickness on the optical absorption. The epitaxial base Si cell with $SiO_2$-antireflection layer of 1000$\AA$ [EBS(l000$\AA$)] showed the output power improvement of about 15% upon the EBS(500$\AA$) cell due to larger absorption of effective optical power under illumination of AM1, 1 sun.
As the demand for large flexible displays such as tablet computers continues to rise, there is an increasing need for cost-efficient colorless and optically transparent polyimide film that can meet the desired performance, particularly optical transmittance. In this study, we investigated a detailed procedure for achieving optimal optical transmittance using two different combinations of monomers: 6FDA+BAPB and 6FDA+BPA+TFDB. We employed a design of experiment method to systematically synthesize polymers, allowing for the optimization of optical transmittance. In addition, we were able to achieve uniform thickness in the films by using a doctor blade. By comparing the price and optical transmittance of four different monomer combinations, we obtained fundamental data on the production of polyimide films that can be customized to meet the specific price and performance requirements of manufacturers. This approach enables users to select the most suitable polyimide film based on their desired price and performance parameters while achieving optimal optical transmittance.
Kim, B.S.;Kim, E.K.;Kang, H.I.;Lee, K.I.;Lee, T.Y.;Song, J.T.
Journal of the Korean Vacuum Society
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v.16
no.2
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pp.105-109
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2007
In this paper, we fabricated TCO (transparent conductive oxide) electrode on flexible substrate in order to study effects of electrical and optical properties according to Al-doped ZnO(AZO) film thickness. The thickness of film was from 100 nm to 500 nm and was controlled by changing deposition time. We used High Resolution X-ray Diffractometer (HR-XRD) to analyze crystal structure and UV-visible spectrophotometer to measure property of optical transmittance, respectively. The surface images are obtained by using ESEM (Environment Scanning Electron Microscopy). In this experiment, all the AZO films deposited on flexible substrate show high transmittance over 90% and especially in the films with 400 nm and 500 nm thickness, the resistivity ($4.5{\times}10^{-3}\;{\Omega}-cm$) and optical bandgap energy (3.61 eV) are superior to the other films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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