• 제목/요약/키워드: Neel wall

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패턴된 이중박막의 자구벽 특성조사 (Magnetic Domain Walls at the Edges of Patterned NiO/NiFe Bilayers)

  • 황도근;이상서
    • 한국자기학회지
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    • 제13권4호
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    • pp.176-181
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    • 2003
  • 금속마스크에 의해 패턴된 교환결합 이중박막 NiO(10∼60 nm)/NiFe(10 nm)의 모서리에서 발생한 여러 종류의 자구벽(magnetic domain wall)을 MFM(magnetic_ force microscopy)로 측정하였다. 박막의 모서리 경계선이 교환결합이방성 방향과 같은 방향일 때는 직선모양의 Neel 자구벽이 측정되었으며, 경계면이 이방성방향과 수직인 경우에는 zigzag Bloch 자구벽이 발견되었다. 이러한 자구벽은 NiO(60 nm)인 경우에는 교환결합세기(H$_{ex}$ = 75 Oe)가 박막경계면에서 발생한 반자장(demagnetization field) 세기보다 크기 때문에 발생하지 않았고, 교환결합세기가 약한 NiO(30 nm, H$_{ex}$ = 21 Oe)를 갖는 이중박막에서는 발견되었다. 이들 자구벽이 외부 자기장의 변화에 따라 움직이는 자화반전과정을 측정하기위해 $\pm$300 Oe까지 자기장을 가하면서 MFM을 측정하였다.

Simulation of the Effect of Soft Underlayer Domain Wall Structure on Output Signal in Perpendicular Magnetic Recording

  • Kim, Eun-Sik;Lim, Chee-Kheng;Kim, Yong-Su;Lee, Ju
    • Journal of Magnetics
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    • 제11권2호
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    • pp.83-86
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    • 2006
  • Controlling magnetic domains in soft underlayer (SUL) of perpendicular magnetic recording (PMR) is an important issue for the application of PMR in HDD. We studied the magnetic domain structures in SUL using the finite element based micromagnetic simulation (FEMM) for the SUL models with different thicknesses. The purpose is to simulate the magnetic domain wall noise when the SUL thickness and saturation magnetization are changed. The simulation results show that a 15 nm SUL forms simpler Neel wall domain wall pattern and 40 nm SUL forms complex Bloch wall. To visualize the effect of these domain walls stray field at a read sensor position, the magnetic stray field of the domain walls at air bearing surface (ABS) which is 50 nm above the SUL was simulated and the results imply that Bloch walls have stronger stray field with more complicated field patterns than Neel walls and this becomes a significant noise source. Therefore, the thickness of the SUL should be controlled to avoid the formation of Bloch walls.

좁은 자벽의 두께에 강자성층의 두께가 미치는 영향 (Effect of a Ferromagnetic Layer Thickness on a Narrow Domain Wall Width)

  • 임호택;유천열
    • 한국자기학회지
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    • 제15권6호
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    • pp.303-306
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    • 2005
  • Micromagnetics 전산 모사를 이용하여 국소적 층간교환상호작용이 있는 강자성/비자성/강자성 다층박막 구조에서 Bloch 자벽이나 Neel 자벽보다 더 얇은 두께의 자벽이 인위적으로 형성될 수 있음을 보였고, 이때 생성된 좁은 자벽의 두께가 강자성층의 두께에 의해 영향을 받음을 보였다. 국소적 층간교환상호작용을 가진 $Fe_1/Cr/Fe_2$ 구조에서 좁은 자벽이 생성됨을 보였고, $Fe_2$ 층의 두께를 20nm로 고정시키고 $Fe_1$층의 두께를 각각 1, 2, 4, 6nm으로 변화시켜가며 전산 모사를 수행하여 $Fe_1$ 층의 두께가 감소함에 따라 자벽의 두께가 얇아짐을 확인하였다.

스파터법에 의한 Co-계 비정질박막의 제작과 자기특성 (Preparation and Magnetic Properties of Co-system Amorphous Thin Film by the Sputter method)

  • 임재근;문현욱;서강수;신용진
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1994년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.190-191
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    • 1994
  • In this paper, We study on the fabrication of amorphous this film of zeromagnetostriction material and the magnetic properties. This films are fabricated by using sputtering method with input power of 400∼607[W], Ar gas pressure of 3∼ 9[mTorr] and target composition of Fe$\sub$4.7/ Co$\sub$74.3/Si$_2$B$\sub$19/. Sample this films with diameter of 14[mm ] and thickness of 27-30[$\mu\textrm{m}$] were obtained through experiments. When we analyzed the magnetic properties before and after annealing with sample thin films, we confirmed that magnetic domain wall amorphous thin films consisted for Neel magnetic domain wall with the width of about 1[$\mu\textrm{m}$].

Current-Driven Domain-Wall Depinning in Pt/CoFe/Pt Nanowires with Perpendicular Magnetic Anisotropy

  • Kim, Kab-Jin;Lee, Jae-Chul;Choe, Sug-Bong
    • Journal of Magnetics
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    • 제14권3호
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    • pp.101-103
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    • 2009
  • The spin transfer torque efficiency was determined experimentally by observing the current-driven domainwall depinning of Pt/CoFe/Pt nanowires with perpendicular magnetic anisotropy. The depinning time was exponentially proportional to the applied magnetic field, and was well explained by the Neel-Brown formula. The depinning time and threshold magnetic field were varied considerably by injecting current into the nanowire. The spin transfer torque efficiency was estimated to be $(7.2{\pm}0.9){\times}10^{-15}Tm^2$/A from the linear dependence of the threshold current density with respect to the applied magnetic field.