• Proceedings of the KSME Conference
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• 2001.06a
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• pp.501-506
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• 2001

The creep crack growth properties in 3.5NiCrMoV steel were investigated at $550^{\circ}C$ by using CT specimen under constant $C_t$ condition that was held during crack growth of 1mm distance. $C_t$ lely on load line displacement rate and $C^*$ usually increase with crack length though load is reduced in order to maintain constant $C_t$ value as crack growth. Fully coalesced area(FCA) ahead of crack tip tend to increase as $C_t$ increase to the critical value, and after that value FCA decrease. For the tertiary creep stage of crack growth test, the most of displacement is due to the steady state creep, except only small part due to the primary creep and other effects. Therefore, tests were mainly interrupted in the tertiary stage to obtain high value of $C_t$. At constant load and $C_t$ region, crack growth slope was 0.900 and 0.844 each, on the other hand $C^*$ slope was 0.480.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2010.05a
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• pp.58.1-58.1
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• 2010

We have developed a novel crystallization process, where the crystallization temperature is lowered compared to the conventional RTA process and the metal contamination is lowered compared to the conventional VIC process. A very-thin a-Si film was deposited and crystallized at $550^{\circ}C$ for 3 h by the VIC process and then a thick a-Si film was deposited and crystallized by the RTA process at $680^{\circ}C$ for 5 min using the VIC poly-Si layer as a crystallization seed layer. The RTA crystallized temperature could be lowered up to $50^{\circ}C$, compared to RTA process alone. The poly-Si film appeared a needle-like growth front and relatively well-arranged (111) orientation. In addition, the Ni concentration in the poly-Si film was lowered to $3{\times}10^{17}\;cm^{-3}$ and that at the poly-Si/$SiO_2$ interface was lowered to $5{\times}10^{19}\;cm^{-3}$. The reduction in metal contamination could be greatly helpful to achieve a low leakage current in poly-Si TFT, which is the critical parameter for commercialization of AMOLED.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.208-209
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• 2005

바나듐 산화물은 반도성-금속성으로 상전이 하는 CTR특성의 대표적인 산화물로 상전이 온도인 68$^{\circ}C$에서 저항의 급변 특성을 보인다. 여기에 Fe, Ni, Mo, Ti, W과 같은 금속성 산화물을 첨가함에 따라 상전이온도를 움직일 수 있다. 그중 $WO_3$를 첨가함으로써 상전이온도를 상온까지 낮출 수 있다. Inorgnic sol-gel 법에 의해 바나듐-텅스텐 sol을 제조 하였으며, 제조된 sol을 기판에 코팅한 후 환원분위기에서 열처리 하여 막을 얻었다. 온도-저항 특성 측정 결과 순수 바나듐 막은 상전이 온도는 68$^{\circ}C$ 전기저항 감소폭은 $10^4$order 이였으나 바나듐-텅스텐막의 상전이 온도는 38$^{\circ}C$, 전기저항 감소폭은 $10_{15}$order 로 감소함을 확인 하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.11d
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• pp.873-875
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• 1999

We have fabricated good quality superconducting $YBa_{2}Cu_{3}O_{7-\delta}$ thin films on Hastelloy(Ni-Cr-Mo alloys) metallic substrate with $CeO_2$ and $BaTiO_3$ buffer layers in-situ by pulsed laser deposition in a multi-target processing chamber. We have chosen $CeO_2$ as a buffer layer which has cubic structure of $5.41{\AA}$ lattice parameter and only 0.2% of lattice mismatch with YBCO. $CeO_2$ layer may be helpful for power transmission due to its conducting property. In order to enhance the crystallization of YBCO films on metallic substrates. we deposited $CeO_2$ and $BaTiO_3$ buffer layers at various temperatures. The YBCO superconducting tape fabricated with $BaTiO_3$ and $CeO_2$ buffer layers shows 85K of transition temperature and about $8.4{\times}10^4A/cm^2$ of critical current density at 77K.

• Journal of the Korean Society for Heat Treatment
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• v.1 no.1
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• pp.13-23
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• 1988

The hardenability of alloyed ductile cast irons was studied for 54 different alloy compositions obtained from eight commercial and laboratory foundries. The alloying elements investigated for their effects on hardenability were Si(2.0 to 3.0%), Mn(0.0 to 0.8%), Mo(0.0 to 0.6%), Cu(0.0 to 1.5%), and Ni(0.0 to 1.5%). Two hardenability criteria, a first-pearlite hardenability criterion and a half-hard hardenability criterion, were used to determine hardenability of ductile irons. Prediction models for each hardenability criterion were developed by multiple regression analysis and were well agreed with previous experimental results. Molybdenum was the most potent hardenability promoting element followed by manganese, copper and nickel ; silicon had little effect on hardenability and reduced the hardenability as silicon content increased. When alloying elements were presented in combination, strong synergistic effects on the hardenability were observed especially between molybdenum, copper and nickel. The hardenability of ductile iron was strongly influenced by austenitizing temperature. Increasing austenitizing temperature up to $955^{\circ}C$, hardenability increased gradually but decreasing rate and then decreased as temperature increased above $955^{\circ}C$. Unless reducing segregation by very long-time annealing treatment, the hardenability of ductile iron was not significantly influenced by segregation of alloying elements.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.18 no.5
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• pp.105-111
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• 2001

The creep crack growth properties in 3.3NiCrMoV steel were investigated at 55$0^{\circ}C$ by using CT specimen under constant load and constant Ct condition that was held during crack growth of Imm distance. Ct lelied on load line displacement rate, C＊usually increased with crack length though load is reduced in order to maintain constant Ct value as crack growth and appeared scatter band. At constant load and Ct region, crack growth slope was 0.900 and 0.844 each, on the other hand C＊ slope was 0.480. Fully coalesced area(FCA) ahead of crack tip increased as Ct increase to the critical value, and after that value FCA decreased. For the tertiary creep stage of crack growth test, the most of displacement was due to the steady state creep, except only small part due to the primary creep and other effects. Therefore, tests were mainly interrupted in the tertiary stage to obtain high value of Ct.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.585-585
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• 2012

$Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$(CIGS) 박막 태양전지는 Chalcopyrite 계 박막 태양전지로 Cu, In, Ga, Se 각 원소의 조성을 적절히 조절하여 박막을 성장시킨다. 성장시킨 CIGS 박막은 광흡수계수가 $10^5cm^{-1}$로 다른 물질보다 뛰어나고 직접 천이형 반도체로서 얇은 두께로도 고효율의 박막 제작이 가능하다. CIGS 태양전지를 제조하는 방법은 3-stage 동시 증착법, 금속 전구체의 셀렌화 공정법, 전기 증착법 등이 있다. 그 중에 금속 전구체의 셀렌화 공정법은 다른 제조 방법에 비해 대면적 생산에 유리한 장점이 있다. 하지만 아직 상대적으로 3-stage 동시 증착법에 비해 낮은 에너지 변환 효율이 보고된다. 본 실험에서는 기존의 금속 전구체의 셀렌화 공정법과는 달리 전구체 증착과 셀렌화 공정을 동시에 하고, Se cracker를 통하여 Se 원료를 주입하는 방식인 반응성 스퍼터링 공정에서 reservoir zone의 온도 변화에 따른 특성을 분석하였다. Se cracker의 reservoir zone 온도가 증가할수록 Cu/(In+Ga) 비가 증가한다. CIGS 박막 태양전지의 구조는 Al/Ni/ITO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/Soda lime glass이다. CIGS 박막의 조성비가 Cu/(In+Ga)=0.89, Ga/(In+Ga)=0.17인 박막 태양전지에서 개방전압 0.34 V, 단락전류밀도 $32.61mA/cm^2$, 충실도 56.2% 그리고 변환 효율 6.19%를 얻었다. 본 연구는 2011년도 지식경제부의 재원으로 한국에너지 기술평가원(KTEP)의 지원을 받아 수행한 연구 과제입니다(No.20093020010030).

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.375-375
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• 2011

Cu(In1-xGax)Se2 (CIGS)박막증착법 중 금속 전구체의 셀렌화 공정법은 다른 제조 방법에 비해 대면적 생산에 유리하고, 비교적 공정 과정이 간단하다는 장점이 있다. 이 제조 방법은 금속 전구체를 만든 후에 셀렌화 공정을 하게 된다. 셀렌화 공정은 대부분 H2Se 가스를 사용하지만 유독성으로 사용하는데 주의해야 한다. 본 실험은 H2Se를 사용하지 않고 Se원료를 주입하기 위해 Se cracker를 사용했고 금속 전구체 증착과 셀렌화를 동시에 하는 반응성 스퍼터링 후 열처리 법을 이용하여 CIGS 박막을 증착 했다. CIGS의 박막의 Cu/[In+Ga], Ga/[In+Ga]비를 변화시켜 특성변화를 관찰했다. Cu/[In+Ga]비가 감소할수록 CIGS의 결정방향인 (112) 이 우세하게 발달했고 Ga/[In+Ga]비가 증가할수록 CIGS의 결정면 사이의 값이 작아지기 때문에 CIGS peak의 2-Theta 값이 증가하게 된다. CIGS 박막 태양전지의 구조는 Al/Ni/ITO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/glass 제작했다. CIGS박막의 조성비가 Cu/[In+Ga]=0.84, Ga/[In+Ga]=0.24인 박막태양전지에서 개방전압 0.48 V, 단락전류밀도 33.54 mA/cm2, 충실도 54.20% 그리고 변환효율 8.63%를 얻었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.373-373
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• 2011

$Cu(In,Ga)Se_2$(CIGS) 박막 태양전지는 Chalcopyrite계 박막 태양전지로 Cu, In, Ga, Se 각 원소의 조성을 적절히 조절하여 박막을 성장시킨다. 성장시킨 CIGS 박막은 광흡수계수가 105cm-1로 다른 물질 보다 뛰어나고 직접 천이형 반도체로서 얇은 두께로도 고효율의 박막 제작이 가능하다. 얇은 두께로도 충분히 빛의 흡수가 가능하지만, cell 표면 반사에 의한 광 손실은 cell 효율을 떨어뜨리게 된다. 본 연구에서는 CIGS 박막 태양전지의 광 흡수 향상을 위해 굴절률이 1.86인 ITO 위에 ITO보다 굴절률이 작은 $MgF_2$ (n=1.377) [1]를 80, 100, 120, 140 nm로 증착하여 $MgF_2$/Al/Ni/ITO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG 시료를 제작하고, optical reflectance, Quantum Efficiency를 이용하여 분석하였다. optical reflectance 분석 결과, $MgF_2$ AR coating을 한 경우, 두께가 두꺼워짐에 따라 광 반사도가 감소하는 경향을 보였다. 또한 AR coating 두께가 커짐에 따라 fluctuation이 점점 커지며, 파형이 장파장 쪽으로 shift하는 것을 관찰 할 수 있었다. Quantum efficiency (QE)를 분석한 결과 $MgF_2$ AR coating 할 경우, 측정된 대부분의 파장에서 QE가 향상되는 것을 확인할 수 있었다. 하지만 AR coating 두께에 따른 변화는 뚜렷한 차이를 보이지 않았다. AR coating 결과, JSC가 증가하여 efficiency가 향상되는 것을 확인 할 수 있다. 그러나 $MgF_2$ AR coating 80~140 nm 범위에서 cell 효율 변화의 뚜렷한 차이는 관찰할 수 없었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.3
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• pp.333-344
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• 1995

Cu를 함유한 2종의 저합금 고장력강(HSLA-A, HSLA-B)\ulcorner 기계적 성질에 미치는 시효처리의 영향을 조사하였다. 탄소량이 적음에도 불구하고 Cu첨가로 석출물을 생성시킴으로서 2합금 모두 $650^{\circ}C$에서 시효한 경우 양호한 강도(HSLA-A:Y.S 703Mpa, E.L 22.6% HSLA-B:Y.S 810 Mpa, E.L 23.8%)와 인성(HSLA-A:271.4J, HSLA-B:197.5J at -5$0^{\circ}C$)의 조합을 나타내었다. 50$0^{\circ}C$에서 시효할 때 가장 높은 항복 강도를 나타내나 인성은 아주 낮은 값을 나타내었다. 50$0^{\circ}C$이상 시효 온도가 증가하면 강도는 감소하고 인성은 증가하였다. HSLA-B강의 강도가 HSLA-A 강보다 높은데, \ulcorner칭 상태에서의 강도 차이는 경화능을 증가시키는 원소인 Ni, Mn, Mo, Cu의 첨가량 차이에 의한 기지 조직의 차이에 의한 것이며, 시효한 상태에서의 강도 차이는 기지 조직과 석출 강화에 기여하는 Cu량의 차이에 의한 것으로 판단된다. 시효 경화 곡선에서 $700^{\circ}C$에서의 경도 증가는 오스테나이트-페라이트 2상 영역으로부터 냉각시 생성된 “M-A constituents”에 의한 것이다. HSLA-A강과 HSLA-B강의 충격 천이 온도는 각각 -1$25^{\circ}C$와 -145$^{\circ}C$이었다.