Electrochromism is defined as a phenomenon which involves persistently repeated change of optical properties between bleached state and colored state by simultaneous injection of electrons and ions, sufficient to induce an electrochemical redox process. Due to this feature, considerable progress has been made in the synthesis of electrochromic (EC) materials, improvements of EC properties in EC devices such as light shutter, smart window and variable reflectance mirrors etc. Among the variable EC materials, solid-state inorganics in particular, metal oxide semiconducting materials such as nickel oxide (NiO) have been investigated extensively. The NiO that is an anodic EC material is of special interest because of high color contrast ratio, large dynamic range and low material cost. The high performance EC devices should present the use of standard industrial production techniques to produce films with high coloration efficiency, rapid switching speed and robust reversibility. Generally, the color contrast and the optical switching speed increase drastically if high surface area is used. The structure of porous thin film provides a specific surface area and can facilitate a very short response time of the reaction between the surface and ions. The large variety of methods has been used to prepare the porous NiO thin films such as sol-gel process, chemical bath deposition and sputtering. Few studies have been reported on NiO thin films made by using sol-gel method. However, compared with dry process, wet processes that have the questions of the durability and the vestige of bleached state color limit the thin films practical use, especially when prepared by sol-gel method. In this study, we synthesis the porous NiO thin films on the fluorine doped tin oxide (FTO) glass by using sputtering and anodizing method. Also we compared electrical and optical properties of NiO thin films prepared by sol gel. The porous structure is promised to be helpful to the properties enhancement of the EC devices.
We have fabricated thin films using the DC/RF magnetron sputtering of 74wt%Ni-l8wt%Cr-4wt%Al-4wt%Cu alloy target and studied the effect of the process parameters on the electrical properties for low TCR(Temperature Coefficient of Resistance) films. In sputtering process, pressure, power and substrate temperature, are varied as controllable parameter. The films are annealed to 400$^{\circ}C$ in air and nitrogen atmosphere. The sheet resistance, TCR of the films increases with increasing annealing temperature. It abruptly increased as annealing temperature increased over 300$^{\circ}C$ in air atmosphere. From XRD, it is found that these results are due to the existence of NiO on film surface formed by annealing. As a results of them, TCR can be controlled by variation of sputter process parameter and annealing of thin film.
We have deposited NiO films by RF sputtering on $Al_2O_3/SiO_2/Si$ and 100 nm-thick Gd doped $CeO_2$ covered $Al_2O_3/SiO_2/Si$ substrates at various $Ar/O_2$ ratios. The deposited films were reduced to form porous Ni thin fllms in 4% $H_2\;at\;400^{\circ}C$. For the films deposited in pure Ar, the reduction was retarded due to the thickness and the orientation of the NiO films. On the other hand, the films deposited in oxygen mixed ambient were reduced and formed porous Ni films after 20 min of reduction. We also investigated the possibility of using the films for the single chamber operation by studying the electrical property of the films in the fuel/air mixed environment. It is shown that the resistance of the Ni film increases quickly in the mixed gas environment and thus further improvements of Ni-base anodes are required for using them in the single chamber operation.
rf magnetron sputtering법을 이용하여 Mn-Ni-Co계 써미스터 박막을 증착하였다. $300^{\circ}C$ 및 $Ar/O_2$ = 10/0에서, cubic spinel 상형성이 이루어졌으며 공정가스에 산소 첨가 시, cubic spinel 상은 열처리를 통해서도 형성되지 않았다. 써미스터 박막은 Mn, Ni, Co 성분 외 다른 이종 성분은 포함되어 있지 않았다. 써미스터 박막에 대한 적외선 반사 특성을 분석으로 증착된 박막은 일정 각도로 입사되는 적외선에 대해 비교적 높은 반사율을 가짐을 관찰할 수 있었다. DI water : $HNO_3$: HCI=60 : 30 : 10 vo1%에서 써미스터 박막의 식각 속도는 약 63 nm/min였다. 박막 써미스터의 B상수는 약 3500 K였으며 TCR은 약 -3.95%/K였다 전압감도는 약 108.5 V/W였으며 NEP와 specific detectivity는 각각 $5.1\times 10^{-7}$ W/$Hz^{-1/2}$$0.2\times 10^6$cm $Hz^{1/2}$/W였다.
The micro Vickers hardness and internal stress of Ni-Fe metal thin film synthesized by electrodeposition method at $25^{\circ}C$ were studied as a function of bath composition, and surface microstructure and atomic compositions of thin films were investigated by SEM and EDS. And the shape change of $200\;{\AA}$ Ni-Fe nanowires made using anodic aluminum oxide(AAO) templates by electrodeposition method were observed by SEM as a function of ultrasonic treatment time and bath composition. The Fe deposition contents on the substrate non-linearly increased with Fe ion concentration over total metal ion concentration. In case of low Fe contents film, the grain size is smaller and denser than high Fe contents deposited films, and the micro Vickers hardness increased with Fe contents of electrodeposited films. These results affected the shape change of nanowire after ultrasonic treatments.
The crystal structure and the microstructure of the intermetallic compounds formed in the interface between In solder and Au/Ni/Ti thin films have been investigated by XRD, SEM, and TEM. Indium solder was deposited on the Au/Ni/Ti thin films/Si substrate by evaporation. The heat treatments simulated the flip chip solder joining were performed in RTA system or in furnace. $Auln_2$ phase is formed in all specimens.$ In_{27}$$Ni_{10}$ and/or $In_{X}$$Ni_{Y}$ phase are formed in the interface between $Auln_2$ and Ni depending the heat treatment conditions.
Cu-Ni thin film strain gauges for diaphragm-type pressure sensors were developed. Thin films of Cu-Ni alloys of various compositions were deposited onto glass and stainless steel substrates by RF magnetron sputtering. The effects of composition substrate temperature Ar partial pressure and aging on the electrical properties of Cu-Ni film strain gauges in the thickness range 500~2000$\AA$ are discussed. The maximum resistivity(95.6 $\mu$$\Omega$cm) is obtained from 53wt%Cu-47wt%Ni films while the temperature coefficient of resistance(TCR) becomes minimum(25.6ppm/$^{\circ}C$). The gauge factor is about 1.9.
Chloride plating solution was fabricated by dissolving metal Ni powders in a mixed solution with HCl and de-ionized water. Effects of $Ni^{2+}$ and saccharin concentrations in the plating baths on current efficiency, residual stress, surface morphology and microstructure of Ni films were studied. In the case of $0.2M\;Ni^{2+}$ concentration, current efficiency was decreased to about 65 % with increasing saccharin concentration, but, in the case of $0.7M\;Ni^{2+}$ concentration, it was shown more than 90 % with the increase of saccharin concentration. Residual stress of Ni thin film was appeared to be about 400 MPa up to 0.0244 M saccharin concentration at the $0.2M\;Ni^{2+}$ concentration and surface morphology with severe cracks was observed in the range of 0.0487~0.0975 M saccharin concentration. Residual stress of Ni thin films was measured to be about 750 MPa without saccharin addition and 114~148 MPa at the range of 0.0097~0.0975 M saccharin concentration for the $0.7M\;Ni^{2+}$ concentration. Relatively low residual stress values (114~148 MPa) of the Ni films at the range of 0.0097~0.0975 M saccharin concentration may be resulted from codeposition of S from saccharin. Ni films at $0.7M\;Ni^{2+}$ concentration showed smooth surface morphology and were independent of saccharin concentration. Ni films at $0.7M\;Ni^{2+}$ concentration consist of FCC(111), FCC(200), FCC(220) and FCC(311) peaks and the intensities of FCC(111) and FCC(200) peaks increased with increasing saccharin concentration. Also, the average grain size decreased with increasing saccharin concentration from about 30 nm to about 15 nm.
We utilized terahertz time-domain spectroscopy (THz-TDS) to measure the thickness and electrical properties of nickel-chromium (Ni-Cr) films. This technique not only aligns well with traditional methods, such as haze-meter and transmission-densitometer measurements, but it also reveals the electrical properties and thickness of films down to a few tens of nanometers. The complex conductivity of the Ni-Cr thin films was extracted using the Tinkham formula. The experimental values closely aligned with the Drude model, indicating the reliability of our Ni-Cr film's electrical and optical constants. The thickness of Ni-Cr was estimated using the complex conductivity. These findings emphasize the potential of THz-TDS in quality control of metallic nanofilms, pointing toward an efficient and nondestructive test (NDT) for such analyses.
Effects of annealing treatment on microstructure and mechanical property of co-sputtered TiNi thin films were studied. As-deposited films showed amorphous state. However, above annealing temperature of $500^{\circ}C$ martensite phase (B19'), precipitate phase ($Ti_2Ni$) and a small amount of parent phase ($B_2$) were present, and phase transformation behaviors were three multi-step phase transformations $B19^{\prime}{\rightarrow}B_2$ and $B_2{\rightarrow}R-phase$ and $R-phase{\rightarrow}B19^{\prime}$. Increase of martensite transformation temperature, increase of microhardness and Young's modulus of TiNi films annealed above $500^{\circ}C$ were discussed in terms of precipitate phase.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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