• Journal of Information Display
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• v.8 no.2
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• pp.20-24
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• 2007

Efficient white organic light-emitting diodes are fabricated with the blue and red electroluminescent (EL) units electrically connected in a stacked tandem structure by using a transparent doped organic p/n junction. The blue and red EL units consist of the light-emitting layer of 1,4-bis(2,2-diphenyl vinyl)benzene (DPVBi) and 4-dicyanomethylene-2-methyl-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[i,j] quinolizin-8-yl)vinyl]-4H-pyran) (DCM2) doped tris(8-hydroxyquinoline) aluminum $(Alq_3)$, respectively. The organic p-n junction consists of ${\alpha}-NPD$ doped with $FeCl_3$ (15 % by weight ratio) and $Alq_3$ doped with Li (10 %). The EL spectra exhibit two peaks at 448 and 606 nm, resulting in white light-emission with the Commission Internationale d'Eclairage (CIE) chromaticity coordinates of (0.36, 0.24). The tandem device shows the quantum efficiency of about 2.2 % at a luminance of 100 $cd/m^2$, higher than individual blue and red EL devices.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.43 no.6 s.348
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• pp.1-8
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• 2006

In this paper, we designed a pixel circuit for AMOLED display based on organic thin film transistors and analyzed the operation with SPICE simulation. First, we theoretically designed the pixel circuit with the result of layout for fabricating $32\times32$ AMOLED panel, TFT W/L and capacitance of storage capacitor. And we simulated the designed pixel circuit using HSPICE for analyzing electrical performance. As a result of simulation, we identified the possibility of AMOLED display based on OTFTs.

• Journal of Information Display
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• v.7 no.3
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• pp.19-22
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• 2006

White polymeric light-emitting devices (WPLEDs) have been fabricated from polyfluorene-based (PFO) blue and MEH-PPV polymer blending systems. A device structure of ITO / PEDOT:PSS / Blending polymer / Blue polymer / LiF / Al was employed. This structure of double emission layers showed significant improvement of white color shift phenomenon. A current efficiency of 4.67 cd/A (3,900 $cd/m^{2}$, 6.4 V) and a brightness value of 17,600 $cd/m^{2}$ at 9.4 V with (0.34, 0.35) CIE coordinates at 5 V and (0.29, 0.29) at 9 V were achieved achieved.

• Journal of Information Display
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• v.12 no.1
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• pp.51-55
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• 2011

Efficient two-color-mixed white organic light-emitting diodes are presented herein by employing a sky-blue phosphorescent dopant of iridium(III)bis[4,6-(difluorophenyl)-pyridinato-N,$C^{2'}$]picolinate (FIrpic) and an orange phosphorescent dopant of bis(2-phenylquinoline)(acetylacetonate)iridium(III) ($Ir(phq)_2$acac) on the emissive layer. Very stable color variation under ${\Delta}$0.02 until a 5000 cd/$m^2$ brightness value was realized by efficient carrier control in a multi-stacked emitting layer of blue/red/blue colors. Maximum current and power efficiencies of 23.8 cd/A and 22.9 lm/W in the forward direction were obtained. With balanced emission from the two emitters, the white-light emission of high correlated color temperature of 7308K and the Commission Internationale de I'Eclairage coordinates of (0.30, 0.33) were achieved.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.19 no.6
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• pp.563-567
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• 2006

Indium tin oxide (ITO) used as an electrode in organic light emitting diodes (OLEDs) and organic thin film transistors (OTFTs) was modified by a self-assembled monolayer (SAM). For device fabrication, surface of the ITO was modified by immersion in a solution including various phosphonic acid at room temperature in order to increase work function of an electrode. The work function of ITO with SAM was measured by Kelvin probe. Work function increase of 0.88 eV was observed in ITO with various SAM. Therefore, ohmic contact is achieved in an interface between ITO and organic semiconductors (pentacene). We analyzed the origin of work function increase of ITO with SAM by X-ray photoelectron spectroscopy. We confirmed that increase of oxygen bonding energy attributed to increase the work function of ITO. These results suggested that ITO with the SAM gives a high possibility for high performance of OLEDS and OTFTs.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.109.1-109.1
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• 2016

진공산업 분야에서 OLED 디스플레이가 큰 시장으로 성장하며 크라이오 펌프가운데서 특별히 수분만 집중적으로 배기할 수 있는 워터펌프(CWP or cold trap)가 각광받고 있다. 이에 현민지브이티(Genesis)는 중소기업청 중소기업개발지원사업의 일환으로 진행된 2014년도 구매조건부 신제품 개발사업에 선정되어 '극저온 G-M냉동기를 이용한 대용량 Cold Trap개발'과제를 수행하면서 32인치 급으로 수분에 대해서 30,000[L/s] 이상의 배기속도를 가지는 대형 CWP를 개발하고 있다. 그 일환으로 본 CWP에 장착할 80K에서 200W급 단단 G-M 냉동기를 2015년 국내 최초로 개발하였다. 본 HPS80200(200W @80K) 단단 G-M냉동기에 대한 성능시험을 수행하던 중 기존 평가방식에 보완할 부분이 있음을 확인하였다. 통상적으로 G-M냉동기의 냉동능력은 저온 스테이지 상단에 온도센서와 히터가 설치된 히터 블럭을 장착한 후 일정한 열부하를 인가하면서 77K 또는 80K에서의 냉동능력을 측정한다. 문제는 여기에 설치하는 온도센서의 장착 위치의 중요성이다. 즉, 어느 부위의 온도를 냉동기의 대표 온도로 정하느냐에 따라 냉동기의 성능 값에 큰 차이를 나타내기 때문이다. 실제 확인 결과, 온도는 히터블럭 내의 위치뿐 아니라 저온 스테이지 부위별로도 크게 차이를 보였다. 따라서 본 연구에서는 보다 합리적이고 정확한 냉동 능력 측정을 위해 77K 에서 냉동기의 질소 액화 능력으로 냉동능력을 평가하고자 하였다. 이를 통해 개발된 HPS80200냉동기의 보다 정확한 냉동능력(77K에서 200W 이상임을 확인함)을 측정할 수 있었고 냉동기의 저온 스테이지에서 대표온도로 설정할 수 있는 위치도 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.118-118
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• 2015

플렉서블 기판을 기반으로 하는 휴대용 기기는 다양한 형태로 가공이 가능하고 가벼워 휴대가 용이하며 충격에 강하여 내구성이 좋은 장점을 가지고 있으나 플렉서블 전극 개발이 어려운 문제가 있다. 플렉서블 전극으로 그래핀, 은나노선, 금속메쉬 등의 다양한 재료, 구조에 대한 연구가 진행되고 있으며 특히 은나노선 전극은 공정이 단순하고 투과도 및 전도도가 비교적 우수하녀 가장 강력한 후보재료로 알려져 있다. 그러나 은나노선은 표면거칠기가 매우 크고 헤이즈가 발생하여 OLED 디스플레이용 전극으로 응용시 화면의 선명도가 떨어지며 은나노선 네트워크 형성시 은나노선간의 접촉저항이 증가하는 문제를 가지고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 최근 산화그래핀을 적용하여 은나노선의 투과도, 전도도, 표면거칠기를 개선하는 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 은나노선과 산화그래핀 나노복합체를 형성하고 플렉서블 기판에 전사하는 공정방법을 통해 투명전극을 형성하였고 산화그래핀이 포함되지 않은 전극과 비교하여 전극의 성능이 향상됨을 확인하였다. 주사전자현미경 측정을 통해 플렉서블 기판에 포함된 산화그래핀-은나노선 전극의 구조적 특성을 조사하였고 면저항측정을 통해 산화그래핀 처리로 인해 전기적 특성이 개선되는 결과를 확인하였다. 전도도 개선의 원인을 조사하기 위해 라만, XPS, 투과도 측정결과를 분석하여 그래핀에 포함된 pyridinic 질소가 감소하고 quaternary 질소가 증가하며 이로 인해 defect sites의 수가 감소하는 결과를 확인하였다. 산화그래핀과 은나노선의 접합부분에서 산화그래핀의 quaternary 질소가 증가하고 산화그래핀에 전하밀도를 증가하여 전도도를 향상하였다. 투과도 측정을 통해 은나노선의 가로방향 플라즈몬 공명 흡수가 산화그래핀 처리에 의해 감소한 결과를 확인하였다. 산화그래핀-은나노선 나노복합체의 전도도 향상 원인에 대한 연구는 은나노선의 플렉서블 전극 응용을 가속화하고 잠재적인 응용분야를 확대하기 위한 원천지식을 제공할 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.418-419
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• 2013

현재, 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO) 박막은 가시영역에서 전기적 특성 및 광학적 특성이 우수하기 때문에 평면 디스플레이(flat displays), 박막 트랜지스터(thin film transistors), 태양전지(solar cells) 등을 포함한 광소자에 투명전도성산화물(transparent conducting oxide, TCO) 전극으로 가장 일반적으로 사용되고 있다. 하지만, 이 물질은 밴드갭이 3.4 eV로 다소 작아 다양한 분야의 의료기기, 환경 보호에 응용 가능한 자외선 영역에서 상당히 많은 양의 광흡수가 발생하는 치명적인 문제점을 가지고 있다. 또한, 인듐(Indium)의 급속한 소비는 인듐의 매장량의 한계로 인해 가격을 상승시키는 주요한 원인으로 작용하고 있다. 한편, InGaN 기반의 자외선 발광다이오드 분야에서는 팔라듐(Pd) 기반의 반투명 전극과 은(Ag) 기반의 반사전극을 주로 사용하고 있지만, 낮은 투과도와 낮은 굴절률을 때문에 여전히 자외선 발광다이오드의 광추출 효율(extraction efficiency)에 문제점을 가지고 있다. 따라서 자외선 발광다이오드의 외부양자 효율(external quantum efficiency, EQE)을 높이기 위해 높은 투과도와 GaN와 유사한 굴절률을 가지는 p-형 오믹 전극을 개발해야 한다. 본 연구에서는 초박막의 ITO (16 nm)/Ag (7 nm)/ITO (16 nm) 다층 구조를 갖는 투명전도성 전극을 제작한 후, 열처리 온도에 따른 전기, 광학적 특성에 향상에 대해서 조사하였다. 사용된 산화물/금속/산화물 전극의 구조는 유기발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED), 태양전지 등에 많이 사용되는 안정적인 투명 전극을 자외선 LED 소자에 처음 적용하여, ITO의 전체 사용량은 줄이고, ITO 사이에 금속을 삽임함으로써 금속에 의한 전기적 특성 향상과 플라즈몬 효과에 의한 투과도를 높일 수 있는 장점을 가지고 있다. 실험 결과로는, $400^{\circ}C$에서 열처리한 ITO/Ag/ITO 다층 구조는 365 nm에서 84%의 광학적 특성과 9.644 omh/sq의 전기적 특성을 확인하였다. 실험 결과로부터 좀 더 최적화를 수행하면, ITO/Ag/ITO 다층 구조는 자외선 발광다이오드의 투명전도성 전극으로 사용될 수 있을 것이라 기대된다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.26 no.6
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• pp.725-729
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• 2015

Organic light emitting diodes (OLEDs) are regarded as the next generation display and solid-state lighting due to their superb achievements from extensive research efforts on improving the efficiency and stability of OLEDs in addition to developing new materials. Herein, efficient green phosphorescent OLEDs were obtained by using hexaazatrinaphthylene (HAT) derivatives as a hole injection layer. External quantum and current efficiencies of OLEDs were enhanced from 8.8% and 30.8 cd/A to 13.6% and 47.7 cd/A, respectively by inserting a thin layer of HAT derivatives between the ITO and hole transporting layer. The enhancement of OLEDs was found to be originated from the inserted HAT derivatives, which resulted in the optimized hole-electron balance inside the emission layer.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.29 no.1
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• pp.27-32
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• 2020

This study proposes a pixel-patterning method for organic light-emitting diodes (OLEDs) based on thermal transfer. An infrared lamp was introduced as a heat source, and glass type donor element, which absorbs infrared and generates heat and then transfers the organic layer to the substrate, was designed to selectively sublimate the organic material. A 200 nm-thick layer of molybdenum (Mo) was used as the lightto-heat conversion (LTHC) layer, and a 300 nm-thick layer of patterned silicon dioxide (SiO₂), featuring a low heat-transfer coefficient, was formed on top of the LTHC layer to selectively block heat transfer. To prevent the thermal oxidation and diffusion of the LTHC material, a 100 nm-thick layer of silicon nitride (SiN_x) was coated on the material. The fabricated donor glass exhibited appropriate temperature-increment property until 249 ℃, which is enough to evaporate the organic materials. The alpha-step thickness profiler and X-ray reflection (XRR) analysis revealed that the thickness of the transferred film decreased with increase in film density. In the patterning test, we achieved a 100 ㎛-long line and dot pattern with a high transfer accuracy and a mean deviation of ± 4.49 ㎛. By using the thermal-transfer process, we also fabricated a red phosphorescent device to confirm that the emissive layer was transferred well without the separation of the host and the dopant owing to a difference in their evaporation temperatures. Consequently, its efficiency suffered a minor decline owing to the oxidation of the material caused by the poor vacuum pressure of the process chamber; however, it exhibited an identical color property.