고상반응법을 이용하여 $BaCo_{0.7}Fe_{0.22}Nb_{0.08}O_{3-{\delta}}$ (BCFN) 조성의 산화물을 합성하였으며, 합성된 분말은 압축 성형 후 $1,200^{\circ}C$에서 소결하여 치밀한 세라믹 분리막을 제조하였다. 제조된 $BaCo_{0.7}Fe_{0.22}Nb_{0.08}O_{3-{\delta}}$ 분리막의 XRD 분석결과 단일상의 페롭스카이트 구조를 보였다. 밀봉재료로 glass ring을 사용하여 가스누출 실험 및 산소투과 분석을 하였으며, 산소투과 분석 결과 온도와 산소분압($Po_2$)이 증가할수록 산소투과량은 증가하였고, $Po_2$ = 0.63 atm의 경우 $950^{\circ}C$에서 $2.3mL/min{\cdot}cm^2$의 값을 나타내었다. 또한, 이산화탄소 300 ppm이 포함된 혼합공기를 사용할 경우 모사공기($Po_2$ = 0.21 atm)를 사용한 경우에 비해 산소투과량이 최대 2.9%만 감소하였다. 이는 $BaCo_{0.7}Fe_{0.22}Nb_{0.08}O_{3-{\delta}}$ 분리막이 다른 분리막에 비해 이산화탄소에 대해 안정하다는 것을 의미한다.
기존의 MOS 구조를 갖는 온도 센서가 가지는 누설 전류 문제를 해결하기 위하여 제안된 $Bi_2Mg_{2/3}Nb_{4/3}O_7$ (BMNO) 를 이용한 온도센서의 민감도 평가를 저주파 누설 전류 측정을 통하여 수행하였다. 측정결과에서 서로 다른 어닐링 온도 ( $600^{\circ}C$, $700^{\circ}C$, $800^{\circ}C$) 에 따른 서로 다른 패턴의 저주파 노이즈 특성을 얻을 수 있었으며, 그 결과에서 온도 센서 동작을 저해할 수 있는 공정 조건($700^{\circ}C$) 을 선별하는 결과를 얻을 수 있었다. 이와 같은 측정법은 향후 BMNO를 이용한 온도센서의 공정 최적화를 측정하는 방법으로 응용 될 수 있다.
미세조직에 따라 기계적 성질 및 내산화성.내부식성 등의 제반 성질이 크게 변하는 Zr계 핵연료 피복관은 미세조직의 최적화가 중요하다. 이러한 미세조직은 합금원소의 고용도에 크게 의존하지만, Zr은 대부분의 용질합금원소의 고용도가 매우 작아서 측정이 곤란하였다. 본 연구에서는 핵연료 피복관 재료의 주요한 기본조성 재료인 Zr-0.8Sn 합금에 대한 Nb의 고용도를 TEP 측정방법을 이용하여 연구하였으며, 광학현미경과 전자현미경으로 미세조직을 관찰하여 이를 확인하였다. 균질화 처리온도가 증가함에 따라 고용된 Nb 함량이 증가하여 Zr-0.8Sn 합금의 TEP는 감소하는 경향을 보였다. 처리온도가 더욱 증가하면 TEP의 포화가 발생하였는데 이는 TEP에 영향을 미치는 고용된 합금원소의 함량 변화가 없기 때문이다. 따라서, TEP의 포화영역이 나타나기 시작하는 균질화 처리온도가 첨가된 Nb이 Zr-0.8Sn 합금에 모두 고용되는 시점이며, 이를 토대로 온도에 따른 Zr-0.8Sn 합금에서의 Nb 고용도 ($C_{Nb}$ )를 $4.69097{\times}10^{16}{\times}e^{-25300\times\;I/T}$(ppm.at.%)로 나타낼 수 있었다.
Internal tin processed Nb$_3$Sn wires of intermediated worked state of were took from Mitsubishi and fabricated with various diameters ranging from 0.76 mm to 0.2 mm. These specimens were heat-treated at $460^{\circ}C$ for 70 h and at $570^{\circ}C$ for 100h to form bronze and at $700^{\circ}C$ for 100h to form Nb$_3$Sn compound. Bending strain Ic s of the wires were measured with various bending diameters ranging from flat to 76 mm. In order to investigate the sensitivity for strain, small diameters of wires were strain Ic at 6 T, 4.2 K. There were no breakage decrease during cold working to 0.2 mm of diameter and no decrease Jc to the diameter of 0.3 mm. The values of bending strain Ic of 0.2 mm and 0.3 mm diameters of the wires were not decreased at 76 mm of bending diameter.
Ti-Cr alloys consist of BCC solid solution, C36, C14 and C15 Laves phase at high temperature. Among others, the BCC solid solution phase was reported to have a high hydrogen storage capacity. However, activation, wide range of hysteresis at hydrogenation/dehydrogenation, and degradation of hydrogen capacity due to hydriding/dehydriding cycles must be improved for its application. In this study, to improve such problems, we added a Nb. For attaining target materials, Ti-10Cr-xNb(x=1, 3, 5wt.%) specimens were prepared by arc melting. The arc melting process was carried out under argon atmosphere. As-received specimens were characterized using XRD(X-ray diffraction), SEM(Scanning Electron Microscopy) with EDX(Energy Dispersive X-ray) and TG/DSC(Thermo Gravimetric Analysis/Differential Scanning Calorimetry). In order to examine hydrogenation behavior, the PCI(pressure-Composition-Isotherm) was performed at 293, 323, 373 and 423K.
Ferroelectric ceramics are broadly used for various industrial applications. In this research, the lead-free ferroelectric ceramics of $(K_{0.5}Na_{0.5})NbO_3$ was fabricated by using the solid state synthesis. The $(K_{0.5}Na_{0.5})NbO_3$ pellets were sintered at 1200, 1150 and $1100^{\circ}C$ for 4 hours in air atmosphere. Field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM) characterization of the sintered KNN ceramics revealed surface morphology and grain size. And we used the X-ray diffraction (XRD) for measuring the sample crystal phase. Temperature dependence of the dielectric constant was measured by using an LCR meter. The sintered at $1150^{\circ}C$ for 4 hours sample has a highest dielectric constant 6011 at Curie temperature ($T_C$) and dense structure with $2.33{\mu}m$ grain size.
The physical and electrical properties of $\textrm{Ba}_1$$_{x}\textrm{Sr}_{x}$($\textrm{Mg_{1/3}Nb_{2/3}}$)$\textrm{O}_3$ (x =0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0) ceramics were investigated. The Bal $_{x}\textrm{Sr}_{x}$($\textrm{Mg_{1/3}Nb_{2/3}}$)$\textrm{O}_3$ systems were shown that the hexagonally ordered superlattices were increased with increasing x values. The relative densities of all samples were over 97% theoretical densities. The dc resistivities of samples were $10^{13}$ - $10^{14}$$\Omega\textrm{cm}$at room temperature, these values were nearly constant at 130(x=0)-$230^{\circ}C$ (x=l). However, the resistivities of samples decreased rapidly above those temperature and their activation energies were from 1.0 to 1.52 eV. The relative dielectric constant was 33(BMN) and 30.6(SMN) respectively. And the highest value was shown at x=0.4 and the value was 34.3. The temperature coefficient of dielectric constant was -61 ppm/$^{\circ}C$(BMN) and 79 ppm/$^{\circ}C$ (SMN) respectively.
Sintering characteristics and electrical properties of xPb(Mg$_{1}$8/Te$_{1}$8/Mn$_{1}$4/Nb$_{1}$2/) $O_{3}$-(1-x) Pb (Zr$_{1}$2/ $Ti_{1}$2/) $O_{3}$ (x=0.075, 0.1, 0.125) ceramics are investigated. A sintering temperature of ceramics could be reduced to 950.deg. C by a reaction between PbO and B site compound material. The physical properties of 0.1Pb(Mg, Te, Mn, Nb) $O_{3}$ - 0.9Pb(Zr, Ti) $O_{3}$ bulk ceramic with 3wt% glass frit(0.857PbO-0.143W $O_{3}$) were following : den = 7.95 g/cm$^{3}$, T$_{c}$=340.deg. C, .epsilon.$_{33}$= 754, k$_{31}$=0.3 and Q.=1780. The 3-layer piezoelectric transformer by using a tape casting method showed a good monolithic structure, and its voltage setup ratio was 2.5 times higher than that of a single device by using bulk ceramics.s.s.
Microstructural evolution of alpha and beta phases during dynamic globularization of near-beta Ti-13Nb-13Zr alloy was investigated to determine the optimum processing conditions. The submicrocrystalline alloy sheet with ${\sim}80%$ of high-angle grain boundaries was produced utilizing dynamic globularization at temperature of $600^{\circ}C$, equivalent strain rate of $10^{-1}\;s^{-1}$ and strain of 1.4. The refined structure with the gain size of ${\sim}0.4{\mu}m$ showed 25-60% enhanced mechanical compatibility as compared to those of the conventional mill-annealed or solution treated and aged microstructures.
The microstructure and dielectric properties of a SrTiO3-based GBL (Grain Boundary Layer) capacitor were investigated. The 0.6 mol% Nb2O5 doped SrTiO3 was sintered for 3 hr at 1450$^{\circ}C$ in mixed gas(N2/H2) atmosphere. The Nb2O5 promoted the grain growth of the SrTiO3 ceramics was decreased with the amount of Nb2O5. The oxide mixture(PbO, Bi2O3, B2O3) were painted on the reduced specimen and fired at 1000$^{\circ}C$ to 1100$^{\circ}C$ in air. The penetrated oxide mixture into specimen were located in grain boundaries. A SrTiO3-based GBL capacitor had the apparent permittivity of about 3.0${\times}$104, the dielectric loss of 0.01-0.02, and insulating resistance of 108-109$\Omega$.cm. The capacitor had the stable temperature coefficient of capacitance and exhibited dielectric dispersion over 107 Hz. The capacitance-voltage measurements indicated that the grain boundary was composed of the continuous insulating layers.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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