In this paper, a method to implement new Quasi-SOI LDMOSFET is introduced and the electrical characteristics of the device are studied. Key process steps of the device are explained briefly. By performing process and device simulations, electrical characteristics of the device are investigated, with emphasis on the optimization of the tilt angle of p$\^$0/ channel region. The electrical properties of the Quasi-SOI device are compared with those of bulk and SOI devices with the same process parameters. Simulated device characteristics are threshold voltage, off-state leakage current, subthreshold swing, DIBL, output resistance, lattice temperature, I$\_$D/-V$\_$Ds/, and cut-off frequency.
In short channel MOSFET, it is very important to establish optimal process conditions because of variation of device characteristics due to the process parameters. In this paper, we used process simulator and device characteristics caused by process parameter variation. From this simulation, it has been ' derived to the dependence relations between process parameters and device characteristics. The experimental result of fabricated short channel device according to the optimal process parameters demonstrate good device characteristics.
Purpose - As Korea is reaching a post-aged society, the number of chronic illness is increasing, and the demand for rehabilitation medical device is growing. Although there is high potential for the growth in rehabilitation industry, because most of the related companies in Korea are relatively small, lacking capital or R&D resource, it is difficult for them to create an innovative product, and currently most of the high-tech equipments are imported. Therefore a medical device cluster, where business, research, medical institutes and universities may work cooperatively to enhance research development and solve issues is necessary for future development. Research design, data, methodology - In this method we have done a literature review of the rehabilitation industry and industrial cluster. Based on the studies, we have conducted an exploratory factor analysis by studying examples of foreign and domestic medical clusters and drawing success factors in forming a medical cluster. Next based on the studies we have conducted a survey to domestic medical device companies to find their difficulties and needs to form a successful medical device cluster. Results - This paper provides both theoretic review on success factors of forming a medical device cluster and practical analysis using case study and survey. Conclusion - The significance of this paper is that based on the literature review, we have compared actual examples of domestic/foreign medical clusters and drawn difference and coincidence between literature and actual cluster success factor. We were also able to conduct a survey on actual medical device companies and through the results we were able to search difficulties and necessities of medical device companies.
With the international change in the medical device market owing to the development of innovative medical engineering and the use of various raw materials, a systematic and rational medical device classification system is needed to safely manage newly developed medical devices. This study aims to improve the domestic medical device classification system by proposing product establishment and segmentation. It is based on medical device products from the United States and Europe that are only available in foreign systems and are more subdivided than domestic products. This study analyzes and compares the domestic and foreign medical device classification systems by examining laws, guidelines, and analysis reports in Korea, the United States, and Europe. In accordance with product establishment and segmentation criteria, products subject to improvement are presented. This study contributes to safely managing medical devices that do not fit with the current classification system and to solving the confusion caused by the lack of international harmony in product classification systems.
한국의 의료기기 산업은 1995년부터 시작된 G7 의료공학기술개발사업으로 본격적인 성장과 발전의 기틀을 마련하였으며 2020년 한국 의료기기 생산실적은 2001년에 비하여 8.52배, 수출 실적은 13.94배 성장하였다. 의료기기 국산화 개발 초기에 초음파 의료기기 등 전자 의료기기의 개발이 활발하였던 것과 비교하여 2020년에는 체외진단시약과 치과용 임플랜트의 생산 및 수출 실적이 상위권을 차지하고 있다. 그러나 한국 의료기기 시장에서 수입 의료기기가 차지하는 비중은 60-70%에서 큰 변화가 없는데 이는 한국의 의료기기 산업이 중저가 의료기기를 생산 수출하고, 기술집약적이고 자본집약적인 고가 의료기기는 주로 수입에 의존하고 있기 때문이다. 본 논문에서는 한국과 세계시장의 주요 의료기기 회사들의 생산 품목을 비교하여 한국 의료기기 산업의 세계 시장 진출에 대한 전략을 제시하고자 한다.
Application of newly conceptualized Anti-Splash Devices designed for COT vent pipes were studied on a P/V valve located on the upper deck of an oil carrier vessel. Anti-Splash devices are used in the shipbuilding industry in order to avoid oil overflow and spray accidents caused by excess pressure and vacuum condition in the cargo oil tanks. These conditions are caused by the transverse and longitudinal sloshing forces that arise from ship motion during sea voyages. The main issue with existing Anti-Splash device model is flux at the outlet of the Anti-Splash Device, and so, new conceptual models for the Anti-Splash device were developed and compared to existing Anti-Splash device model using CFD analysis. Transient analysis was used to capture the flow and velocity of each model and a comparative analysis was performed between old and new-concept models. This data was used to determine the optimal design parameters in order to develop an optimized Anti-Splash Device. A Factory acceptance test was performed on the new-concept models in order to verify the performance and efficiency against their design requirements and other criterion. The final step performed was to apply the optimized Anti-Splash Device models for COT vent pipes to an actual vessel and verify performance through a seawater cargo operation during a sea voyage as per the ship owner's request. The patent for the aforementioned device was obtained by the Korean Intellectual property Office dated Dec. 18th,2014.
본 논문에서는 지능형 엣지 컴퓨팅을 지원할 수 있는 경량 임베디드 기기를 설계하고, 영상 기기로부터 입력되는 이미지에서 객체를 실시간으로 빠르게 검출할 수 있음을 보인다. 제안하는 시스템은 산업 현장이나 군 지역과 같이 사전에 설치된 인프라가 없는 환경에 적용되는 지능형 영상 관제 시스템이나 드론과 같은 자율이동체에 탑재된 영상 보안 시스템에 적용될 수 있다. 지능형 비전 인지 시스템이 확산 적용되기 위해 온디바이스 AI(On-Device Artificial intelligence) 기술 적용 필요성이 증대되고 있다. 영상 데이터 취득 장치에서 가까운 엣지 기기로의 컴퓨팅 오프 로딩은 클라우드를 중심으로 수행되는 인공지능 서비스 대비 적은 네트워크 및 시스템 자원으로도 빠른 서비스 제공이 가능하다. 또한, 다양한 해킹 공격에 취약한 공격 표면의 감소와 민감한 데이터의 유출을 최소화 할 수 있어 다양한 산업에 안전하게 적용될 수 있을것으로 기대된다.
유비쿼터스 환경은 보이지 않는 수많은 장치들과 소프트웨어들이 서로 연결되어 각각의 사용자들에게 편리한 서비스를 제공한다. 이러한 환경에서 사용자는 자신이 소유한 개인용 모바일 단말 만을 이용하여 다양한 맞춤형 서비스를 얻기를 원한다. 그러나 개인용 단말이 소형화되면서 제한된 장치를 갖는 것이 현실이다. 그러므로 이러한 장치의 제한성을 해결하기 위한 방법으로 장치 공유와 이를 효과적으로 처리하는 것은 새로운 연구 주제들 가운데 하나이다. 본 논문에서는 장치 공유 환경에서 사용자가 요청한 서비스를 구성하기 위한 장치들을 주변에서 찾고 사용자에게 추천하기 위한 장치 추천 시스템을 제안한다. 장치 추천 시스템은 주변 환경 상황을 고려하여 사용자가 요청한 서비스에 따른 장치를 추론한다. 그러나 사용자가 동일한 공간에서 동일한 서비스를 요청한다 할지라도 각 사용자를 위한 맞춤형 장치라고 볼 수는 없다. 그러므로 논문에서는 사용자의 선호도를 기반으로 장치를 추천한다. 논문에서 제안하고 있는 장치 추천 시스템은 실제 유비쿼터스 환경의 모바일 단말에서 구현하고 테스트하였으므로 실제 환경에서 충분히 사용가능함을 보인다.
Proton irradiation technology was used for improvement of switching characteristics of the PT-IGBT. Proton irradiation was carried out at 5.56 MeV energy with $1{\times}10^{12}/cm^2$ doze from the back side of the wafer. The I-V, breakdown voltage, and turn-off delay time of the device were analyzed and compared with those of un-irradiated device and e-beam irradiated device which was conventional method for minority carrier lifetime reduction. For proton irradiated device, the breakdown voltage and the on-state voltage were 733 V and 1.85 V which were originally 749 V and 1.25 V, respectively. The turn-off time has been reduced to 170 ns, which was originally $6{\mu}s$ for the un-irradiated device. The proton irradiated device was superior to e-beam irradiated device for the breakdown voltage and the on-state voltage which were 698 V and 1.95 V, respectively, nevertheless turn-off time of proton irradiated device was reduced to about 60 % compared to that of the e-beam irradiated device.
We studied a bilateral switching device for spin transfer torque (STT-MRAM) based on 3D device simulation. Metal/P/N+or Metal/N/P+ junction device with $30{\times}30nm2$ area which is composed of one side schottky junction at Metal/P/N+ and Metal/N/P+ provides sufficient bidirectional current flow to write data by a drain induced barrier lowering (DIBL). In this work, Junction device confirmed that write current is more than 30 uA at 2 V, It is also has high on-off ratio over 105 under read operation. Junction device has good process feasibility because metal material of junction device could have been replaced by bottom layer of MTJ. Therefore, additional process to fabricate two outer terminals is not need. so, it provides simple fabrication procedures. it is expected that Metal/P/N+ or Metal/N/P+ structure with one side schottky junction will be a promising switch device for beyond 30 nm STT-MRAM.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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