Since the wall thickness can be up to 6" or greater, welds must be made in many layers, each layer containing several passes. However, the welding time for the conventional welding processes such as SAW(Submerged Arc Welding) and FCAW(Flux Cored Arc Welding) can be required many hours. The aim of this paper is to develop a high speed welding system with multi-torch and laser vision sensor for increasing the production speed on the line and to remove the need for the operator so that the system can run automatically for the complete multi-torch multi-layer weld. It was shown that the developed laser vision sensor and analysis of arc blow for multi-torch were effective for multi-pass seam tracking and stable arc. A new automated multi-torch welding systems for thick wall applications has been proved in several production lines.
This paper addresses a welding task sequencing for robot arc welding process planning. Although welding task sequencing is an essential step in the welding process planning, it has not been considered through a systematic approach, but it depends rather on empirical knowledge. Thus, an effective task sequencing for robot arc welding is required. Welding perations can be classified by the number of welding robots. Genetic algorithms are applied to tackle those welding task sequencing problems. A genetic algorithm for traveling salesman problem (TSP) is utilized to determine welding task sequencing for a MultiWeldline-SingleLayer problem. Further, welding task sequencing for multiWeldline-MultiLayer welding is investigated and appropriate genetic algorithms are introduced. A random key genetic algorithm is also proposed to solve multi-robot welding sequencing : MultiWeldline with multi robots. Finally, the genetic algorithm are implemented for the welding task sequencing of three dimensional weld plate assemblies. Robot welding operations conforming to the algorithms are simulated in graphic detail using a robot simulation software IGRIP.
In this paper, we present the simulation results of multi-layer VCO(voltage controlled oscillator), which is composed of resonator, oscillator, and buffer circuit, using EM simulator and nonlinear RF circuit simulator. EM simulator is used for obtaining the EM(Electromagnetic) characteristics of conductor pattern as well as designing the multi-layer VCO. Obtained EM characteristics were used as real components in nonlinear RF circuit simulation. Finally the overall VCO was simulated by the nonlinear RF circuit simulator. The material for the circuit pattern was Ag and the dielectric was Dupont 951AT, which will be applied for LTCC process. The structure of multi-layer VCO is constructed with 4 conducting layer. Simulated results showed that the output level was about 4.5 [dBm], the phase noise was -104 [dBc/Hz] at 30 [kHz] offset frequency, the harmonics -8 dBc, and the control voltage sensitivity of 30 [MHz/V] with a DC current consumption of 9.5 [mA]. The size of VCO is $6{\times}9{\times}2 mm$(0.11 [cc]).
본 논문에서는 소량 다품종 환경에 적극 대처 할 수 있는 다기능, 다목적을 갖는 산업용 제어기를 설계 제안하였다. 설계된 제어기는 모든 정보가 집중되는 MU(Main Unit)와 표시장치를 나타내는 DU(Display Unit)로 구성된다. 소프트웨어 관점에서 MU는 상위 태스크와 하위 드라이버로 구성되며, 각 태스크는 멀티태스킹을 지원 운영체제를 이용하여 병렬 처리된다. 설계된 제어기는 제어 알고리듬의 수정, 제어 대상 변경, 제어대상의 특성 변경, Man-Machine-Interface(MMI)의 변경 등에 능동적이면서 신속한 해결책을 제시하기 위하여, 제어기의 구조를 3개의 계층으로 구조화하였다. 1st layer인 하드웨어와 2nd layer인 펌웨어를 규격화하여 변경하지 않고 생산할 수 있으며, 각각의 제어 대상에 따라 달라지는 고유의 제어 알고리듬에 해당하는 3rd layer의 개발은 하위 2개의 계층에 관련 없이 독립적으로 신속히 개발될 수 있도록 하였다.
본 연구에서는 기본설계용 다층탄성이론을 이용한 역학적 거동해석 프로그램을 개발하였고, 현장에서 간편하게 사용될 수 있도록 Visual Basic 프로그래밍을 사용한 사용자 편의의 전 후 처리기법을 도입하여 본 연구에서 개발된 다층탄성해석 프로그램을 패키지화하였다. 패키지화한 상용프로그램에 아스팔트층의 깊이별 온도변화에 따른 영향과 보조기층, 노상과 같은 비구속층에서의 응력비선형성을 고려하여 아스팔트 포장구조해석모형을 개발하였다. 또한 개발된 해석과정을 이용하여 시험도로 실제 초기 현장계측자료의 현장검증을 실시하였다.
Reaction Bonded Silicon Carbide(RBSC) has been used for engineering ceramics due to low-temperature fabrication and near-net shape products with excellent structural properties such as thermal shock resistance, corrosion resistance and mechanical strength. Recently, attempts have been made to develop hot gas filter with gradient pore structure by RBSC to overcome weakness of commercial clay-bonded SiC filter such as low fracture toughness and low reliability. In this study a fabrication process of porous RBSC with multi-layer pore structure with gradient pore size was developed. The support layer of the RBSC with multi-layer pore structure was fabricated by conventional Si infiltration process. The intermediate and filter layers consisted of phenolic resin and fine SiC powder were prepared by dip-coating of the support RBSC in slurry of SiC and phenol resin. The temperature of $1550^{\circ}C$ to make Si left in RBSC support layer infiltrate into dip-coated layer to produce SiC by reacting with pyro-carbon from phenol resin.
본 논문에서는 다층 구조를 이 용하여 다중 대 역(GSM, DCS, PCS, WCDMA, 2.3 GHz WiMAX)에서 동작하며, 다층 구조이므로 공간 재활용이 가능하여 안테나 크기를 효율적으로 줄일 수 있는 칩 안테나를 제안하였다. 또한, 중간층에 air-gap을 삽입하여 병렬 캐피시턴스 성분을 감소시켜 넓은 대역폭을 얻을 수 있었다. 제안한 안테나는 RO4003 유전체(${\varepsilon}_r=3.4$)를 사용한 다층 구조의 PIFA이고, 안테나 부피는 $22{\times}5.5{\times}4.0\;mm^3$이다. 측정 결과, 안테나 효율 45 % 이상인 대역폭은 low-band에서 80 MHz($880{\sim}960\;MHz$)이며, high-band에서 690 MHz($1,710{\sim}2,400\;MHz$)을 보였으며, 안테나의 고차 모드와 최상위 층의 공진으로 인해 high-band에서 넓은 대역폭을 갖게 되는 것으로 사료된다.
본 논문에서는 GPS(Global positioning System)-Bluetooth-DSRC(Dedicated short range communication) 대역의 신호를 동시에 수신할 수 있는 차량용 이중편파 다중대역 안테나를 적층형으로 설계하였다. 안테나는 다층 구조(Multi-Layer)이고, 유전율이 4.4이고, 두께가 1.6mm 인 FR4-epoxy 기판을 사용하였다. GPS와 DSRC 대역은 원형편파(Circular Polarization) 특성을 가지고, 블루투스 대역은 선형편파(Linear Polarization) 특성을 가지며, 이들 안테나는 단일 프루브 급전하였다. 안테나는 Ansys HFSS v11로 시뮬레이션 하였고, 측정결과와 비교하면서 크기가 $67mm{\times}67mm{\times}4.8mm$인 안테나를 설계하였다. 최적 설계된 안테나는 -10dB 대역폭이 각 대역에서 82MHz, 127MHz, 862MHz로 측정되었고, GPS 및 DSRC 대역의 3dB 축비 대역폭은 12MHz와 112MHz로 시뮬레이션 되었다. 이 결과는 시스템이 요구하는 사양을 만족하고 있음을 확인하였다.
Experimental study was performed to investigate the flow behavior in boundary layer on the blade suction surface of a multi-stage axial flow compressor, which was focused on the third stage of the 4-stage Low Speed Research Compressor. Flow measurements in the boundary layer were obtained using a boundary layer hot wire probe, which was traversed normal to the blade suction surface at small increments by the probe traverse specially designed. Detailed boundary layer flow measurements covering most of the stator suction surface were taken and are described using time mean and ensemble averaged velocity profiles. Amplitude of the velocity fluctuation and turbulence intensity in the boundary layer flow are also discussed. At midspan, narrow but strong wake zone due to passing wake disturbances is generated in the boundary layer near the blade leading edge for the rotor blade passing period. Corner separation is observed at the tip region near the trailing edge, which causes to increase steeply the boundary layer thickness.
The multi-dielectric layer SiOz/Si3N4/SiO2(ONO) is used to scale down the memory device. In this paper, the change of composition in ONO layer due to the process condition and the conduction mechanism are observed. The composition of the oxide film grown through the oxidation of nitride film is analyzed using auger electron spectroscopy(AES). AES results show that oxygen concentration increases at the interface between oxide and nitride layers as the thickness -of the top oxide layer increases. Results of I-V measurement show that the insulating properties improve as the thickness of the top oxide layer increases. But when the thickness of the nitride layer decreases below 63.angs, insulating peoperties of film 28.angs. of top oxide and film 35.angs. turn over showing that insulating property of film 28.angs. of top oxide is better than that of film 35.angs. of top oxide. This phenomenon of turn over is thought as the result of generation of surface state due to oxygen flow into nitride during oxidation process. As the thickness of the top oxide and nitride increases, the electrical breakdown field increases, but when the thickness of top oxide reaches 35.angs, the same phenomenon of turn over occurs. Optimum film thickness for scaled multi-layer dielectric of memory device SONOS is estimated to be 63.angs. of nitride layer and 28.angs. of top oxide layer. In this case, maximum electrical breakdown field and leakage current are 18.5[MV/cm] and $8{\times}{10^-12}$[A], respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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