• 제목/요약/키워드: Multi-chip Module

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WPON 응용을 위한 고속 CMOS어레이 광트랜스미터 (A High Speed CMOS Arrayed Optical Transmitter for WPON Applications)

  • 양충열;이상수
    • 한국통신학회논문지
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    • 제38B권6호
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    • pp.427-434
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    • 2013
  • 본 논문은 멀티 채널의 어레이 집적 모듈을 갖는 광트랜시버를 위한 2.5 Gbps 어레이 VCSEL driver의 설계 및 구현에 관한 것이다. 본 논문에서는 광트랜시버에 적용된 1550 nm high speed VCSEL을 드라이브하기 위하여 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정 기술을 이용하여 자동 광전력제어 기능을 갖는 2.5 Gbps VCSEL (수직 공진기 표면 방출 레이저) 드라이버 어레이를 구현하였다. 광트랜스미터의 폭넓은 대역폭 향상을 위해 2.5 Gbps VCSEL Driver에 네가티브 용량성 보상을 갖는 능동 궤환 증폭기 회로를 채용한 결과 기존 토폴로지에 비해 대역폭, 전압 이득 및 동작 안정성의 뚜렷한 향상을 보였다. 4채널 칩은 최대 변조 및 바이어스 전류하에서 1.8V/3.3V 공급에서 140 mW의 DC 전력만 소모하고, 다이 면적은 기존 본딩 패드를 포함하여 $850{\mu}m{\times}1,690{\mu}m$를 갖는다.

다중칩 모듈 설계를 위한 Gridless 배선기 (A Gridless Area Router for Multichip Module Design)

  • 이태선;임종석
    • 전자공학회논문지C
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    • 제36C권9호
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    • pp.28-43
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    • 1999
  • 본 논문에서는 다중칩 모듈 설계를 위한 gridless 배선 방법을 제안한다. 제안하는 배선 방법에서는 배선상태를 표현하기 위해 배선격자 (grid) 대신 corner stitching 자료구조를 사용함으로써 핀들의 위치 제한을 없애고, 네트의 특성에 맞는 와이어 폭을 선택할 수 있다. 또한 비아보다 그 폭이 작은 와이어들로 인해 남는 공간을 다른 네트의 배선에 이용하여 배선영역을 최대한 낭비 없이 이용한다. 배선격자를 사용하지 않는 배선방법은 배선격자를 기반으로 하는 배선 방법에 배해 복잡하고 어렵다. 더구나 다중칩 모듈과 같이 배선 영역이 크고 배선층의 갯수가 많은 배선 문제일 경우 배선 속도는 배선 가능성을 결정하는 중요한 요소가 된다. 그러나 제안하는 배선 방법은 빠른 속도가 증명된 SEGRA의 배선 알고리즘과 효율적인 자료구조의 특성을 적절히 이용함으로써 배선격자를 기반으로 하는 배선 방법 보다 빠른 속도와 그리 떨어지지 않는 배선 결과를 보인다.

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Thermal properties and mechanical properties of dielectric materials for thermal imprint lithography

  • Kwak, Jeon-Bok;Cho, Jae-Choon;Ra, Seung-Hyun
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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    • pp.242-242
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    • 2006
  • Increasingly complex tasks are performed by computers or cellular phone, requiring more and more memory capacity as well as faster and faster processing speeds. This leads to a constant need to develop more highly integrated circuit systems. Therefore, there have been numerous studies by many engineers investigating circuit patterning. In particular, PCB including module/package substrates such as FCB (Flip Chip Board) has been developed toward being low profile, low power and multi-functionalized due to the demands on miniaturization, increasing functional density of the boards and higher performances of the electric devices. Imprint lithography have received significant attention due to an alternative technology for photolithography on such devices. The imprint technique. is one of promising candidates, especially due to the fact that the expected resolution limits are far beyond the requirements of the PCB industry in the near future. For applying imprint lithography to FCB, it is very important to control thermal properties and mechanical properties of dielectric materials. These properties are very dependent on epoxy resin, curing agent, accelerator, filler and curing degree(%) of dielectric materials. In this work, the epoxy composites filled with silica fillers and cured with various accelerators having various curing degree(%) were prepared. The characterization of the thermal and mechanical properties wasperformed by thermal mechanical analysis (TMA), thermogravimetric analysis (TGA), differential scanning calorimetry (DSC), rheometer, an universal test machine (UTM).

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박막형 열전 냉각 모듈 제작을 위한 디자인 모델 소개 (Introduction to the Thin Film Thermoelectric Cooler Design Theories)

  • 전성재;장봉균;송준엽;현승민;이후정
    • 한국정밀공학회지
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    • 제31권10호
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    • pp.881-887
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    • 2014
  • Peltier 효과를 이용한 박막형 열전 냉각 모듈은 열전 재료에 의한 열 출입의 방향에 따라서 수직형 구조와 수평구조로 나누어진다. 이와 같은 박막형 열전 냉각 모듈의 성능은 기존의 벌크 형태의 냉각 모듈을 평가하기 위해 사용하는 모델을 이용하여 측정할 수 있다. 우리가 제조한 열전 박막을 모델에 적용하여 열전재료의 길이 변화에 따른 열 방출 성능을 평가 하여 보았다. 재료의 성능이 향상됨에 따라서 동일한 열 전기적 저항에서 최대 열 방출 성능은 $73.9W/cm^2$에서 $131.2W/cm^2$으로 크게 증가하는 것을 알 수 있었다. 또한 방사 형태로 $10{\mu}m$ 두께의 열전 재료와 전극들이 두께가 각기 다른 기판 위에 형성된 수평형 냉각 모듈을 설계하여 $10{\mu}m$ 두께의 $SiO_2$ 멤브레인 위에 열전재료가 형성된 열전 모듈에서 22 K의 온도 차를 해석결과로부터 알 수 있었다. 이와 같은 결과로부터 열전 재료의 특성과 모듈의 열 전기적 저항은 필연적으로 짧은 열전 재료의 길이와 두께를 갖는 박막형 열전 모듈을 높은 효율의 모듈로 설계하기 위해 반드시 고려되어 되어야 할 요소임을 확인 할 수 있다.

전기자동차용 파워모듈 적용을 위한 Sn-Ag-Fe TLP (Transient Liquid Phase) 접합에 관한 연구 (Study on Sn-Ag-Fe Transient Liquid Phase Bonding for Application to Electric Vehicles Power Modules)

  • 김병우;고혜리;천경영;고용호;손윤철
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제30권4호
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    • pp.61-68
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    • 2023
  • 무연솔더에 Fe 입자를 첨가하여 Cu3Sn 금속간화합물 성장을 억제하고 취성파괴를 방지하는 연구는 보고된 바 있으나 이러한 복합솔더를 TLP(transient liquid phase) 본딩에 적용한 경우는 아직 없다. 본 연구에서는 Sn계 무연솔더 내부에 Fe 입자의 함량을 적절히 조절하여 Sn-3.5Ag-15.0Fe 복합솔더를 제작하고 TLP 본딩에 적용하여 접합부 전체를 Sn-Fe 금속간화합물로 변화시킴으로써 고온 솔더로서의 적용 가능성을 탐색하였다. 접합공정 중에 형성되는 FeSn2 금속간화합물은 513℃의 고융점을 가지므로 사용 중 온도가 280℃까지 상승하는 전력반도체용 파워모듈에 안정적으로 적용이 가능하다. 칩과 기판에 ENIG(electroless nickel-immersion gold) 표면처리를 적용한 결과 접합부에 Ni3Sn4/FeSn2/Ni3Sn4의 다층 금속간화합물 구조를 형성하였으며 전단시험시 파괴경로는 Ni3Sn4/FeSn2 계면에서 균열이 진전하다가 FeSn2 내부로 전파되는 양상을 보였다. TLP 접합공정 2시간 이후에는 30 MPa 이상의 전단강도를 얻었고 특히 200℃ 전단시험에서도 강도 저하가 전혀 없었다. 본 연구결과는 최근 활발히 연구되고 있는 전기자동차용 파워모듈에 적용할 수 있는 소재 및 공정으로 기대할 수 있다.