• 해양환경안전학회지
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• 제14권1호
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• pp.39-43
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• 2008

해양환경 오염에 대한 관심이 많아지면서 해양환경 인자에 대한 감시가 그 중요성을 더해 가고 있다. 지금까지는 이에 대한 감지를 위한 센서의 부재로 인하여 해수를 채취하여 실험실에서 고가의 장비를 이용하여 분석하여 왔다. 이는 해양의 실시간 감시가 어려울 뿐 아니라 급변하는 해양 상태를 정확하게 파악하기 어려운 면이 있어왔다. 이러한 단점을 보완하기위해서 나노기술을 이용한 해양용 센서 개발이 시급히 요구되는 바 이에 대한 기술적인 분야와 특징 및 타당성을 검토하였다 현재 기술적으로 개발이 가능하고 국제적으로 경쟁력이 있는 분야로는 나노스핀소자를 이용한 바이오분자 감지, 탄소나노튜브의 전도성 변화에 따른 해양인자 감시기술, 그리고 나노반도체를 이용한 적조관련 미생물 감지 기술을 제시하였다. 이 기술들의 특징과 해양환경에서의 적용을 위하여 개발하여야 할 요소 기술을 찾아보고 문제점들을 극복할 수 있는 방안을 제시하였다.

• KEPCO Journal on Electric Power and Energy
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• 제1권1호
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• pp.175-180
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• 2015

본 연구에서는 간단한 화학적 합성 방법을 통하여 스테인레스 기판 위에 nano-bud 형태의 수산화 구리 박막을 형성하였다. 그리고 또 다른 합성 방법인 chemical bath deposition을 이용하여 수산화 구리 나노 구조를 간단하고 친환경적으로 형성하였다. 수산화 구리 박막의 구조적 연구는 X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), field emission scanning electron microscopy (FESEM) 방법을 통하여 이루어졌으며 다결정의 nano-bud 형상을 확인할 수 있었다. 또한 나노 구조로 합성된 수산화구리 전극의 전기화학적 측정은 1M KOH의 전해질 조건에서 cyclic voltammetry (CV) and galvanostatic charge-discharge (GCD)에서 측정되었으며 $340Fg^{-1}$의 높은 비 용량을 보였다. 또한 $1mA\;cm^{-2}$ 의 전력 밀도에서 ${\sim}83Wh\;kg^{-1}$의 높은 에너지 밀도와 ${\sim}3.1kW\;kg^{-1}$의 높은 출력 밀도를 가지며 향상된 전극의 성능을 보였다. 이러한 뛰어난 의사 캐패시터의 성능은 수산화 구리의 nano-bud 형상에 의한 효과로 확인할 수 있었다. 본 연구를 통하여 화학적 합성 방법의 확장을 통하여 수산화 구리 전극의 에너지 저장 장치로써의 성능을 확인할 수 있었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.356-358
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• 2004

In this paper we fabricated and succeeded to demonstrate a test panel for AMOLED on 2" glass and PET substrate. The test panel consisted of an array of 64 x 64 pixels in which OLEDs was driven by pentacene TFT. OTFTs were made of the inverted staggered structure and employed polyvinylphenol as the gate insulator and pentacene thin film as the active layer, producing the filed effect mobility of 0.3$cm^2$/V.sec and on/off current ratio of $10^5$. OLEDs were composed of TPD for HTL and Alq3 for EML with 35nm thick each, generating green monochrome light.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 춘계종합학술대회
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• pp.275-278
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• 2002

MOSFET의 게이트 길이가 50nm이하로 작아지면 소자를 설계함에 있어 고려해야 하는 많은 문제점들이 존재하게 된다. 본 논문에서는 MOSFET 소자에 대한 문턱 전압 특성을 조사하였다. 소자에 대한 스케일링은 generalized scaling을 사용하였고 게이트 길이 100nm에서 30nm까지 시뮬레이션 하였다. 이때 나노 구조 MOSFET에 대한 스케일링의 한계를 볼 수 있었다. 문턱 전압을 구하는 방법으로는 선형 추출 방법을 사용하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.937-939
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• 2007

Carbon nanotubes (CNTs) have used as an electron field emitter of the field emission display (FED) due to their characteristics of high-electron emission, rapid response and low power consumption. However, to commercialize the FED with CNT emitter, some fundamental problems regarding life time and emission efficiency have to be solved. In this study, we investigated the $TiO_2$ coated CNT as a field emitter. $TiO_2$ nanoparticles can coated on CNT surface by chemical solution method. $TiO_2$ nanoparticles had uniform size with the average size of about 2.4 nm to 3.1 nm. Field emission performance of CNT coated with $TiO_2$ nanoparticles was evaluated and discussed.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.388-388
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• 2012

In this letter, We have investigated cell characteristics of the alloy FePt-NDs charge trapping memory capacitors with high-k $Al_2O_3$ dielectrics as a blocking oxide. The capacitance versus voltage (C-V) curves obtained from a representative MOS capacitor embedded with FePt-NDs synthesized by the post deposition annealing (PDA) treatment process exhibit the window of flat-band voltage shift, which indicates the presence of charge storages in the FePt-NDs. It is shown that NDs memory with high-k $Al_2O_3$ as a blocking oxide has performance in large memory window and low leakage current when the diameter of ND is below 2 nm. Moreover, high-k $Al_2O_3$ as a blocking oxide increases the electric field across the tunnel oxide, while reducing the electric field across the blocking layer. From this result, this device can achieve lower P/E voltage and lower leakage current. As a result, a FePt-NDs device with high-k $Al_2O_3$ as a blocking oxide obtained a~7V reduction in the programming voltages with 7.8 V memory.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제29권2호
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• pp.335-338
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• 2008

New efficient red emitter having short p?-conjugation length and asymmetric bulky structure, 2-(7-diphenylamino-benzo[1,2,5]thiadiazole-4-ylmethylene)-malononitrile, was synthesized and characterized. Using this material as a dopant, we fabricated electroluminescence device with a structure of ITO/DNTPD/NPD/BTZA (5 wt% in Alq3)/Alq3/LiF/Al. The device exhibited a high brightness of 761 cd/m2 at a driving voltage of 4.8 V, and current efficiency is 0.75 cd/A. The Commission International de IEclairage (CIE) coordinates of the EL device were found to be (0.62, 0.37) at 10 mA/cm2.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권12호
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• pp.1017-1021
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• 2007

To implement tera bit level non-volatile memories of low power and fast operation, proving statistical reproductivity and satisfying reliabilities at the nano-scale are a key challenge. We fabricate the charge trapping nano scaled SONOS unit memories and 64 bit flash arrays and evaluate reliability and performance of them. In case of the dielectric stack thickness of 4.5 /9.3 /6.5 nm with the channel width and length of 34 nm and 31nm respectively, the device has about 3.5 V threshold voltage shift with write voltage of $10\;{\mu}s$, 15 V and erase voltage of 10 ms, -15 V. And retention and endurance characteristics are above 10 years and $10^5$ cycle, respectively. The device with LDD(Lightly Doped Drain) process shows reduction of short channel effect and GIDL(Gate Induced Drain Leakage) current. Moreover we investigate three different types of flash memory arrays.

• 대한기계학회논문집A
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• 제28권12호
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• pp.1997-2003
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• 2004

This paper presents a new method and an associated device, capable of detecting protein presence and size from the shift of the mechanical stiffness changing points due to the presence and size of proteins in a nano-gap actuator. Compared to the conventional resonant detection method, the present nanomechanical stiffness detection method shows higher precision for protein detection. The present method also offers simple and inexpensive protein detection devices by removing labeling process and optical components. We design and fabricate the nanomechanical protein detector using an electrothermal actuator with a nano-gap. In the experimental study, we measure the stiffness changing points and their coordinate shift from the devices with and without target proteins. The fabricated device detects the protein presence and the protein size of 14.0$\pm$7.4nm based on the coordinate shift of stiffness changing points. We experimentally verify the protein presence and size detection capability of the nanomechanical protein detector for applications to high-precision biomolecule detection.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.57-57
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• 2010

In this study, nano-sized phase change materials were evaluated using nanoimprint lithography and c-AFM technique. The 200nm in diameter phase change nano-pillar device of GeSbTe, AgInSbTe, InSe, GeTe, GeSb were successfully fabricated using nanoimprint lithography. And the electrical properties of the phase change nano-pillar device were evaluated using c-AFM with pulse generator and voltage source.