• 한국윤활학회:학술대회논문집
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• 한국윤활학회 2000년도 제32회 추계학술대회 정기총회
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• pp.341-346
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• 2000

The effect of OTS(octadecyltrichlorosilane) SAM(self-assembled monolayer) on the micro-adhesion has been studied. OTS SAM was formed on the Si(100) surface and SPM (scanning probe microscope) tips with different radius of curvature were fabricated by a series of masking and etching processes. Pull-off forces of different tips on Si and OTS SAM surfaces were measured by SPM in different relative humidities. The surface of OTS SAM was changed to hydrophobic surface and the micro-adhesion force of OTS SAM was lower than that of pure Si. As the tip radius of curvature and the relative humidity increased. the micro-adhesion force increased. Based on the test results. the main parameter affected to the micro-adhesion was absorbed humidity on the surface.

• Tribology and Lubricants
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• 제17권4호
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• pp.276-282
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• 2001

Nano adhesion between SPM (scanning probe microscope) tips and 075 (octadecyltrichlorosilane) SAM (self-assembled monolayer) was experimentally studied. Tests were performed to measure the nano adhesion and friction in both AFM(atomic force microscope) and LFM(lateral force microscope) modes in various conditions of relative humidity. OTS SAM was formed on Si-wafer (100) surfaces, and Si$_3$N$_4$ tips of different radius of curvature were used. When the surface was hydrophobic, the adhesion and friction forces were found lower than those of bare Si-wafer. Results also showed that micro-adhesion force increased as the relative humidity and the tip radius of curvature increased. The main parameter for affecting the micro-adhesion was found absorbed humidity on the contact surface. These results were discussed with the JKR model and a capillary force caused by absorbed water.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1636-1638
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• 2007

We report on low-voltage pentacene TFTs with a Al2O3/OTS as a gate dielectric. Improving device characteristics, we performed chemical modification of self-grown Al2O3 surface with an octadecyltrichlorosilane(OTS) self-assembled monolayer(SAM). As the result of this combination, the mobility was improved from 0.3 to $0.45\;cm^2/Vs$. In addition, we examined that the SAM dipole electric field have an influence on gate leakage current, transfer and output characteristics.

• 한국진공학회지
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• 제17권5호
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• pp.394-399
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• 2008

산화규소막에 Octadecyltrichlorosilane (OTS)로 자기조립층을 형성하기 전후에 펜타신을 흡착하여 광전자분광기술 및 광전현미경을 이용하여 전자구조 및 분자성장을 비교 관찰하였다. OTS처리한 경우 펜타신과 기판사이의 상호작용이 비교적 약하여 펜타신의 표면 확산이 활발하고 펜타신끼리 서로 뭉쳐서 성장함으로써, 시료와 펜타신의 에너지준위 정렬을 나타내는 HOMO 오프셋 값이 계속적으로 변하는 결과를 가져온다. 이에 반해 산화규소막 위에서는 펜타신이 기판과 비교적 강하게 결합하여 초기부터 에너지준위 정렬값에 크게 기여를 하고 두께가 증가해도 그 변화는 미미하다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제5권1호
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• pp.21-25
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• 2006

To improve the performance of organic thin film transistor, we investigated the properties of gate insulator's surface according to the leakage current by I-V measurement. The surface was treated by the dilute n-octadecyltrichlorosilane solution. The alkyl group of n-octadecyltrichlorosilane induced the electron tunneling and the electron tunneling current caused the breakdown at high electric field, consequently shifting the breakdown voltage. The 0.5% sample with an electron-rich group was found to have a large leakage current and a low barrier height because of the effect of an energy barrier lowered by, thermionic current, which is called the Schottky contact. The surface properties of the insulator were analyzed by I-V measurement using the effect of Poole-Frankel emission.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.645-647
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• 2009

We investigated vertical liquid crystal (LC) alignment effects of a self-assembled-monolayer (SAM) prepared on an anisotropic $SiO_2$ surface where the field-induced LC reorientation produced a uniform single domain texture. We compared the results with the homeotropic-to-random planar reorientation results shown in LCs aligned on a SAM surface prepared on an isotropic $SiO_2$ surface.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.193.2-193.2
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• 2015

최근 3차원 반도체의 물질적인 한계를 극복하기 위해 2차원 전이금속 칼코게나이드(TMD)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만 TMD 물질의 도핑 방법에 대한 수많은 연구에도 불구하고 대부분이 n채널 물질인 MoS2에 대한 것에 국한되어 있다. 게다가 이전의 TMD 도핑 기술 연구 결과는 채널이 도체화 될 정도의 매우 높은 농도의 도핑 현상만을 보여주었다. 이 연구에서 우리는 WSe2로 만든 p형 채널 트랜지스터에서 Octaecyltrichlorosilane(OTS)층의 농도 조절로 제어가 가능한 약한 농도의 p형 도핑기술을 보여준다. 이 p형 도핑 현상은 OTS의 메틸기(-CH3)그룹에 의한 양성 쌍극자모멘트가 WSe2내의 전자 농도를 낮추는데서 기인한다. 제어가 가능한 p형 도핑은 $2.1{\times}10^{11}cm^{-2}$ 사이에서 $5.2{\times}10^{11}cm^{-2}$로 degenerate되지 않은 정도로 WSe2 기반의 광, 전기적인 소자에서 적절한 농도로 최적화 될 수 있다. (도핑 정도에 따른 문턱전압 상승, 전류 on/off율 상승, 전계효과 이동도 상승, 광응답성 하락, 광검출성 하락) 또한 OTS에서 비롯한 p도핑 효과는 대기중에서 오랜시간이 지나도 작은 성능 변화만을 보여주며(60시간 후 18~34% 문턱전압 감소변화량) $120^{\circ}C$의 열처리를 통하여 저하된 성능이 거의 완벽하게 회복된다. 이 연구는 Raman 분광법과 전기적, 광학적 측정을 통하여 분석되었으며 OTS 도핑현상이 WSe2 박막의 두께와 무관함 또한 확인했다.

• 폴리머
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• 제27권6호
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• pp.555-561
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• 2003

미세전자기계 시스템에 사용되는 실리콘 기판의 표면 특성 조절을 위하여 옥타데실트리클로로실란 (OTS)을 실리콘에 자기조립 단분자층 (SAMs)으로 형성시켜, 코팅 조건 및 코팅 용액 조성에 따른 표면특성 변화를 살펴보았다. OTS와의 솔-젤 반응을 위하여 실리콘 표면을 sulfuric peroxide mixture (SPM) 용액으로 처리한 결과, 실리콘 표면에 -OH기가 형성되어 친수성이 증가됨을 알 수 있었으며 상온에서 황산의 비가 85%인 SPM 용액에서 솔-젤 반응을 위한 최적의 산화막이 형성됨을 알 수 있었다. SPM 처리에 의하여 발현된 실리콘 표면의 -OH기는 솔-젤 반응에 의하여 OTS의 -CI와 반응하여 Si-O 화학결합을 형성하며 이에 따라 표면은 소수성으로 변화됨을 확인할 수 있었다 이 때 코팅 온도 및 시간 그리고 용액의 조성은 솔-젤 반응에 영향을 미쳐 SAMs표면의 소수성을 조절하는 인자로 작용하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2005년도 제29회 학술발표회 초록집
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• pp.85-85
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• 2005

• 한국재료학회지
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• 제34권3호
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• pp.163-169
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• 2024

As the limitations of Moore's Law become evident, there has been growing interest in advanced packaging technologies. Among various 3D packaging techniques, Cu-SiO₂ hybrid bonding has gained attention in heterogeneous devices. However, certain issues, such as its high-temperature processing conditions and copper oxidation, can affect electrical properties and mechanical reliability. Therefore, we studied depositing only a heterometal on top of the Cu in Cu-SiO₂ composite substrates to prevent copper surface oxidation and to lower bonding process temperature. The heterometal needs to be deposited as an ultra-thin layer of less than 10 nm, for copper diffusion. We established the process conditions for depositing a Co film using a Co(EtCp)₂ precursor and utilizing plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD), which allows for precise atomic level thickness control. In addition, we attempted to use a growth inhibitor by growing a self-assembled monolayer (SAM) material, octadecyltrichlorosilane (ODTS), on a SiO₂ substrate to selectively suppress the growth of Co film. We compared the growth behavior of the Co film under various PEALD process conditions and examined their selectivity based on the ODTS growth time.