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급속응고 Al-20wt%Si-5wt%Fe 합금분말 압출재의 강도에 관한 연구 (Fabrication of Rapidly Solidified Al-20wt%Si-5wt%Fe Alloy Powder and Mechanical Properties of its Extrudates)

  • 김택수
    • 한국분말재료학회지
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    • 제1권1호
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    • pp.66-71
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    • 1994
  • Optical microstructures and mechanical properties of Na gas atomized Al-20Si-5Fe alloying powder and its hot extrudates were studied on 3 different types of powder size distribution. This powder showed the size distribution of 10~210 $\mu\textrm{m}$. Also the microstructures of $\alpha$-Al, primary and eutectic Si and needle shaped intermetallic compounds were observed by optical microscope. These needle shaped intermetallic compounds were identified as ${\delta}Al_4FeSi_2$- by XRD and EDX analysis. The ultimate tensile strength(UTS) of these alloy extrudates was increased from 324 to 390 MPa with decreasing powder size range from 120~210 $\mu\textrm{m}$ to 10~64 $\mu\textrm{m}$. A value of Micro-vic-kers hardness was simillar to the result of UTS. These extrudates showed better wear resistance than those of Al-20Si-2X(X : Ni, Cr, Zr), although they are insensitive to the size distribution. These results indicate that the presentation of ${\delta}Al_4FeSi_2$ intermetallic compounds contributed to the wear resistance improvement.

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다결정 3C-SiC 마이크로 공진기의 특성 (Characteristics of polycrystalline 3C-SiC micro resonator)

  • 이태원;정귀상
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.69-70
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    • 2008
  • Micro resonators have been actively investigated for bio/chemical sensors and RF M/NEMS devices. Among various materials, SiC is a very promising material for micro/nano resonators since the ratio of its Young's modulus, E, to mass density, $\rho$, is significantly higher than other semiconductor materials, such as, Si and GaAs. Polycrystalline 3C-SiC cantilever with different lengths were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and its fundamental resonance was measured by a laser vibrometer in air and vacuum at room temperature, respectively. For the cantilever with $100{\mu}m$ length, $10{\mu}m$width and $1.3{\mu}m$ thickness, the fundamental frequency appeared at 147.2 kHz.

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Alumina Green Sheet의 동시소성용 텅스텐 페이스트 제조 및 금속 접합에 관한 연구 (A Study on Tungsten Paste for Metallization and Cofiring of an Alumina Green Sheet)

  • 박경리
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제3권2호
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    • pp.39-50
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    • 1996
  • 본 연구에선 주어진 조성의 알루미나 green sheet에 대하여 텅스텐의 입경 및 산화 물의 조성을 변화시키므로써 수축률을 제어하여 camber를최소화하여 결합강도를 최대로 하 는 텅스텐 페스트조성을 찾아내는 것을 목적으로 하였다. 본 실험에서 사용한 텅스텐 분말 의 입경은 0.35$\mu$m, 0.6$\mu$m, 0.72$\mu$m, $1.5\mu$m, 1.9$\mu$m, 3.2$\mu$m이며 frit는 Al2O3, MgO, SiO2 와 Al2O3, CaO, SiO2를 사용하여 각각의 조성에 따라 함량을 변화시키며 실험하였다. 소성 은 154$0^{\circ}C$로 습윤 수소분위기에서 시행하였으며 사용된 알루미나 green sheet의 알루미나 중심 입경은 2.8$\mu$m이었다. 분석은 주사전자 현미경으로 미세구조를 관찰하였고 EPMA Line Profile로 원소 분석을 하였으며 잔류응력을 측정하기 위하여 XRD분석을 하였다. Frit 을 함유하지 않은 경우 텅스텐 분말의 입경이 1.9$\mu$mdlfEo 최대 접합 강도를 나타내었다. Frit을 함유한 경우 Mgo계 frit조성에서는 MgO/Al2O3/SiO3=1/1/1일 때 CaO계 frot 조성에 서는 CaO/Al2O3/SiO2=1/2/1일 때 최대 접합 강도를 나타내었다. Frit 함량을 변화시킨 경우 MgO계는 10wt%함유하였을 때 CaO 계는 5wt%함유하였을 때 최대 접합강도를 나타내었 다. Frit 함량을 변화시킨 경우 MgO계는 10wt%함유하였을 때, CaOr계는 5wt%함유하였을 때 최대 접합강도를 나타내었다.

규산질다공체와 미생물응집제의 녹조제어 효과 (Effects of CellCaSi and Bioflocculant on the Control of Algal Bloom)

  • 박명환;이석준;윤병대;오희목
    • 환경생물
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    • 제19권2호
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    • pp.129-135
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    • 2001
  • 부영양화된 연못에서 규산질다공체(CelICaSi)와 미생물응집제를 이용한 녹조제어의 효과를 조사하였다. 녹조 발생 남조류인 Microcystis aeruginosa에 대한 응집능이 우수한 S-2 균주가 생산한 미생물응집제를 선정하여 현장의 조류응집에 적용하였다. 초기의 인산염농도는 대조구에서 $131\mu{g}\ell^{-1}$를 기록하였음에 비해서, CelICaSi가 첨가된 3개의 처리구에서는 $1-14\mu{g}\ell^{-1}$를 기록하며 크게 감소하였다. 엽록소$-\alpha$ 농도는 현장에 설치한 en-closure에서 초기에 $215\mu{g}\ell^{-1}$ 이었으나 CellCaSi $(1g\ell^{-1}$, 미생물응집제 $(2ml\ell^{-1})$, 보조응집제 $(1g\ell^{-1})$, 염화제이철 $(2mg\;Fe\ell^{-1})$을 함께 처리한 처리구에서 $59\mu{g}\ell^{-1}$로 가장 많이 감소하였다. 실험용 쥐 및 금붕어를 이용한 독성실험에서 녹조제거에 이용되는 성분들과 미생물응집제에 대한 독성은 없는 것으로 조사되었다. 따라서, CellCaSi와 미생물응집제는 인 제거 및 엽록소-$\alpha$ 농도 감소에 의한 녹조제거에 효과적인 것으로 판단되었다.

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Synthesis of (5R,8R)-2-(3,8-Dimethyl-2-oxo-1,2,4,5,6,7,8,8α-octahydroazulen-5-yl) Acrylic Acid (Rupestonic Acid) Amide Derivatives and in vitro Inhibitive Activities against Influenza A3,B and Herpes Simplex Type 1 and 2 Virus

  • Yong, Jian-Ping;Lv, Qiao-Ying;Aisa, Haji Akber
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제30권2호
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    • pp.435-440
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    • 2009
  • 19 Aromatic ring and L-amino acid ester contained rupestonic acid amide derivatives 2a~2l, 3a~3g were synthesized and preliminarily evaluated in vitro against influenza virus $A_3$,B and herpes simplex virus type 1 (HSV-1), 2(HSV-2) by the national center for drug screening of China. The rusults showed that 2i possessed the highest inhibition against both influenza virus $A_3\;(TC_{50}\;=\;120.6\;{\mu}mol/L,\;IC_{50}=\;19.2\;{\mu}$mol/L, SI = 6.3) and B (T$C_{50}\;=\;120.6\;{\mu}mol/L,\;IC_{50}=\;29.9\;{\mu}$mol/L, SI = 4.0); 2g was more active against influenza $A_3$ virus at very low cytotoxicity ($TC_{50}\;>\;2092.1\;{\mu}mol/L,\;IC_{50}=\;143.7\;{\mu}mol/L,$ SI > 14.6) than the parent compound; Compounds 2b, 2c, 2f showed higher activities both against HSV-1 and HSV-2 than that of the parent compound, and 2f was the most potent inhibitor of HSV-1 ($TC_{50}\;=\;200.0\;{\mu}mol/L,\;IC_{50}\;=\;11.3\;{\mu}mol$/L, SI = 17.7 ) and HSV-2 ($TC_{50}\;=\;200.0\;{\mu}mol/L,\;IC_{50}\;=\;20.7\;{\mu}mol$/L , SI = 9.7).

N-epi 영역과 Channel 폭에 따른 4H-SiC 고전력 VJFET 설계 (4H-SiC High Power VJFET with modulation of n-epi layer and channel dimension)

  • 안정준;방욱;김상철;김남균;구상모
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.350-350
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    • 2010
  • Silicon carbide (SiC), one of the well known wide band gap semiconductors, shows high thermal conductivities, chemical inertness and breakdown energies. The design of normally-off 4H-SiC VJFETs [1] has been reported and 4H-SiC VJFETs with different lateral JFET channel opening dimensions have been studied [2]. In this work, 4H-SiC based VJFETs has been designed using the device simulator (ATLAS, Silvaco Data System, Inc). We varied the n-epi layer thickness (from $6\;{\mu}m$ to $10\;{\mu}m$) and the channel width (from $0.9\;{\mu}m$ to $1.2\;{\mu}m$), and investigated the static characteristics as blocking voltages, threshold voltages, on-resistances. We have shown that silicon carbide JFET structures of highly intensified blocking voltages with optimized figures of merit can thus be achieved by adjusting the epi layer thickness and channel width.

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다결정 3C-SiC 마이크로 공진기의 온도특성 (Temperature Characteristics of Polycrystalline 3C-SiC Micro Resonators)

  • 정귀상;이태원
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제22권4호
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    • pp.314-317
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    • 2009
  • This paper describes the temperature characteristics of polycrystalline 3C-SiC micro resonators. The $1.2{\mu}m$ and $0.4{\mu}m$ thick polycrystalline 3C-SiC cantilever and doubly clamped beam resonators with $60{\sim}100{\mu}m$ lengths were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and their fundamental resonance was measured by a laser vibrometer in vacuum at temperature range of $25{\sim}200^{\circ}C$. The TCF(Temperature Coefficient of Frequency) of 60, 80 and 100 On long cantilever resonators were -9.79, -7.72 and -8.0 ppm/$^{\circ}C$. On the other hand, TCF of 60, 80 and $100{\mu}m$ long doubly clamped beam resonators were -15.74, -12.55 and -8.35 ppm/$^{\circ}C$. Therefore, polycrystalline 3C-SiC resonators are suitable with RF MEMS devices and bio/chemical sensor applications in harsh environments.

Microstructure and Consolidation of Gas Atomized Al-Si Powder

  • Hong, S.J.;Lee, M.K.;Rhee, C.K.;Chun, B.S.
    • 한국분말야금학회:학술대회논문집
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    • 한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part2
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    • pp.994-995
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    • 2006
  • The microstructure of the extruded Al-20Si bars showed a homogeneous distribution of eutectic Si and primary Si particles embedded in the Al matrix. The grain size of ${\alpha}-Al$ varied from 150 to 600 nm and the size of the eutectic Si and primary Si in the extruded bars was about 100 - 200 nm. The room temperature tensile strength of the alloy with a powder size $<26{\mu}m$ was 322 MPa, while for the coarser powder ($45-106{\mu}m$) it was 230 MPa. With decreasing powder size from $45-106{\mu}m$ to $<26{\mu}m$, the specific wear of all the alloys decreased significantly at all sliding speeds due to the higher strength achieved by ultrafine-grained constituent phases. The fracture mechanism of failure in tension testing and wear testing was also studied.

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PECVD법에 의해 증착된 $SiO_2$후막 특성에서 $N_2O$/$SiH_4$Flow Ratio와 RF Power가 미치는 영향 (Effects of $N_2O$/$SiH_4$Flow Ratio and RF Power on Properties of $SiO_2$Thick Films Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)

  • 조성민;김용탁;서용곤;임영민;윤대호
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권11호
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    • pp.1037-1041
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    • 2001
  • 저온(32$0^{\circ}C$)에서 SiH$_4$$N_2$O 가스의 혼합을 통해 플라즈마화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 실리카 광도파로의 클래딩막으로 사용되는 SiO$_2$후막을 제조하였다. 증착변수가 SiO$_2$후막의 특성에 미치는 영향을 살펴보기 위해 $N_2$O/SiH$_4$flow ratio와 RF power에 변화를 주었다. $N_2$O/SiH$_4$ flow ratio가 감소함에 따라 증착속도는 2.9 $mu extrm{m}$/h), 굴절률은 thermal oxide의 굴절률(n=1.46)에 근접하였다.

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Spark plasma sintering 소결법에 의해 제작 된 Ti-Al-Si 합금타겟의 물성과 합금타겟을 이용하여 제작한 박막에 관한 연구

  • 이한찬;정덕형;문경일;이붕주;신백균
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.237.1-237.1
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    • 2013
  • Ti 와 Al 은 금속간의 화합물이 내산화성에 우수한 성질을 가지고 있으며 낮은 밀도와 고온에도 큰 변화가 없는 성질을 가지고 있다. 그리하여 내식 및 부식 관련 연구나 고온재료를 필요로 하는 우주, 엔진 제품 등에 많은 연구가 진행되고 있다. 또한 Ti-Al-N 박막은 경도가 우수하여 고속 공구 부품에 널리 사용되고 있으며 최근 Ti-Al-N 에 Si 첨가로 인하여 40 GPa 이상의 고경도와 1,000도 이상의 산화온도를 지닌 나노 혼합물 코팅을 형성 시키는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 Ti, Al, Si 원분말을 PBM (Planetary Ball Milling) 방법을 사용하여 Ti-Al-Si 혼합분말로 제조하고, 제조된 분말들은 SPS (Spark Plasma Sintering) 공정을 통하여 Ti-Al-Si 합금타겟을 제작하였다. 제작된 Ti-Al-Si 합급타겟을 사용한 Sputtering 공정을 수행하여 Ti-Al-Si 3원계 박막을 증착하였다. 그 결과 기존 Ti (82 ${\mu}m$), Al (32 ${\mu}m$), Si (16 ${\mu}m$) 크기의 원분말들이 PBM (Planetary Ball Milling) 공정 후 Ti-Al-Si (18 ${\mu}m$) 로 입도가 작아진 것을 확인 할 수 있었고, 소결 후 타겟이 99% 이상의 높은 밀도를 가졌으며 원분말의 조성과 동일한 조성을 가진 타겟이 제작되었음을 확인하였다. Ti-Al-Si 타겟의 경도는 약 1,000 Hv 이상의 값을 보였으며, Ti-Al-Si-N 박막의 경우 타겟의 조성과 동일하였고 경도는 약 35 GPa 로 높은 경도 값을 가지는 것을 확인하였다. 내산화 테스트 결과 Ti-Al-Si-N 박막은 1,000도 에서도 박막의 손상이 가지 않았다.

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