• 한국진공학회지
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• 제17권3호
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• pp.215-219
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• 2008

실리콘 웨이퍼 위에 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) 방법으로 증착 된 SiNx 박막의 수소 함량을 측정하였다. 제작된 SiNx 박막은 Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FT-IR) 사용하여 박막의 수소함량과 결합상태를 확인하였으며, Atomic Force Microscopy (AFM) 측정을 통하여 박막의 표면 거칠기를 비교, 시료의 조성비 평가를 위하여 Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS)을 사용하였다. 또한 SiNx박막의 조성확인을 위하여 Photoluminescence(PL)를 이용하여 FT-IR spectrum의 결과와 비교 해석하였다. FT-IR에서 NH의 수소함량(at%)이 0.92 %에서 0.64 %로 낮아질 수록 AFM을 이용한 표면 거칠기는 12.8 $\AA$에서 10.8 $\AA$로 낮아지고, Si양이 상대적으로 많아지는 것을 PL에서 확인하였으며, RBS에서도 시뮬레이션을 통해 비슷한 결과를 얻을 수 있었는데, 이는 FT-IR을 사용함으로써 SiNx 박막의 수소 함량의 측정이 가능하다는 것을 보여주므로 단위공정에서 신속하게 SiNx 박막 분석이 가능함을 알 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SP
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• 제49권3호
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• pp.40-50
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• 2012

본 논문은 HEVC 인코딩 속도 향상을 위한 고속 CU (Coding Unit) 결정 방법을 제안한다. 본 논문에서는 계산 복잡도 감소와 속도향상을 위하여 CU, PU (Prediction Unit), 그리고 TU (Transform Unit) 의 결정을 두 단계로 나누어 실시한다. 첫번째 단계에서는 LCU (Largest Coding Unit)내 각 CU의 깊이를 결정하며, 이때 $2N{\times}2N$ PU의 선택 비율이 높다는 통계적 특성을 고려하여 $2N{\times}2N$ PU만을 사용한다. 두 번째 단계에서는 첫 번째 단계에서 결정된 CU의 깊이 정보를 이용하여, 해당 깊이에서 정확한 PU와 TU를 결정한다. 또한, 두 번째 과정에서는 보다 효율적인 복잡도 감소 효과를 얻기 위하여 제안하는 스킵을 이용한 CU 조기 종료 알고리듬 이용한다. 제안하는 방법은 모든 깊이에서, 모든 종류의 PU와 TU의 결정을 통한 부호화 과정을 거치지 않기 때문에 계산 복잡도 감소 효과를 얻을 수 있으며, 기존의 HEVC 레퍼런스 소프트웨어인 HM3.3 대비 약 2% 정도의 비트율이 증가하면서, 약 50% 의 복잡도 감소 효과를 얻을 수있었다.

• 대한수학회지
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• 제32권3호
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• pp.615-623
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• 1995

Consider a function m defined in $R^n$ and the associated convolution operator T given by the Fourier transform $\hat{T} = m\hat{f}$.

• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제1권1호
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• pp.13-20
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• 1994

The goal of this paper is to obtain some information on the best con-stants in some weak-type inequalities an X-valued martingale and its transform by a real predictable sequence uniformly bounded in absolute value by one.

• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제7권3호
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• pp.959-968
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• 2000

The existence of the operator-valued Feynman integral was established when a Wiener functional is given by a Fourier transform of complex Borel measure [1]. In this paper, I investigate a stability of the Feynman integral with respect to the potentials.

• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제24권1_2호
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• pp.529-534
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• 2007

We obtain an explicit expression of the loss probability for the PR/M/1/K queue when the offered load is strictly less than one.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제16권2호
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• pp.49-54
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• 2017

In this paper, recent researches on new and renewable energy have been conducted due to problems such as energy exhaustion and environmental pollution, and new researches on high efficiency and high speed switching are needed. Therefore, we compared the efficiency by using high speed switching devices instead of IGBT which can't be used in high speed switching. The experiment was performed theoretically by applying the same parameters of the high speed switching devices which are the Cool MOS of Infineon Co., SiC C3M of Cree, and GaN FET device of Transform, by implementing the DC-DC boost converter and measuring the actual efficiency for output power and frequency. As a result, the GaN FET showed good efficiency at all switching frequency and output power.

• 한국통신학회논문지
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• 제38A권12호
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• pp.1030-1038
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• 2013

분산 안테나 간 주파수 오차에 의한 반송파 간 간섭을 효율적으로 제거하는 알라무티 부호화 직교주파수분할다중화 방식을 제안한다. 주파수 오차에 의한 반송파 간 간섭을 제거하기 위해 제안된 기존의 알라무티 부호화 직교주파수분할다중화 방식들은 변복조시 N-점 고속푸리에변환을 사용한다. 그런데, N-점 고속푸리에변환 연산의 순환적 특성에 의해 반송파 간 간섭 성분 또한 N을 주기로 순환되어 성능이 나빠진다. 이를 피하기 위해 반송파 간 간섭을 크게 발생시키는 다수의 부반송파에 영심볼을 전송하는데, 이로 인해 데이터 전송률이 떨어지는 단점이 있다. 제안하는 방식은 주파수 오차를 제거하기 위해 제안된 방식에서 사용한 N-점 고속푸리에변환 대신 표본화율을 2배 높인 2N-점 고속푸리에변환 연산을 사용한다. 고속푸리에변환 연산의 표본화율이 2배 증가함으로써 주파수 오차에 의해 발생하는 반송파 간 간섭의 주기 또한 2배가 되어 각 부반송파에 미치는 영향이 확연히 감소하게 된다. 제안하는 방식은 전체 반송파 간 간섭을 감소시킴으로써 성능이 나빠지는 것을 피하기 위해 사용한 영심볼의 개수를 감소시켜 데이터 전송률의 손실을 막는다. 특히 16-직교진폭변조나 64-직교진폭변조와 같은 높은 차수의 변조방식에서 제안하는 방식의 데이터 전송률 이득 및 성능 이득은 더욱 증가한다.

• 대한수학회지
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• 제59권2호
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• pp.235-254
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• 2022

Let ℍⁿ be the Heisenberg group and Q = 2n + 2 be its homogeneous dimension. Let 𝓛 = -∆_ℍⁿ + V be the Schrödinger operator on ℍⁿ, where ∆_ℍⁿ is the sub-Laplacian and the nonnegative potential V belongs to the reverse Hölder class $B_{q_1}$ for q₁ ≥ Q/2. Let H^p_𝓛(ℍⁿ) be the Hardy space associated with the Schrödinger operator 𝓛 for Q/(Q+𝛿₀) < p ≤ 1, where 𝛿₀ = min{1, 2 - Q/q₁}. In this paper, we consider the Hardy type estimates for the operator T_𝛼 = V^𝛼(-∆_ℍⁿ + V )^-𝛼, and the commutator [b, T_𝛼], where 0 < 𝛼 < Q/2. We prove that T_𝛼 is bounded from H^p_𝓛(ℍⁿ) into L^p(ℍⁿ). Suppose that b ∈ BMO^𝜃_𝓛(ℍⁿ), which is larger than BMO(ℍⁿ). We show that the commutator [b, T_𝛼] is bounded from H¹_𝓛(ℍⁿ) into weak L¹(ℍⁿ).

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.247-250
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• 2001

We studied optical properties of SiON thin-film in the applications of optical waveguide. SiON thin-film was grown in $300^{\circ}C$ by PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) system. The change of SiON thin-film composition and refractive Index was studied as a function of varying $NH_3$ gas flow rate. As $NH_3$ gas flow rate was increased, Quantity of N and refractive index were increased at the same time. By the results, we could form the SiON thin-film to use of a waveguide with refractive index of 1.6. We analyzed the conditions of the thin-film with FTIR(fourier transform infrared) and OES (optical emission spectroscopy). N-H bonding($3390cm^{-1}$ ) can be removed by thermal annealing. And we could observe the SiH bonding state and quantity by OES analysis in $SiH_4$