In this article, we examine the real meaning behind the stories in which the N-po Generation (Millennial Generation) is depicted, through the observation of entertainment programs, TV series, and movies. This could be an opportunity to investigate the aspects of emotional customs of our era, which have been described by television media as portraying the complex and multifaceted reality in the most mundane and popular manner while influencing the public. Problems with youth unemployment, the polarization of life, and instability are not only global issues but situations that specifically occur in South Korea. It is thus vital to pay attention to the inner side of the N-po Generation who enjoy Sohwakhaeng (small but certain happiness) by eating alone as the placebo effect of this tough reality. This is an agenda that should be viewed as a problem in the fundamental design of South Korean society. The consciousness of the problem shown in the TV series has been drawing attention. The TV series Because depicts a love narrative that concentrates on emotions in a relationship that started between housemates due to poverty and housing problems, leading to marriage. Thus, the TV series persuasively dramatized 'confluent love' in the N-po Generation. In the movie , Miso can be regarded as a symbol that represents the emergence of a new generation of cultural sensitivity. There is a suggestion in the sequence of that identifies the pursuit of taste with the discovery of identity. The TV series is a growth narrative that deals heavily with youth unemployment, temporary workers, fragmented families, and dating violence. The housemates in find emotional stability through interaction with each other, and courageously approach their individual problems. In the process, images of women, who are empathetic towards others and are willing to jointly solve their problems, are calmly depicted to reveal a story of growth revolving around a ground emotional community. The current problem that South Korean society should contemplate is how to be fully human beyond mere survival, and how to further seek the conditions of human existence. In that sense, what we should pursue is a notion of 'publicness', which can put several generations together. Because of the reality that confliction between generations must be triggered, in order to make a passage of sympathizing, mass media's sensitivity training becomes more important. This may be the duty of mass media.
한정된 주파수 자원을 사용하는 지상파 디지털방송 기술은 스펙트럼 효율을 높임과 동시에 초고화질의 UHDTV, HD급 이동 서비스 등을 제공하기 위해 진화 중에 있으며, 유럽의 경우 이미 1세대를 지나 2세대로 나아가고 있다. 국내 지상파 디지털방송 시스템의 국가표준인 미국의 ATSC 표준도 2세대를 위한 ATSC 3.0 표준화를 진행 중에 있다. 본고에서는 지상파 디지털방송 표준으로 대표적인 ATSC와 DVB에서 진행되고 있는 표준화 동향 및 최근에 나타난 전세계 통일된 방송규격을 지향하는 FOBTV의 동향을 정리함으로써 국내 지상파 디지털방송 기술 개발 및 차세대 방송 표준이 나아갈 방향을 예측하는데 참고할 수 있는 정보를 제공하고자 한다.
Proceedings of the Korean Institute of Navigation and Port Research Conference
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2016.05a
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pp.299-301
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2016
국제수로기구(IHO)는 수로데이터의 상호 운용성 확보 및 활용 증진을 위해 ISO 19100 지리공간 정보 표준을 수로분야로 확장하여 S-100(범용수로데이터모델) 표준을 개발하여 현재 2.0 버전에 이르고 있으며, S-101 차세대 전자해도 표준을 포함하여 전자서지 및 동적 수로정보 등의 다양한 표준을 개발 중이다. 한편, 국제해사기구는 e-Navigation 전략 추진을 위해 전략이행계획(SIP)를 개발하고, e-Nav 정보표준인 CMDS를 S-100 표준을 기반으로 개발하기로 결정 하였으며, 국제항로표지협회는 AtoN, IVEF, AIS-ASM, 측위 인프라에 관한 S-20X 표준개발을 진행하고 있다. 우리나라의 해양조사 및 수로도서지 간행을 담당하고 있는 국립해양조사원은 S-100 표준 기술을 확보하고 국가 수로국으로의 역할 수행을 위해 S-100 수로데이터를 구축할 계획으로 있다. 본 연구에서는 S-100/S-10X 표준개발 현황 및 우리나라의 차세대 전자해도 개발 계획을 검토하고, 해사안전, e-Navigation 및 VTS 분야 관점에서 시사점을 정리 하였다.
향후 수년 내에 흠, 오피스 및 핫스팟 영역에서 초고속 멀티미디어의 서비스 수요가 폭발적으로 증가할 것으로 전망됨에 따라 IEEE 802.11에서는 200-500Mbps급의 차세대 초고속 무선랜 표준으로서 IEEE 802.11n의 표준안을 제정하는 작업을 진행하고 있다. 새로운 표준에는 무선통신의 다양한 기술들이 표준으로 채택될 전망이다. 논의되고 있는 기술들로는 물리계층에서의 다중 안테나의 사용, 송신 빔 형성, 듀얼 밴드 그리고 LDPC (Low Density Parity Check) 등의 기술과 MAC (Media Access Control) 계층에서의 집합 전송, 블록 전송, 링크 적응 기법 등의 채택이 논의되고 있다. 기존의 무선랜 시스템에서 널리 사용되어온 IEEE 802.11a/b/g와의 호환성을 보장한다. 또한 차세대 무선랜은 차량용 통신 장치를 위한 고속 이동성을 보장하는 표준인 IEEE 802.11p에 대한 논의도 함께 이루어지고 있다. 본 고에서는 표준회의에서 논의되고 있는 후보 기술들과 차세대 무선랜의 기술동향을 살펴본다.
With semiconductor scaling approaching the physical limits, devices including CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) components have managed to overcome yet are currently struggling with several technical issues like short-channel effects. Evolving from the process node of 22 nm with FinFET (fin field effect transistor), state-of-the-art semiconductor technology has reached the 3 nm node with the GAA-FET (gate-all-around FET), which appropriately addresses the main issues of power, performance, and cost. Technical problems remain regarding the foundry of GAA-FET, and next-generation devices called post-GAA transistors have not yet been devised, except for the CFET (complementary FET). We introduce a CFET that spatially stacks p- and n-channel FETs on the same footprint and describe its structure and fabrication. Technical details like stacking of nanosheets, special spacers, hetero-epitaxy, and selective recess are more thoroughly reviewed than in similar articles on CFET fabrication.
It has gone that the age of making the products focusing on only the capacity or efficiency, We face the age that only the products which fit the sensitivity of customers. Now, customers attach importance to impressive design, convenience, and satisfaction as well as the quality, cost, and capacity of the products. Under the much plentiful life, it has a limit of exciting customer's interest to pursue the quality, cost and capacity, so we need new design development which can produce more different, better, and newer mood. Recently, past synchronism and standardization have collapsed according to the change of sense of value, customers make much account of their own sensitivity comparing with at any time in much information and visual stimulus, and they would like to purchase the products which satisfy their sensitivity as a way of their image creation and settlement of wants.
Thermally stable diffusion barrier of tungsten carbon nitride(W-C-N) and of tungsten boron carbon nitride(W-B-C-N) thin films have studied to investigate the impurity behaviors of boron and nitrogen. In this paper we newly deposited tungsten boron carbon nitride(W-B-C-N) thin film for various $W_2B$ target power on silicon substrate. The impurities of the 100nm-thick W-C-N and W-B-C-N thin films provide stuffing effect for preventing the inter-diffusion between W-C-N or W-B-C-N thin films and silicon during the high temperature($700^{\circ}C{\sim}1000^{\circ}C$) annealing process.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.148-148
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2010
GaN와 SiC 반도체는 band gap이 넓고 주파수 특성이 우수하여 미국, 유럽, 일본등 선진국에서는 기존의 GaAs나 InP에 이어 차세대 화합물 반도체 플랫폼(next generation compound semiconductor platform)으로서 연구개발 테마로 각광을 받고 있다. 미국의 경우 잘 알려진 국가 대형프로젝트인 WBGS-RF program (2003~2010, 7년)의 종료와 함께 새로운 NEXT program(2009~2014, 5년)을 지난 해 시작하였으며, 유럽은 KORRIGAN program (2005~2009, 5년)에서 연구개발된 기술에 대하여 후속인 MANGA program (2010~2014, 3.5년)을 통하여 GaN 반도체의 양산체제 구축을 위한 대형 연방 프로젝트를 시작하였다. 따라서 본 논문발표에서는 지난 10년 동안 그리고 향후 5년간 2014년까지 미국 국방성과 유럽연방 국방성에서 지원하고 있는 대형 국가 프로젝트인 GaN 전자소자 연구개발 프로그램과 연구개발 동향 분석을 통하여 대한민국이 나아가야 할 차세대 화합물 반도체 플랫폼인 GaN 전자소자의 연구개발 방향을 제시하고자 한다.
Proceedings of the Korean Institute of Communication Sciences Conference
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1998.06a
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pp.1263-1266
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1998
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[게시일 2004년 10월 1일]
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