Magnetic nanoparticles have been investigated for use as biomedical purposes for several years. For biomedical applications the use of particles that present superparamagnetic behavior at room temperature is preferred [1-4]. To control the magnetic materials by magnetic field is essential locate particle to the suitable destination on feeding by injection. In order to use them properly, the particles should be nano size. However there are many difficulties in applications, because there is lack of identifications in nano magnetic properties. In our studies, structural and magnetic properties of iron oxide nanoparticles were investigated by XRD, VSM, TEM, and Mossbauer spectroscopy. At 13 K, hyperfine fields of ${\gamma}-Fe_2O_3$ were 516 kOe and 490 kOe, that of $Fe_3O_4$ were 517 kOe and 482 kOe. The saturation magnetizations were 21.42 emu/g and 39.42 emu/g. The particle size of powders is 5~19 nm.
The development of mechanical alloying (MA)-oxide dispersion strengthened (ODS) heat-resistant ferritic alloys of Fe-12%Cr with W, Ti and Y₂O₃additions were carried out. Fe-12%Cr alloys with 3%W, 0.4%Ti and 0.25% Y₂O₃additions showed a much finer and more uniform dispersion of oxide particles among the alloy system studied. Nano-sized oxides dispersed in the alloys suppress the grain growth during annealing at a high temperature and resulted in the remarkable improvement of creep strength. The oxide phase was identified as a complex oxide type of Y-Ti-O.
We reported that high dielectric hafnium oxide nano-film deposited by thermal atomic layer deposition on the poly-silicon film (poly-Si). The poly -Si film was produced by plasma enhanced chemical vapor deposition and excimer laser annealing. We used the hafniu m chloride ($HfCl_4$) and water as the precursors and analyzed the hafnium oxide film by transmission electron microscope and secondary ion mass spectrometer. Hafnium oxide produced by the ALD method showed very good coverage on the rough surface of poly-Si film. While deposited with 200 cycles, these hafnium oxide films revealed a relatively smooth surface and good uniformity, but the cumulative roughness produced by the incomplete reaction was apparent when the amount of deposition cycle increased to 600 cycles.
Research on ultraviolet (UV) light detection has attracted considerable attention from scientific researchers in related fields. It can be said that it is a very important time to accurately monitor the UV irradiation amount according to the wavelength region in real time. The oxide is very diverse in its kind and has the advantage of being able to efficiently control the band gap through band gap engineering. In addition, it is very stable in response to heat and atmospheric oxygen when UV is absorbed. Also, there is a known method that can effectively manufacture oxide nanoparticles and nanorods through various synthesis methods, and researches for improving the sensitivity of UV sensors have been carried out using this method. In this paper, we introduce the materials that can be used as UV sensors among various wide band oxide materials, and review the results of researches of various UV sensors using nano materials.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.4
no.6
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pp.32-37
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2003
In this paper, the trap characteristics of thin silicon oxides is investigated in the ULSI implementation with nano structure transistors. The stress and transient currents associated with the on and off time of applied voltage were used to measure the distribution of high voltage stress induced traps in thin silicon oxide films. The stress and transient currents were due to the charging and discharging of traps generated by high stress voltage in the silicon oxides. The transient current was caused by the tunnel charging and discharging of the stress generated traps nearby two interfaces. The stress induced leakage current will affect data retention in electrically erasable programmable read only memories. The oxide current for the thickness dependence of stress current, transient current, and stress induced leakage currents has been measured in oxides with thicknesses between 113.4nm and 814nm, which have the gate area 10$\^$-3/ $\textrm{cm}^2$. The stress induced leakage currents will affect data retention, and the stress current and transient current is used to estimate to fundamental limitations on oxide thicknesses.
Objectives: Recurrent caries was partly ascribed to lack of antibacterial properties in composite resin. Silver and zinc nanoparticles are considered to be broad-spectrum antibacterial agents. The aim of the present study was to evaluate the antibacterial properties of composite resins containing 1% silver and zinc-oxide nanoparticles on Streptococcus mutans and Lactobacillus. Materials and Methods: Ninety discoid tablets containing 0%, 1% nano-silver and 1% nano zinc-oxide particles were prepared from flowable composite resin (n = 30). The antibacterial properties of composite resin discs were evaluated by direct contact test. Diluted solutions of Streptococcus mutans (PTCC 1683) and Lactobacillus (PTCC 1643) were prepared. 0.01 mL of each bacterial species was separately placed on the discs. The discs were transferred to liquid culture media and were incubated at $37^{\circ}C$ for 8 hr. 0.01 mL of each solution was cultured on blood agar and the colonies were counted. Data was analyzed with Kruskall-Wallis and Mann-Whitney U tests. Results: Composites containing nano zinc-oxide particles or silver nanoparticles exhibited higher antibacterial activity against Streptococcus mutans and Lactobacillus compared to the control group (p < 0.05). The effect of zinc-oxide on Streptococcus mutans was significantly higher than that of silver (p < 0.05). There were no significant differences in the antibacterial activity against Lactobacillus between composites containing silver nanoparticles and those containing zinc-oxide nanoparticles. Conclusions: Composite resins containing silver or zinc-oxide nanoparticles exhibited antibacterial activity against Streptococcus mutans and Lactobacillus.
Nano porous indium tin oxide (ITO) powder was synthesized employing a new route sol-gel combustion hybrid method using Ketjen Black as a fuel. The nano porous ITO powder was composed of $SnCl_4$-98.0% and $In(NO_3)_3{\cdot}XH_2O$-99.999%, produce with a $NH_4OH$ with sol-gel method as a catalyst [1,2]. Crystal structures were examined by powder X-ray diffraction (XRD), and those results show shaper intensity peak at $25.6^{\circ}(2{\Theta})$ of $SnO_2$ by increased sintering temperature. A particle morphology as well as crystal size was investigated by scanning electron microscopy(FE-SEM), and the size of the nano porous powder was found to be in the range of 20~30nm. ITO films could controlled by nano porous powder at various sintering temperature in this paper[3,4]. The sol-gel combustion method was offered simple and effective route for the synthesis of nano porous ITO powder[5].
Journal of Institute of Control, Robotics and Systems
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v.14
no.5
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pp.420-425
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2008
PMMA light guiding plate with nano-sized pattern was fabricated using anodized aluminum oxide membrane as a template for nano imprint lithography. Nano-sized pore arrays were prepared by the self-organization processes of the anodic oxidation using the aluminum plate with 99.999% purity. Since the aluminum plate has a rough surface, the aluminum plate with thickness of 1mm was anodized after the pre-treatments of chemical polishing, and electrochemical polishing. The surface morphology of the alumina obtained by the first anodization process was controlled by the concentration of electrochemical solution during the first anodization. The surface morphology of the alumina was also changed according to temperature of the solution during chemical polishing performed after first anodization. The pore widening process was employed for obtaining the one-channel with flat surface and height of the channel because the pores of the alumina membrane prepared by the fixed voltage method shows the structure of two-channel with rough surface. It is shown from SPM results that the nano-sized pattern on PMMA light guiding plate fabricated by nano imprint lithography method was well transferred from that of anodized aluminum oxide template.
Kim, So-A-Ram;Nam, Gi-Woong;Kim, Min-Su;Yim, Kwang-Gug;Kim, Do-Yeob; Leem, Jae-Youn
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.250-250
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2011
Zinc oxide (ZnO) structures have great potential in many applications. Currently, the most commonly used method to grow ZnO nanostructres are the vapor transport method (VPT). The morphology of the ZnO structures largely related to the growth conditions, including growth temperature, distance between the substrate and source, and gas ambient. Previously ZnO nanosturecutres with high crystallinity were obtained at the growth temperature of 800$^{\circ}C$, in the argon and oxygen gas ambient. In this study, we report the properties of the ZnO nanostructures, which were synthesized on Au-catalyzed Si substrate by VPT, using a mixture of ZnO and graphite powders as source material under the different condition, including gas ratio of argon/oxygen and distance between substrate and source at the growth temperature of 800$^{\circ}C$. The structural and optical properties of the ZnO nanostructures were investigated by field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), X-ray diffraction (XRD), and photoluminescence (PL).
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.240-240
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2010
A multiple alloy metal nano-dots memory using FN tunneling was investigated in order to confirm its structural possibility for future flash memory. In this work, a multiple FePt nano-dots device with a high work function (~5.2 eV) and extremely high dot density (${\sim}\;1.2{\times}10^{13}/cm^2$) was fabricated. Its structural effect for multiple layers was evaluated and compared to one with a single layer in terms of the cell characteristics and reliability. We confirm that MOS capacitor structures with 2-4 multiple FePt nano-dot layers provide a larger threshold voltage window and better retention characteristics. Furthermore, it was also revealed that several process parameters for block oxide and inter-tunnel oxide between the nano-dot layers are very important to improve the efficiency of electron injection into multiple nano-dots. From these results, it is expected that a multiple FePt nano-dots memory using Fowler-Nordheim (FN)-tunneling could be a candidate structure for future flash memory.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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