• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.71-71
• /
• 2009

This paper describes a simple, on-chip CMOS compatible the thin-film inductor applied for the dc-dc converters. A fully CMOS-compatible thin-film inductor with a bottom NiFe core is integrated with the DC-DC converter circuit on the same chip. By eliminating ineffective top magnetic layer, very simple process integration was achieved. Fabricated monolithic thin film inductor showed fairly high inductance of 2.2 ${\mu}H$ and Q factor of 11.2 at 5MHz. When the DC-DC converter operated at $V_{in}=3.3V$ and 5MHz frequency, it showed output voltage $V_{out}=8.0V$, and corresponding power efficiency was 85%.

• 한국진공학회지
• /
• 제8권2호
• /
• pp.116-120
• /
• 1999

Fe-Ni alloy thin films with about 3.5 $\mu\textrm{m}$ thickness were successfully grown on Al-killed steel substrates employing DC magnetron sputtering method, and then the4 film properties were characterized. The deposited film exhibited a fibre texture structure with the relationship of ${110}_\textrm{film}//{111}_\textrm{substrate}$. We found that the adhesion between the film and the substrate was fairly good considering no debonding behavior after the thermal cyclic test of 5,000 times from room temperature to $200^{\circ}C$. Also we found that the Fe-Ni alloy deposition induced a significant decrease of thermal expansion in the film processing, a new material system with much lower thermal expansion coefficient which can be applied more as shadow mask materials than an Al-killed steel sheet.

• Applied Microscopy
• /
• 제42권4호
• /
• pp.207-211
• /
• 2012

We examined the electrical properties and microstructure of NiO produced using a sol-gel method and Ni nitrate hexahydrate ($Ni[NO_3]_2{\cdot}6H_2O$) to investigate if this NiO thin film can be used as an insulator layer for resistance random access memory (ReRAM) devices. It was found that as-prepared NiO film was polycrystalline and presented as the nonstoichiometric compound $Ni_{1+x}O$ with Ni interstitials (oxygen vacancies). Resistances-witching behavior was observed in the range of 0~2 V, and the low-resistance state and high-resistance state were clearly distinguishable (${\sim}10^3$ orders). It was also demonstrated that NiO could be patterned directly by KrF eximer laser irradiation using a shadow mask. NiO thin film fabricated by the sol-gel method does not require any photoresist or vacuum processes, and therefore has potential for application as an insulating layer in low-cost ReRAM devices.

• 한국자기학회지
• /
• 제9권4호
• /
• pp.196-202
• /
• 1999

본 연구에서는 마그네트론 스퍼터링 법으로 제작한 Mn-Ir/Ni-Fe/Buffer/Si 다층막에서 다양한 하지층과 적층구조에 따른 교환이방성과 미세구조에 대하여 고찰하였다. Ni-Fe 위에 Mn-Ir을 증착한 Top 구조의 경우에서는 (111) 우선방위에 상관없이 165 Oe 이상의 높은 Hex 값을 얻을수 있었다. 또한 Mn-Ir/Ni-Fe 계면에서 grain-to-grain epitaxy가 발생함을 알 수 있었다. 따라서 Mn-Ir/Ni-Fe 다층박막의 Hex는 Mn-Ir/Ni-Fe 계면에서의 Mn-Ir의 결정립 크기와 grain-to-grain epitaxy에 의존하며 Hc는 Mn-Ir/Ni-Fe의 계면거칠기에 의존한다는 것을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
• /
• 제29권5호
• /
• pp.297-303
• /
• 2019

A triple-layered $PMMA/Ni_{64}Zr_{36}/PDMS$ hydrogen gas sensor using hydrogen permeable alloy and flexible polymer layers is fabricated through spin coating and DC-magnetron sputtering. PDMS(polydimethylsiloxane) is used as a flexible substrate and PMMA(polymethylmethacrylate) thin film is deposited onto the $Ni_{64}Zr_{36}$ alloy layer to give a high hydrogen-selectivity to the sensor. The measured hydrogen sensing ability and response time of the fabricated sensor at high hydrogen concentration of 99.9 % show a 20 % change in electrical resistance, which is superior to conventional Pd-based hydrogen sensors, which are difficult to use in high hydrogen concentration environments. At a hydrogen concentration of 5 %, the resistance of electricity is about 1.4 %, which is an electrical resistance similar to that of the $Pd_{77}Ag_{23}$ sensor. Despite using low cost $Ni_{64}Zr_{36}$ alloy as the main sensing element, performance similar to that of existing Pd sensors is obtained in a highly concentrated hydrogen atmosphere. By improving the sensitivity of the hydrogen detection through optimization including of the thickness of each layer and the composition of Ni-Zr alloy thin film, the proposed Ni-Zr-based hydrogen sensor can replace Pd-based hydrogen sensors.

• 공업화학
• /
• 제24권4호
• /
• pp.438-442
• /
• 2013

본 연구에서는 무전해 도금법으로 니켈과 인을 탄소섬유 표면에 코팅한 후, 열처리시키는 과정에서 일어나는 변화를 다양한 분석방법을 이용하여 연구하였다. 전자현미경(Scanning Electron Microscopy, SEM)을 이용한 연구에서는, 코팅 후 추가적인 열처리를 하지 않은 경우 평평한 표면구조를 관찰하였으나, 열처리 온도가 $350^{\circ}C$에 이르면서 다공성구조가 생성됨을 알았다. 열처리 온도를 $50^{\circ}C$ 간격으로 증가시키면서 연구한 결과 $650^{\circ}C$까지는 열처리 온도가 증가할수록 기공의 크기는 증가하고, 개수는 감소하는 경향성이 관찰되었다. X-선 회절법(x-ray diffraction, XRD) 측정 결과, 코팅 후 추가 열처리가 없는 경우 금속성 Ni, Ni-P 화합물이 관찰되었으며, 열처리 온도가 증가함에 따라 NiO 봉우리는 세기가 증가하며, 금속성 Ni 봉우리의 세기는 감소하였다. X-선 광전자 분광법(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS) 측정에서는 $650^{\circ}C$, $700^{\circ}C$의 열처리 후 인 산화물이 표면에서 검출됨을 확인하였는데, 이는 코팅된 니켈 필름의 내부에 존재하던 인 화합물이 열처리 온도가 증가함에 따라서 표면 밖으로 빠져 나오는 현상이 일어나는 결과로 해석할 수 있다. 이상의 분석 데이터를 토대로, 무전해 도금으로 코팅된 Ni-P 화합물($Ni_xP_y$)이 열처리 과정에서 산화되면서, 이때 생성된 인 화합물 기체가 승화하면서 필름에 기공을 생성시키는 것으로 제안할 수 있다. 다공성 물질은 넓은 비표면적 등의 우수한 물성때문에 불균일 촉매 등 다양한 분야에 적용될 수 있으며, 본 연구에서 소개하는 다공성 니켈 필름의 제작법은 대량 생산에 적용이 쉬워 환경 필터 분야 등의 다양한 곳에 응용될 수 있을 것으로 생각된다.

• 전자공학회논문지D
• /
• 제34D권5호
• /
• pp.45-51
• /
• 1997

Low temperature activation of dopants which were doped using ion mass doping system in amorphous silicon(a-Si) thin films was investigated. With a 20.angs.-thick Ni film on top of the a-Si thin film, the activation temperature of dopants lowered to 500.deg. C. When the doping was performaed after the deposition of Ni thin film on the a-Si thin films (post-doping), the activation time was shorter than that of dopants mass, the activation time of the dopants doped by pre-doping method increased. It turned NiSi2 formation, while the decrease of activation time was mainly due to the enhancement of the NiSi2 formation by mixing of Ni and a-Si at the interface of Ni and a -Si thin during the ion doping process.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2006년도 제30회 학술논문발표회 초록집
• /
• pp.185-185
• /
• 2006

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제11권1호
• /
• pp.37-42
• /
• 2004

최근에 3 ㎓이상의 고주파용 전자부품과 소자의 제조에 낮은 저항온도계수(TCR)값과 높은 정밀도를 갖는 박막저항이 사용되고 있다. Ni-Cr 박막저항은 낮은 TCR 값과 저항에 대한 높은 안정성 때문에 저항 물질로 사용되는 가장 일반적인 물질이다. 본 연구에서는 $Ni_{72}Cr_Al_3Mn_4Si$(wt%)이 첨가된 우수한 저항특성을 갖는 S-type의 Evanohm 합금 타겟과 스퍼터링 장비를 이용하여 박막 저항을 제조하였다. 또한 열처리 조건을 $200^{\circ}C$, 300$300^{\circ}C$, $400^{\circ}C$, $500^{\circ}C$로 변화시키면서 고주파 박막 저항의 미세구조와 전기적 특성을 관찰하여 최상의 열처리 조건을 알아보았다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
• /
• 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 기술심포지움 논문집
• /
• pp.145-150
• /
• 2003

최근에 3 GHz이상의 고주파용 전자부품과 소자의 제조에 낮은 TCR 값과 높은 정밀도를 갖는 박막저항이 사용되고 있다. Ni-Cr 박막저항은 낮은 TCR 값과 저항에 대한 높은 안정성 때문에 저항 물질로 사용되는 가장 일반적인 물질이다. 본 연구에서는 $Ni_{72}Cr_{20}Al_3Mn_4Si(wt\%)$ 첨가된 우수한 저항특성을 갖는 s-type의 Evanohm 합금 타겟과 스퍼터링 장비를 이용하여 박막 저항을 제조하였다. 또한 열처리 조건을 $200^{\circ}C,\;300^{\circ}C,\;400^{\circ}C,\;500^{\circ}C$로 변화시키면서 고주파 박막저항의 미세구조와 전기적 특성을 관찰하여 최상의 열처리 조건을 알아보았다.