• 한국미생물·생명공학회지
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• 제18권3호
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• pp.309-316
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• 1990

Bacillus circulans F-2의 생산하는 NaCl 의존성 amylase(NaCl-dependent amylase) 유전자를 함유하는 1795bp의 DNA 염기배열을 결정하였다. 본 유전자의 ORF는 총염기수 1005bp(335 아미노산)로 구성되며, 분자량 38,006의 amylase의 분자량 약 35,000과 일치하였다. 본 유전자의 상류영역(upstream region)에는 고초균(Bacillus subtiis)의 전형적인 전사발현영역(transcriptional region)과 상보적인 DNA역역이 존재하였다. 성숙단백질의 N-말단측 아미노산 배열은 Ala-Ser-Lys-Val-Gly이며, 분비에 필요한 20개의 signal 아미노산 배열을 갖는 전형적인 분비 단백질임이 확인 되었다. 한편 다른 amylase들과 비교결과, smylase 활성발현과 밀접히 관련되 있는 4개 부위의 상보성영역(homologous region)을 가지고 있었다.

• 미생물학회지
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• 제30권5호
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• pp.403-409
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• 1992

STA1 유전자의 promoter 와 분비신호서열을 이용하여 B. subtilis 의 CMSase 를 분비하는 재조합 효모균주를 육성하였다. STA1A 유전자의 promoter, 분비신호서열, TS region 및 mature glucoamylase N-말단부위의 아미노산 98개와 B. subtilis 의 CMCase 구조유전자가 차례로 연결된 재조합플라스미드 pYESC24 를 제작한후 효모에 형질전환하였으나 CMCase 가 세포외로 분비되지 않았다. 반면에 STA1 의 TS region 및 mature glucoamylase N-말단 아미노산 98 개를 제거하여 CMMase 구조유전자갸 STA1 의 분비신호서열에 바로 연결된 재조합 플라스미드 pYESC11 에 의한 효모형질전환 균주는 CMCase 분비능이 아주 우수하였다. 이 형질전환 균주를 YPD 배지에서 4 일간 배양한 후 세포부위 별 CMCase 역가를 측정한 결과 배양액 1 m/당 총역가 44.7 unit 존재하였으며 이중 93% 이상이 배양상등액에서 관찰되었다.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• 제38권2호
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• pp.135-143
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• 2021

We report, for the first time, the afternoon (i.e., from noon to sunset time) observations of the northern mid-latitude E-region field-aligned irregularities (FAIs) made by the very high frequency (VHF) coherent backscatter radar operated continuously since 29 December 2009 at Daejeon (36.18°N, 127.14°E, 26.7°N dip latitude) in South Korea. We present the statistical characteristics of the mid-latitude afternoon E-region FAIs based on the continuous radar observations. Echo signal-to-noise ratio (SNR) of the afternoon E-region FAIs is found to be as high as 35 dB, mostly occurring around 100-135 km altitudes. Most spectral widths of the afternoon echoes are close to zero, indicating that the irregularities during the afternoon time are not related to turbulent plasma motions. The occurrence of afternoon E-regional FAI is observed with significant seasonal variation, with a maximum in summer and a minimum in winter. Furthermore, to investigate the afternoon E-region FAIs-Sporadic E (E_s) relationship, the FAIs have also been compared with E_s parameters based on observations made from an ionosonde located at Icheon (37.14°N, 127.54°E, 27.7°N dip latitude), which is 100 km north of Daejeon. The virtual height of E_s (h'E_s) is mainly in the height range of 105 km to 110 km, which is 5 km to 10 km greater than the bottom of the FAI. There is no relationship between the FAI SNR and the highest frequencies (f_tE_s) (or blanket frequencies (f_bE_s)). SNR of FAIs, however, is found to be related well with (f_tE_s-f_bE_s).

• 한국진공학회지
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• 제7권s1호
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• pp.15-19
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• 1998

Structural and optical properties of $In_xGa_{1-X}N$ as well as $In_{0.1}Ga_{0.9}N$/GaN single quantum we11 (SQW) grown on sapphire (0001) substrate with an based GaN using rf-plasma assisted MBE have been investigated. The quality of the InXGal.,N fdm was improved as the growth temperature increased. In PL measurements at low temperatures, the band edge emission peaks of $In_xGa_{1-X}N$ was shifted to red region as an indium cell and substrate temperature increased. For $In_{0.1}Ga_{0.9}N$/GaN SQW, the optical emission energy has blue shift about 15meV in PL peak, due to the confined energy level in the well region. And, the FWHM of the $In_{0.1}Ga_{0.9}N$/GaN SQW was larger than that of the bulk Ino,la.9N films. The broadening of FWHM can be explained either as non-uniformity of Indium composition or the potential fluctuation in the well region. Photoconductivity (PC) decay measurement reveals that the optical transition lifetimes of the SQW measured gradually increased with temperatures.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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• pp.233-236
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• 2012

본 논문에서는 차단층 설계 변수에 따른 GaN 기반 LED의 출력 특성을 분석하였다. 사용된 LED의 기본 구조는 GaN 버퍼층을 기반으로 GaN 장벽과 InGaN 양자 우물로 이루어진 활성 영역이 AlGaN EBL(Electron Blocking Layer)과 AlGaN HBL(Hole Blocking Layer) 사이에 구성되어 있다. ISE-TCAD를 이용하여 GaN 기반 LED에서 EBL의 Al 몰분율과 두께, HBL의 Al 몰분율과 도핑 농도에 따른 출력 전력과 내부 양자 효율 특성을 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.486-487
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• 2007

$Bi_2Sr_2Ca_{n-1}Cu_nO_x$(n=0, 1, 2) thin films have been fabricated by co-deposition at an ultra-low growth rate using ion beam sputtering(IBS) method. The growth rates of the films was set in the region from 0.17 to 0.27 nm/min. MgO(100) was used as a substrate. In order to appreciate stable existing region of Bi 2212 phase with temperature and ozone pressure, the substrate temperature was between 655 and $820^{\circ}C$ and the highly condensed ozone gas pressure in vacuum chamber was varied between $2{\times}10^{-6}{\sim}4{\times}10^{-5}$ Torr. Bi 2212 phase appeared in the temperature range of 750 and $795^{\circ}C$ and single phase of Bi 2201 existed in the lower region than $785^{\circ}C$. Whereas, $PO_3$ dependance on structural formation was scarcely observed regardless of the pressure variation.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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• pp.251-254
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• 2012

본 논문에서는 양자 우물 구조 변화에 따른 GaN 기반 LED의 출력 특성을 분석하였다. 사용된 LED의 기본 구조는 GaN 버퍼층을 기반으로 GaN 장벽과 InGaN 양자 우물로 이루어진 활성 영역이 AlGaN EBL(Electron Blocking Layer)과 AlGaN HBL(Hole Blocking Layer) 사이에 구성되어 있다. ISE-TCAD를 이용하여 LED 활성영역의 양자 우물의 두께와 개수, 장벽의 도핑 변화에 따른 출력 전력, 내부 양자 효율 특성을 분석하였다.

• 토지주택연구
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• 제6권2호
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• pp.79-88
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• 2015

2010년 5월 북한의 김정일 위원장은 중국 베이징방문을 통하여 북 중 경협 강화와 경제특구 개발 가속화를 위해 라선과 황금평 위화도를 개발하기로 후진타오 주석과 공동인식을 달성하게 된다. 이것이 바로 "조중 공동개발 공동관리 라선경제무역지대와 황금평 경제지대"이다. 그러나 북 중 접경지역 경제협력의 대표적인 지역으로 발전과 변화를 기대했으나 2013년 2월 북한의 3차 핵실험과 더불어 시진핑(習近平) 국가 주석을 비롯한 중국 5세대 지도부의 북한에 대한 태도는 과거와 다른 냉랭함이 묻어 나오고 있다. 이는 북 중 관계의 흐름이 과거와 같지 않다는 것을 의미하는데, 황금평 경제지대 개발이 문서에만 그치고 있다는 점에서도 그러한 흐름을 발견할 수 있다. 라선경제무역지대의 경우 조중 공동관리위원회를 구성하여 일정한 수준의 발전과 변화를 보이고 있고, 최근에는 훈춘과 하산지역을 포함한 3국 국경 없는 국제관광구 등의 추진을 중국과 러시아에서 발표하고 있다. 물론 라선지대 개발계획에 비추어 그 변화는 상대적이지만 천천히 변화를 감지할 수 있는 모습을 보여주고 있다는 점에서 남 북 중 3자 협력의 가능성을 제기할 수 있다. 따라서 라선지역을 북한의 라선이 아니라 라선특별시 즉, 개방도시로 접근한다면 '5.24 조치'를 우회할 수 있는 길을 찾게 될 것이다. 이는 한 중 간 남 북 중 협력을 논할 수 있을 뿐만 아니라 북 중 간에도 우리가 남 북 중 협력을 논의하고 참여할 수 있는 방안을 마련해야 할 것이다. 대한민국의 새로운 블루오션을 구상하고 개척하기 위해 개방형 복합국가발전전략을 현실화시키는 전략적 선택이 필요한 시점이다.

• 한국수자원학회:학술대회논문집
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• 한국수자원학회 2015년도 학술발표회
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• pp.224-224
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• 2015

The East Asia monsoon is one of the most complex atmospheric phenomena caused by Land-Sea thermal contrast. It plays essential role in fulfilling the water needs of the region but also poses stern consequences in terms of flooding and droughts. This study analyzed the influence of Global Sea Surface Temperature Anomalies (SSTA) on occurrence of droughts in the East Asia monsoon region ($20^{\circ}N-50^{\circ}N$, $103^{\circ}E-149^{\circ}E$). Standardized Precipitation Index (SPI) was employed to characterize the droughts over the region using 30-year (1978-2007) gridded rainfall dataset at $0.5^{\circ}$ grid resolution. Due to high variability in intensity and spatial extent of monsoon rainfall the East Asia monsoon region was divided into the homogeneous rainfall zones using cluster analysis method. Seven zones were delineated that showed unique rainfall regimes over the region. The influence of SSTA was assessed by using lagged-correlation between global gridded SSTA ($0.2^{\circ}$ grid resolution) and SPI of each zone. Sea regions with potential influence on droughts in different zones were identified based on significant positive and negative correlation between SSTA and SPI with a lag period of 3-month. The results showed that SSTA have the potential to be used as predictor variables for prediction of droughts with a reasonable lead time. The findings of this study will assist to improve the drought prediction over the region.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.66-69
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• 2001

Effect of $N_2$ flow rate on properties of GaN thin films grown by plasma-enhanced molecular beam epitaxy(PEMBE) was discussed to optimize the quality of thin films. It was found that at low $N_2$ flow rate indicating high III/V flux ratio, the growth rate of GaN thin films was controlled by $N_2$ flux, and at high $N_2$ flow rate the growth rate was not controlled by $N_2$ flux any longer. It was also found that III/V flux ratio affected film quality. The film grown at higher $N_2$ flow rate showed low background carrier concentration, higher carrier mobility, and narrow FWHM in band-edge emission of low temperature PL. It is thought that the film in more Ga flux region was grown by 2-dimensional layer-by-layer growth mode, and the film in more nitrogen region was grown by 3-D island growth mode. All samples exhibited a good crystallinity.