• 제목/요약/키워드: Optical Metrology

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펨토초 레이저 주입잠금법을 이용한 광주파수 빗의 모드 선택과 증폭 (Mode Selection and Amplification of an Optical Frequency Comb Using Femto-Second Laser Injection-locking Technique)

  • 문한섭;김억봉;박상언;박창용
    • 한국광학회지
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    • 제17권3호
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    • pp.268-272
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    • 2006
  • 펨토초 레이저 주입잠금법을 이용하여 펨토초 광주파수 벗에서 특정한 주파수 모드를 선택하고 증폭시켰다. 실험에서는 모드 잠금된 Ti:sapphire레이저를 지배 레이저로 그리고 단일모드로 발진하는 반도체 레이저를 종속 레이저로 사용하였다. 모드 잠금된 Ti:sapphire레이저를 중심파장 794.7 nm, 밴드 폭 1.5 nm의 간섭필터를 통과한 후 반도체 레이저에 주입잠금시켰다. 주입잠금된 반도체 레이저가 모드 잠금된Ti:sapphire레이저의 펄스 반복율과 일치하는 100.5 MHz간격의 모드 $3{\sim}4$개가 동시에 발진되는 것 확인할 수 있었다. 펨토초 레이저 주입잠금법에 의해서 선택된 모드의 출력을 수천 배 증폭시킬 수 있었다.

RF 소자의 표면탄성파 공진에 대한 광학적 측정 (Optical metrology for resonant surface acoustic wave in RF device)

  • 박준오;장원권
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제11권9호
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    • pp.3435-3440
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    • 2010
  • 표면탄성파를 이용한 RF소자의 성능을 단순히 작동 유무로만 평가할 수 있는 전기적인 성능 평가방법과 달리 위치에 따른 표면탄성파의 형성 정도를 실시간으로 검사할 수 있는 광학적 방법을 제시하였다. 광학적 방법을 이용한 표면 탄성파의 측정 조건과 한계를 제시하였고 간섭 및 회절 현상을 이용하여 RF신호의 입력 유무에 따른 광학적 해석을 하였다. 단일 모드 레이저를 이용하여 중심 주파수가 105MHz인 중계기 필터의 동작을 실험적으로 측정하고 이론적으로 분석하였다. 본 논문에서는 다기능 서비스를 제공하는 복합 주파수 RF 모듈의 고품질화를 위한 방법으로 표면탄성파의 에너지 분포를 시각화하고 실시간으로 평가할 수 있는 광학적 방법을 제시하였다.

플라즈마 정보인자 기반 가상계측을 통한 Si 식각률의 첫 장 효과 분석 (Analysis of First Wafer Effect for Si Etch Rate with Plasma Information Based Virtual Metrology)

  • 유상원;권지원
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제20권4호
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    • pp.146-150
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    • 2021
  • Plasma information based virtual metrology (PI-VM) that predicts wafer-to-wafer etch rate variation after wet cleaning of plasma facing parts was developed. As input parameters, plasma information (PI) variables such as electron temperature, fluorine density and hydrogen density were extracted from optical emission spectroscopy (OES) data for etch plasma. The PI-VM model was trained by stepwise variable selection method and multi-linear regression method. The expected etch rate by PI-VM showed high correlation coefficient with measured etch rate from SEM image analysis. The PI-VM model revealed that the root cause of etch rate variation after the wet cleaning was desorption of hydrogen from the cleaned parts as hydrogen combined with fluorine and decreased etchant density and etch rate.

Fabrication of High-purity Rb Vapor Cell for Electric Field Sensing

  • Jae-Keun Yoo;Deok-Young Lee;Sin Hyuk Yim;Hyun-Gue Hong;Sun Do Lim;Seung Kwan Kim;Young-Pyo Hong;No-Weon Kang;In-Ho Bae
    • Current Optics and Photonics
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    • 제7권2호
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    • pp.207-212
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    • 2023
  • In this paper, we introduce our system for manufacturing a Rb vapor cell and describe its fabrication process in a sequence of removing impurities, cold trapping, and sealing off. Saturated absorption spectroscopy was performed to verify the quality of our cell by comparing it to that of a commercial one. By using the lab-fabricated Rb vapor cell, we observed electromagnetically induced transparency in a ladder-type system corresponding to the 5S1/2-5P3/2-28D5/2 transition of the 85Rb atom. A highly excited Rydberg atomic system was prepared using two counter-propagating external cavity diode lasers with wavelengths of 780 nm and 480 nm. We also observed the Autler-Townes splitting signal while a radio-frequency source around 100 GHz incidents into the Rydberg atomic medium.

Measurement Resolution of Edge Position in Digital Optical Imaging

  • Lee, Sang-Yoon;Kim, Seung-Woo
    • International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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    • 제1권1호
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    • pp.49-55
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    • 2000
  • The semiconductor industry relies on digital optical imaging for the overlay metrology of integrated circuit patterns. One critical performance demand in the particular application of digital imaging is placed on the edge resolution that is defined as the smallest detectable displacement of an edge from its image acquired in digital from. As the critical feature size of integrated circuit patterns reaches below 0.35 micrometers, the edge resolution is required to be less than 0.01 micrometers. This requirement is so stringent that fundamental behaviors of digital optical imaging need to be explored especially for the precision coordinate metrology. Our investigation reveals that the edge resolution shows quasi-random characteristics, not being simply deduced from relevant opto-electronic system parameters. Hence, a stochastic upper bound analysis is made to come up with the worst edge resolution that can statistically well predict actual indeterminate edge resolutions obtained with high magnification microscope objectives.

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