Since PV PCS uses output current sensor for ac output current control, the sensor's sensing value includes unnecessary offset inevitably. If PV inverter is controlled by the included offset value, it's output current will generate DC offset. The DC offset of output current for trans-less PV inverter is fatal to grid, which results in saturating grid side transformer. Usually DSP controller of PV inverter reads several times sensing value during initial operation and, finally, it's average value is used for offset calibration. However, if temperature changes, the offset changes, too. Therefore, output current sensor measures sensing value that includes offset again. In this paper we propose new algorithm where two identical forward and reverse sensors are used to calculate the offset in real time. As a result the offset is not correlated with temperature change. The proposed algorithm is verified through PSIM simulation for validity.
A large leakage current may be one of the critical issues for poly-silicon thin film transistors(poly-Si TFTs) for LCD applications. In order to reduce the leakage current of poly-Si TFTs, several offset gated structures have been reported. However, those devices, where the offset length in the source region is not same as that in the drain region, exhibit the asymmetric electrical performances such as the threshold voltage shift and the variation of the subthreshold slope. The different offset length is caused by the additional mask step for the conventional offset structures. Also the self-aligned implantation may not be applicable due to the mis-alignment problem. In this paper, we propose a new fabrication method for poly-Si TFTs with a self-aligned offset gated structure by employing a photo resistor reflow process. Compared with the conventional poly-Si TFTs, the device is consist of two gate electrodes, of which one is the entitled main gate where the gate bias is employed and the other is the entitled subgate which is separate from both sides of the main gate. The poly-Si channel layer below the offset oxide is protected from the injected ion impurities for the source/drain implantation and acts as an offset region of the proposed device. The key feature of our new device is the offset lesion due to the offset oxide. Our experimental results show that the offset region, due to the photo resistor reflow process, has been successfully obtained in order to fabricate the offset gated poly-Si TFTs. The advantages of the proposed device are that the offset length in the source region is the same as that in the drain region because of the self-aligned implantation and the proposed device does not require any additional mask process step.
본 연구에서는 회전익기 통합 해석 코드인 CAMRAD II를 이용하여 풍동 시험용 Lift-offset 동축 반전 로터의 성능 및 허브 진동 하중 해석을 수행하였다. 본 논문에서는 전체 로터의 추력을 트림 목표 값으로 사용하는 트림 조건 및 상/하 로터 각각의 추력을 트림 목표 값으로 이용하는 트림조건을 사용하였다. 두 종류의 트림 기법에 대하여 다양한 전진비 및 Lift-offset 값을 고려하여 해석을 수행하였고, 계산된 결과를 선행연구의 풍동 시험 및 해석 결과와 상호 비교하였다. 두 종류의 트림 기법을 이용한 연구 결과에서 모두 다양한 전진비 및 Lift-offset 값에 대하여 상/하 로터 각각의 양력, 토크 및 전체 로터의 로터 유효 양항비가 선행연구의 풍동 시험 결과와 유사함을 확인하였다. 또한 로터의 2P 허브 진동 하중 해석 결과를 기반으로 Lift-offset 동축 반전 로터 허브의 진동 하중 특성을 확인하였다. 본 연구를 통하여 CAMRAD II를 이용한 풍동 시험용 Lift-offset 동축 반전 로터의 모델링 및 해석 기법을 적절히 구축하였으며, 성공적으로 검증하였다.
항행 정밀도 증가는 항공교통 수용량을 개선함으로써 효율적인 공역 환경을 조성하였으나, 항공안전 측면에서는 항공기 간 충돌확률을 증가시키는 요인으로 작용하였다. 항공기가 고도 분리에 실패하더라도 좌우 위치 오차를 갖는 경우 충돌로 이어지지 않지만, 좌우 위치 정밀도가 증가하면 위치 랜덤성이 줄어들어 항공기 충돌확률이 증가하게 된다. 이에 따라 국제민간항공기구는 항공기를 항공로 중심선으로부터 의도적으로 이탈시키는 SLOP (Strategic Lateral Offset Procedures) 절차를 도입하였으며, 우리나라 또한 이와 유사한 Offset 절차를 운영하고 있다. Y579 항공로는 22년 말 복선화되기 전까지 offset 절차로 운영되었으며, Y579 offset 항적 분석결과 SLOP 절차와 달리 단방향 복선 항공로와 유사함을 확인하였다. 본 논문은 단방향 복선 항공로 및 offset 절차에 적용 가능한 안전평가 방법론을 개발하고 이를 활용하여 Y579 Offset 절차에 대한 안전평가를 수행하였다.
시간 오차는 직교 주파수 분할 다중화 (orthogonal frequency division multiplexing: OFDM) 기술에 기반한 무선랜 (wireless local area network: WLAN) 시스템에서 주파수 옵셋 추정 시, 오류를 일으키는 원인들 중 하나이다. 시간 오차가 주파수 옵셋 추정 시에 미치는 영향을 줄이기 위하여 몇몇 연구가 진행되어 왔지만, 대부분의 주파수 옵셋 추정 기법들은 시간 오차 범위에 대한 사전 정보를 미리 알고 있다는 가정 하에 연구됨으로써, 실제 시스템에 적용되지 못하였다. 본 논문에서는 시간 오차에 대한 정보를 요구하지 않고 두 개의 연속적인 상관 값 표본 사이에 차동 결합 기법을 적용함으로서, 실제 시스템에 적용 가능한 새로운 정수 주파수 옵셋 추정 기법을 제안하였다. 모의실험 결과, 제안한 기법은 시간 오차 범위에 대한 정보를 요구하지 않기 때문에, 시간 오차 분산에 강인하며, 또한 시간 오차의 범위를 정확하게 모르는 경우, 평균적으로 기존의 기법보다 더 나은 성능을 보였다.
In this paper, a new data-aided joint phase and frequency estimator, which has very low computational complexity, is proposed and its variances of phase and frequency estimates are derived. To estimate the phase and frequency offset, first of all, the overall observation interval is divided into same length sub-intervals, and then phase estimates are independently computed based on symbols of the each sub-intervals. To be continue the sequence of computed phase estimates, proper integer multiples of $2{\pi}$ are added to (or subtracted from) the computed phase estimates, which is called linearized phase estimate. The phase offset of the proposed joint estimator is estimated by averaging the linearized phase estimates and the frequency offset by averaging the differences between consecutive linearized phase estimates. The variance of the proposed phase offset estimate is same to MCRB of phase if there is no frequency offset, but it is smaller than MCRB of phase if there is frequency offset. However, the variance of the proposed frequency offset estimate is bigger by at least 0.5 dB than MCRB of frequency with the same observation interval.
절충교역은 해외 무기체계 구매사업에 수반되는 특수한 형태의 조건부 교역으로서 우리나라 국방과학기술 발전을 위해 필요한 과학기술을 효과적으로 획득할 수 있는 주요한 창구이다. 우리나라는 1983년 이후 국방과학기술의 발전과 방위산업 활성화를 위해 절충교역 제도를 운영하고 있다. 그러나 절충교역의 실효성에 대한 논란이 존재하는 것이 사실이고 특히, 국민의 혈세 지출로 획득된 소중한 국방과학기술이 누가 어떻게 활용하여 어떠한 성과를 창출하였는지를 체계적으로 관리할 수 있는 성과관리 시스템이 부재하다. 이에, 본 논문에서는 절충교역 획득기술의 활용성과를 체계적으로 관리하기 위해 필요한 주요 성과항목을 논리적이고 객관적인 방법으로 도출하여 향후 정책적으로 활용할 수 있도록 하였다.
세계적으로 대부분의 무기구매 국가들은 절충교역을 대외무역의 중요한 협상수단으로 활용하고 있다. 특히 일본과 이스라엘은 절충교역을 통하여 장기적으로 새로운 사업과 시장개척 면에서 큰 성과를 거두고 있다. 한편, 우리나라는 절충교역 추진실적 면에서, 미국이 매우 큰 비중을 차지하고 있지만 그 실적에 비해 구체적으로 드러난 성과는 미흡한 것으로 평가되고 있다. 따라서 본 논문에서는 외국의 대 미국 절충교역 유형별 우선순위와 미국의 절충교역 대상 및 우선순위 분석, 사후평가방안 사례연구, 절충교역을 통해 획득한 자산 및 기술자료 관리 상 나타난 문제점 분석을 통해 효율적인 절충교역 추진체제 개선방안을 제시한다.
The poly-Si thin film transistor (TFT) shows large variations in its characteristics due to the grain boundary of poly-crystalline silicon. This results in unacceptably large input offset of low-voltage differential signaling (LVDS) receivers. To cancel the large input offset of poly-Si TFT LVDS receivers, a full-digital offset compensation scheme has been developed and verified to be able to keep the input offset under 15 mV which is sufficiently small for LVDS signal receiving.
This paper presents one of the first comprehensive studies of how hot electron degradation impacts the input offset voltage of a CMOS differential amplifiers. This study utilizes the concept of a virtual source-coupled MOSFET pair in order to evaluate offset voltaged egradation directly from individual device measurement. Next, analytical models are developed to describe the offset voltage degradation. These models are used to examine how hot electron induced offset voltage is affected with the device parameters.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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