• 대한화학회지
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• 제54권1호
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• pp.120-124
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• 2010

용액침전법에 의해 $TiO_2$ 및 $TiO_{2-x}N_x$를 제조하였다. $TiO_{2-x}N_x$ 시료는 순수한 $TiO_2$의 띠 간격인 3.20 eV (390 nm 흡광)로부터 1.77 eV (700 nm 흡광)까지 띠 간격이 줄어들게 되어 자외선 영역 뿐 아니라 가시광선 전체 영역에서도 흡광이 발생하였다. 가시광선에서의 광촉매 활성에서도 $TiO_{2-x}N_x$ 시료는 순수한 $TiO_2$ 및 P-25보다도 더 높은 활성도를 나타냈다.

• 한국자기학회지
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• 제10권3호
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• pp.106-111
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• 2000

페라이트 도금 방법으로 M $n_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{2.78-x}$ $O_4$(x=0.00~0.08)와 N $i_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{*}$2.78-x/ $O_4$(x=0.00~0.15)의 스피넬 페라이트 박막을 제작하였다. 반응용액의 조성비 변화에 따라 형성된 박막의 조성비와 성장속도를 조사하였다. 제조한 시료들의 결정성과 미세구조는 x-선 회절분석과 전자현미경으로 조사하고, 시료의 자기적 성질을 진동 시료형 자력계를 사용하여 조사했다. 조성비 x가 증가함에 따라 격자상수는 M $n_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{2.78-x}$ $O_4$(x=0.00~0.08) 박막에서 증가하지만, N $i_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{2.78-x}$ $O_4$(x=0.00~0.15) 박막에서 감소한다. M $n_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{2.78-x}$ $O_4$(x = 0.00~0.08) 박막의 포화자화는 419 emu/㎤에서 394 emu/㎤ 의 값을 가져 N $i_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{2.78-x}$ $O_4$(x=0.00~0.15)의 $M_{s}$ 보다 높게 나타났다. 보다 높게 나타났다. 보다 높게 나타났다.

• 한국환경과학회지
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• 제12권9호
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• pp.997-1004
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• 2003

The objective of this research was to test whether, under controlled laboratory conditions, hybrid SNCR/SCR process improves N $O_{x}$ removal efficiency in comparison with the SNCR only. The hybrid process is a combination of a redesigned existing SNCR with a new downstream SCR. N $O_{x}$ reduction experiments using a hybrid SNCR/SCR process have been conducted in simple NO/N $H_3$/ $O_2$ gas mixtures. Total gas flow rate was kept constant 4 liter/min throughout the SNCR and SCR reactors, where initial N $O_{x}$ concentration was 500 ppm in the presence of 5% or 15% $O_2$. Commercial catalysts, $V_2$ $O_{5}$ -W $O_3$-S $O_4$/Ti $O_2$, were used for SCR N $O_{x}$ reduction. The residence time and space velocity were around 1.67 seconds and 2,400 $h^{-1}$ or 6000 $h^{-1}$ in SNCR and SCR reactors, respectively. N $O_{x}$ reduction of the hybrid system was always higher than could be achieved by SNCR alone at a given value of N $H_{3SLIP}$. Optimization of the hybrid system performance requires maximizing N $O_{x}$ removal in the SNCR process. An analysis based on the hybrid system performance in this lab-scale work indicates that a equipment with N $O_{xi}$ =500 ppm will achieve a total N $O_{x}$ removal of about 90 percent with N $H_{3SLIP}$ $\leq$ 5 ppm only if the SNCR N $O_{x}$ reduction is at least 60 percent. A hybrid SNCR/SCR process has shown about 26∼37% more N $O_{x}$ reduction than a SNCR unit process in which a lower temperature of 85$0^{\circ}C$ turned out to be more effective.be more effective.

• 한국재료학회지
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• 제11권3호
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• pp.197-202
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• 2001

교류구동형 플라즈마 표시소자의 보호막으로 사용되는 MgO의 특성향상을 위하여 기존의 MgO에 양이온이 등전적으로 치환될 수 있는 ZnO를 소량 첨가하여 고주파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 $Mg_{1-x}$Z $n_{x}$O박막을 성장시키고 박막의 전기적, 광학적 특성을 조사하였다. ZnO농도가 0.5 at%, 1at%인 $Mg_{1-x}$Z $n_{x}$O 박막을 보호막으로 갖는 PDP 테스트 판넬을 제작하고 ZnO의 첨가가 소자의 방전전압과 메모리 이득에 미치는 영향을 살펴보았다. ZnO농도가 0at%, 0.5 at%, 1at%인 $Mg_{1-x}$Z $n_{x}$O 박막의 광투과율은 ZnO 첨가에 따라 변화를 보이지 않으나 유전상수는 다소 증가하는 경향을 보였다. ZnO의 농도가 0.5 at%인 $Mg_{1-x}$Z $n_{x}$O 박막을 보호막으로 갖는 PDP 소자의 방전개시전압과 방전유지 전압이 MgO 박막을 보호막으로 갖는 소자에 비해 20V까지 낮아졌고, 결과적으로 메모리계수는 다소 증가하였다. ZnO농도가 0.5 at%, 1at%인 $Mg_{1-x}$Z $n_{x}$O 박막을 보호막으로 갖는 소자에서 ZHO의 첨가에 비례하여 방전세기 (플라즈마 밀도)가 증가하였다.도)가 증가하였다.도)가 증가하였다.

• 대한수학회논문집
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• 제18권4호
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• pp.603-613
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• 2003

When X is a threefold of general type, it is well known h/sup 0/(X, O/sub X/(nK/sub X/)) ≥ 1 for a sufficiently large n. When X(O/sub X/) 〉 0, it is not easy to obtain such an integer n. A. R. Fletcher showed that h/sup 0/(X, O/sub X/(nK/sub X/)) ≥ 1 for n = 12 when X(O/sub X/)=1. We introduce a technique different from A. R. Fletcher's. Using this technique, we also prove the same result as he showed and have a new result.

• 한국진공학회지
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• 제19권5호
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• pp.341-346
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• 2010

본 논문에서는 반응성 스퍼터링(Reactive Sputtering) 공정으로 $Si_xO_y$ 박막과 $Si_xN_y$ 박막을 4층 구조로 적층하고 400~700 [nm]의 가시광 영역에서 빛의 반사를 줄이기 위한 반사방지 코팅(Anti-Reflection Coating)으로의 응용 가능성을 조사하였다. 스퍼터링 타겟으로 6 [inch] 직경의 Si 단결정을 사용하였고, 반응성 스퍼터링 가스는 $Si_xO_y$ 박막 증착에서 Ar과 $O_2$를, $Si_xN_y$ 박막 증착에서는 Ar과 $N_2$를 사용하였으며, 스퍼터링 파워로는 DC pulse를 사용하였다. 1,900 [W] DC pulse power에서 Ar:$O_2$=70:13 [sccm]의 반응성 스퍼터링으로 2.3 [nm/sec]의 증착률과 1.50의 굴절률을 보이는 $Si_xO_y$ 박막을 제작하였고, Ar:$N_2$=70:15 [sccm]의 반응성 스퍼터링으로 1.8 [nm/sec]의 증착률과 1.94의 굴절률을 보이는 $Si_xN_y$ 박막을 제작하였다. 이 두 종류의 박막을 이용해서 시뮬레이션을 통해 4층 구조의 반사방지 코팅 구조를 설계한 후, 설계결과에 따라 각 박막의 두께를 순차적으로 변화시켜 증착하였다. 4층 구조 $Si_xO_y-Si_xN_y$의 반사도 측정 결과 550 [nm] 대역에서 1.7 [%]의 반사와 400 [nm]와 650 [nm] 영역에서 1 [%]의 반사를 보였으며, 가시광 영역에서 성공적인 "W" 형태의 반사방지 코팅 특성을 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.444-447
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• 2000

The spinel L $i_{1-x}$ M $n_2$ $O_4$has been synthesized by the solid-state reaction. L $i_{l-x}$M $n_2$ $O_4$which includes a mixture of LiOH . $H_2O$ and Mn $O_2$prepared by preliminary heating at 35$0^{\circ}C$ for 12hr. L $i_{l-x}$M $n_2$ $O_4$fired at temperature range from 75$0^{\circ}C$ for 48hr. The structure and the electrochemical characteristics of spinel to L $i_{1-x}$ M $n_2$ $O_4$which is fabricated by changing sintering condition from starting materials are investigated. The cyclic voltammetric measurement was performed using 3 electrode cells. Electrode specific capacity and cycle life behavior were tested in a 3.0~4.2V range at a constant current density of 0.45mA/c $m^2$. To improve the cycle performance of spinel L $i_{l-x}$M $n_2$ $O_4$as the cathode of 4V class lithium secondary batteries, spinel phases L $i_{1-x}$ M $n_2$ $O_4$were Prepared at various lithium. The results showed that discharge capacity of L $i_{l-x}$M $n_2$ $O_4$varied at lithium quantity decrease with increasing lithium add quantity. The discharge capacities of L $i_{0.925}$M $n_2$ $O_4$and LiM $n_2$ $O_4$revealed 108 and 117mAh/g, respectively.spectively.y.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.726-729
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• 2000

Though L $a_{1+x}$S $r_{2-x}$M $n_2$ $O_{7}$ n=2 R-P phases have been well known to have CMR effect, it was generally believed that n=1 phase was insulating. But recently monolayered perovskite $Ca_{2-x}$L $n_{x}$Mn $O_4$phase has been reported to show magnetoresistance. In this study, layered perovskite $Ca_{2-x}$L $n_{x}$Mn $O_4$ (x=0, 0.5, Ln=Pr, Nd, Sm, Gd) phases were synthesized by solid state reaction and their structures were refined by Rietveld method. The space groups of $Ca_2$Mn $O_4$, N $d_{0.5}$C $a_{1.5}$Mn $O_4$phases were refined as C2cb and Fmmm, respectively.y.ely.y.y.y.y.y.y.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part 1
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• pp.436-437
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• 2006

The $Ag/TiO_{2-x}N_x$ nanoparticles were synthesized by photochemical deposition in a $TiO_{2-X}N_X$ suspension system. The prepared products were characterized by means of XRD, Uv-vis and photoluminescence spectra (PL). Its photocatalytic activity was investigated by the decomposition of methylene blue (MB) solution under illumination of visible and ultraviolet light, respectively. Compared to $TiO_{2-x}N_x$, the photocatalytic activity of the as-prepared $Ag/TiO_{2-x}N_x$ is obviously enhanced due to the decreasing recombination of a photoexcitated electron-hole pairs. The Mechanism in which photocatalytic activity is enhanced has been discussed in detail.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권12호
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• pp.1028-1032
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• 2009

In this study, the influences of silicon-based gas barrier films fabricated by using a facing target sputtering(FTS) system on the gas permeability for flexible displays have been investigated. Under these optimum conditions on the $SiO_x$ film with oxygen concentration($O_2/Ar+O_2$) of 3.3% and the $SiO_xN_y$ film with nitrogen concentration($N_2/Ar+O_2+N_2$) of 30% deposited by the FTS system, it was found that the films were grown about 4 times higher deposition rate than that of the conventional sputtering system and showed high transmittance about 85% in the visible light range. Particularly, the polyethylene naphthalate(PEN) substrates with the $SiO_x$ and/or $SiO_xN_y$ films showed the enhanced properties of decreased water vapor transmission rate (WVTR) over $10^{-1}\;g/m^2{\cdot}day$ compared with the PEN substrate without any gas barrier films, which was due to high packing density in the Si-based films with high plasma density by FTS process and/or the denser chemical structure of Si-N bond in the $SiO_xN_y$ film.