동아시아 지역은 최근 인구급증과 경제성장으로 인해 화석연료의 사용이 증가함에 따라 이로 인한 대기오염물질 배출이 증가하여 대기질이 점차 악화되고 있다. 본 연구에서는 OMI (Ozone Monitoring Instrument) 위성 자료와 국가 대기오염물질 배출량 자료(National Emission Inventory)를 활용하여 동아시아의 대기현황 및 우리나라의 대기질에 국내외 배출량이 미치는 영향을 분석하고 이를 기반으로 미래 배출량을 추정하였다. 2005년부터 2015년까지 동아시아의 NO2, SO2 농도를 분석한 결과, 두 물질 모두 NEC (North East China), SEC(South East China), SMA (Seoul Metropolitan Area) 순으로 높았다. SO2는 우리나라와 중국의 편차가 크게 나타나NEC 지역은 SMA보다 1.63배 높았다. 농도비와 배출비 분석을 통해 국외 배출원이 우리나라 대기환경에 미치는 영향을 간접적으로 파악할 수 있었는데, NO2/SO2 농도비는 우리나라와 중국 모두 2013년에 가장 높았고, SMA의 NOx/SOx 배출비는 2013년 이후 22% 이상 증가했다. 국내 배출량은 지속적으로 감소했으나 농도-배출량 비율(NO2/NOx, SO2/SOx)은 점차 증가하는 것으로 분석되었으며, 이는 곧 국내 배출량 외에 다른 요인(국외 배출원, 체류시간 변화 등)이 우리나라 수도권의 대기질에 영향을 주고 있다는 것으로 해석된다. SMA의 미래 배출량은 2025년에 NOx, SOx가 각각 296.2, 39.0 kton, 2035년에는 284.4, 33.8 kton 만큼 배출될 것으로 예측되었다. 본 연구에서는 공간적 제약을 받지 않는 위성자료의 장점을 이용하여 농도와 배출량 사이의 유의미한 결과를 도출하였으며, 이 연구에서 사용된 위성관측 농도와 배출량 간의 상호비교 분석방법론과 GEMS(Geostationary Environment Monitoring Spectrometer) 위성 산출물을 활용하여, 향후 국내 대기질 영향요인을 파악하기 위한 국외 발 대기오염물질 기여도 분석과 배출 인벤토리 보완을 위한 기초 자료를 제시할 수 있을 것으로 기대한다.
한국결정성장학회 1996년도 The 9th KACG Technical Annual Meeting and the 3rd Korea-Japan EMGS (Electronic Materials Growth Symposium)
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pp.179-200
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1996
The intrinsic instabilities of fluid flow occurred in the melt of the Czochralski crystal growth system Czochralski method, asymmetric flow patterns and temperature profiles in the melt have been studied by many researchers. The idea that the non-symmetric structure of the growing equipment is responsible for the asymmetric profiles is usually accepted at the first time. However further researches revealed that some intrinsic instabilities not related to the non-symmetric equipment structure in the melt could also appear. Ristorcelli had pointed out that there are many possible causes of instabilities in the melt. The instabilities appears because of the coupling effects of fluid flow and temperature profiles in the melt. Among the instabilities, the B nard type instabilities with no or low crucible rotation rates are analyzed by the visualizing experiments using X-ray radiography and the 3-D numerical simulation in this study. The velocity profiles in the Silicon melt at different crucible rotation rates were measured using X-ray radiography method using tungsten tracers in the melt. The results showed that there exits two types of fluid flow mode. One is axisymmetric flow, the other is asymmetric flow. In the axisymmetric flow, the trajectory of the tracers show torus pattern. However, more exact measurement of the axisymmetrc case shows that this flow field has small non-axisymmetric components of the velocity. When fluid flow is asymmetric, the tracers show random motion from the fixed view point. On the other hand, when the observer rotates to the same velocity of the crucible, the trajectory of the tracer show a rotating motion, the center of the motion is not same the center of the melt. The temperature of a point in the melt were measured using thermocouples with different rotating rates. Measured temperatures oscillated. Such kind of oscillations are also measured by the other researchers. The behavior of temperature oscillations were quite different between at low rotations and at high rotations. Above experimental results means that the fluid flow and temperature profiles in the melt is not symmetric, and then the mode of the asymmetric is changed when rotation rates are changed. To compare with these experimental results, the fluid flow and temperature profiles at no rotation and 8 rpm of crucible rotation rates on the same size of crucible is calculated using a 3-dimensional numerical simulation. A finite different method is adopted for this simulation. 50×30×30 grids are used. The numerical simulation also showed that the velocity and flow profiles are changed when rotation rates change. Futhermore, the flow patterns and temperature profiles of both cases are not axisymmetric even though axisymmetric boundary conditions are used. Several cells appear at no rotation. The cells are formed by the unstable vertical temperature profiles (upper region is colder than lower part) beneath the free surface of the melt. When the temperature profile is combined with density difference (Rayleigh-B nard instability) or surface tension difference (Marangoni-B nard instability) on temperature, cell structures are naturally formed. Both sources of instabilities are coupled to the cell structures in the melt of the Czochralski process. With high rotation rates, the shape of the fluid field is changed to another type of asymmetric profile. Because of the velocity profile, isothermal lines on the plane vertical to the centerline change to elliptic. When the velocity profiles are plotted at the rotating view point, two vortices appear at the both sides of centerline. These vortices seem to be the main reason of the tracer behavior shown in the asymmetric velocity experiment. This profile is quite similar to the profiles created by the baroclinic instability on the rotating annulus. The temperature profiles obtained from the numerical calculations and Fourier transforms of it are quite similar to the results of the experiment. bove esults intend that at least two types of intrinsic instabilities can occur in the melt of Czochralski growing systems. Because the instabilities cause temperature fluctuations in the melt and near the crystal-melt interface, some defects may be generated by them. When the crucible size becomes large, the intensity of the instabilities should increase. Therefore, to produce large single crystals with good quality, the behavior of the intrinsic instabilities in the melt as well as the effects of the instabilities on the defects in the ingot should be studied. As one of the cause of the defects in the large diameter Silicon single crystal grown by the
In this paper, to enhance the performance of ${\pi}$/4-DQPSK (${\pi}$/4-differential quadrature phase shift keying), the scheme using nonredundant multiple error correction is proposed and investigated. This scheme for the differential detection of ${\pi}$/4-DQPSK uses the signal output which is delayed for more than two time slots as the parity check bit and applies it to nonredundant multiple error correction. The proposed system was used for studying the performance of ${\pi}$/4-DQPSK with Nonredundant Error Correction (NEC) in additive white Gaussian noise (AWGN) and Nakagami fade modeled mobile communication channel, and it was observed that the performance increased as the error correction capability increased.
In this paper, an adaptive beam tracing method with revised subdivision technique is proposed, in which the beam is generated by a set of three rays. According to reflection and/or refraction of the rays on the buildings and/or ground, additional rays are generated adaptively and the beam is subdivided efficiently and automatically. After generation of the set of beams, we transform the electromagnetic wave propagation data into volume data. Then one can visualize the data of propagation with reflection, refraction and interaction in full three dimensional space at any viewpoint by the so-called ray casting algorithm, which is one of the most useful methods in compute. graphics(CG).
In this paper. we propose a floating resistor with positive and negative resistance operating at lower supply voltages. The circuit uses only two transistors between the supply voltages. which enable to operate it at low supply voltages. Moreover. the circuit uses fewer number of transistors compared to the reported work. The gate terminal is used in this circuit for the current addition/subraction at the terminals of resistor. The characteristic of the proposed circuit is verified using HSPICE for the power supply +/-1.5V.
Breast cancer, the most common cancer in the women, is the leading cause of death. Necrotic signaling pathways will enable targeted therapeutic agents to eliminate apoptosis-resistant cancer cells. In the present study, the effect of shikonin on the induction of cell necroptosis or apoptosis was evaluated using the T-47D breast cancer cell line. The cell death modes, caspase-3 and 8 activities and the levels of reactive oxygen species (ROS) were assessed. Cell death mainly occurred through necroptosis. In the presence of Nec-1, caspase-3 mediated apoptosis was apparent in the shikonin treated cells. Shikonin stimulates ROS generation in the mitochondria of T-47D cells, which causes necroptosis or apoptosis. Induction of necroptosis, as a backup-programmed cell death pathway via ROS stimulation, offers a new strategy for the treatment of breast cancer.
Two different kinds of subjects are discussed. One is " Enhanced color space for displays" and the other one is"An application for large format displays". Originally defined color space by NTSC has never been used widely for TVs and information displays as there have been no available display devices. LCD panels with new light sources for backlighting will provide much wider color space. LCD monitors which use these new panels will meet almost 100% with the color space defined by NTSC or Adobe. Now, It is the time to deploy wider color space defined by such as the NTSC or Adobe as the standard of LCD display panels. As the large format display devices with reasonable price have not been available till plasma panels became available, application of these panels as an information display in public space is a quite new experience for us. Various kinds of practical applications are observed and coming out. It will generate many and new types of businesses.
1991년 일본 NEC의 Iijima가 탄소 나노튜브를 발견한 이후, 1995년 Smalley와 De Heer에 의해 탄소 나노튜브의 우수한 전폐방출 특성이 보고되면서 탄소 나노튜브를 새로운 전계방출 물질로 응용하기 위한 연구가 세계적으로 활발히 진행되고 있다. 탄소 나노튜브의 전계방출 연구는 대부분 시장규모가 클 것으로 예상되는 field emission display(FEED)의 cathode에 집중되고 있다. FED cathode는 현재 탄소 나노튜브 페이스트를 스크린 프린팅하여 대면적화를 이루고자 하는 방향과 탄소 나노튜브를 기판 위에 chemical vapor deposition(CVD)로 증착하여 고정세화와 저전압 구동을 이루고자 하는 방향으로 진행되고있다.
Amusement park's indispensable facilities are dependent on electrical energy. So it is very important to ensure electrical power against fire, power failure, disaster and accident. To find out present problems, investigation was carried out for emergency and standby power systems at amusement park all over the country. We research the related regulations for Electrical facilities of internal standards and NEC. As a result, we could know that there is discrepancy between the electrical regulation and the actual condition.
It is commonly believed that high permittivity materials will be necessary for future high density Gbit DRAMs. In a first part, we explain the choice of SrTiO3 by ECR MOCVD for Gbit-scale DRAMs. In a second part, after describing the ECR MOCVD system and presenting the requirements SrTiO3 thin films should meet for use in Gbit-scale DRAMs, the physical and electrical properties of srTiO3 thi film prepared by ECR MOCVD are then studied. A stacked capacitor technology, suitable for use in 1 Gbit DRAM, and comprising high permittivity SrTiO3 thin films prepared by ECR MOCVD at $450^{\circ}C$ on electron beam and RIE patterned RuO2/TiN storage nodes is finally described.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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