• 한국식품과학회지
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• 제20권5호
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• pp.625-630
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• 1988

대두단백질을 인산화 및 초산화처리에 의하여 변형시키고, 변형대두단백질의 기능특성을 검토하였다. 인산화 대두단백질은 비변형 대두단백질보다 높은, 용해도, 거품특성, 수분보유력을 나타냈다. 한편, 초산화에 의해서도 유화력과 거품특성이 현저하게 증진되었다. 대두단백질은 인산화와 초산화에 의하여 등전점이 산성쪽으로 변화였으며 단백질의 집괴화현상도 관찰되었다. 또한, 화학변형된 대두단백질을 디스크 전기영동에 의해 분석시 단백질밴드의 상대이동도가 현저하게 증대되었다.

• 한국인쇄학회지
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• 제22권1호
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• pp.75-82
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• 2004

The photoluminescence and electroluminescence of poly(9-vinylcarbazole) (PVCz) containing different ratio 1.3,5-dimethly-3,5-di-tert-butyl-4,4-diphenoquinone (MBDQ), 1.3,5-diemthyl-3.5-di-tert-butyl-4,4-stylbenquinone (MBSQ) were characterized. As the contents of DQ and SQ increased, the intensity of peaks at 516 and 540nm increased in PL spectra. The results of TOF measurement were shown that the hole mobility of PVCz decreased as the ratio of DQ or SQ increased. On the other hand, the electron mobility of PVCz increased. Therefore Electron transport is more favorable than hole transport in these charge transfer complexes, due to the stronger localization of the holes. Evidence for better electron transport is the higher mobility of electrons in pure DQ or SQ compared to hole mobility in pure PVCz, and lower DQ or SQ concentration required for equivalent mobilities in the charge-transfer complexes.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제9권1호
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• pp.30-44
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• 2009

본 논문에서는 이동 피어의 콘텐츠 탐색을 효율적으로 지원할 수 있는 이동 P2P 구조를 제안한다. 제안하는 이동 P2P 구조는 이동 피어의 탐색 비용을 감소시키기 위해 이동 피어, 이동 슈퍼 피어, 고정 슈퍼 피어로 구성된 3계층 구조이다. 이동 피어가 콘텐츠 탐색을 수행하기 위해서는 통신 가능한 피어로부터 콘텐츠를 찾고 질의영역 확장을 위해 이동 슈퍼 피어, 고정 슈퍼 피어를 이용한 계층적 콘텐츠 탐색을 수행한다. 계층적 콘텐츠 탐색, 피어 이동성에 따른 서비스 연속성을 보장하기 위해 이동 피어의 가입/탈퇴 과정은 이동성을 지원하는 메시지 구조에 의해 명시적으로 상위 피어에 저장한다. 실험 평가 결과 제안하는 구조는 기존의 2계층 구조 보다 콘텐츠 탐색 속도가 약 32% 향상되었고 고정 슈퍼 피어로 전송되는 메시지를 감소시켜 고정 슈퍼 피어 탐색 부하를 약 25% 감소시켰다.

• 한국정보과학회논문지:정보통신
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• 제37권4호
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• pp.284-293
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• 2010

모바일 인터넷 환경에서 단말의 끊김 없는 서비스 제공을 위해 고속 핸드오버 기술이 필수적이다. 현재까지 다양한 핸드오버 기술들이 제안되었으며, Fast handover for Proxy Mobile IPv6(PFMIPv6)가 고속 핸드오버에 적용될 수 있는 유력한 기술이다. 본 논문에서는 PFMIPv6 기술이 모바일 와이맥스와 같은 무선 인터넷 환경에 효과적으로 적용될 수 있도록 예측 모델을 적용한 L2-L3 핸드오버의 크로스 레이어 기법을 제안하였다. 제안한 핸드오버 기법의 검증을 위해 맨하탄 모델, 고속도로 모델, 개방 모델의 세 가지 이동 환경을 고려하였으며, 각 환경에서 predictive-mode 동작 성공 확률, 핸드오버 지연시간, 패킷 손실량, 시그널링 비용에 대해서 비교 분석하였다. 성능 분석을 통해 제안한 방식이 PFMIPv6와 비교하여 더 우수한 성능을 나타냄을 확인하였다

• 한국수산과학회지
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• 제5권4호
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• pp.105-107
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• 1972

붕어(Carassius carassius), 가물치(Ophicephalus argus) 및 미꾸리(Misgurnus anguillicaudatus)의 혈색소상에 미치는 동과 염의 영향을 전분전기영동법으로 연구하였다. 1. 정상 붕어의 혈색소 band는 양극에 1개 있고, band의 수나 이동도가 동이나 염에 의하여 영향을 받지 않았다. 2. 정상 가물치의 혈색소 band는 양극 2개 있고, 이동도는 붕어와 미꾸리의 것보다 빨랐으며 동이나 염의 영향을 받지 않았다. 3 정상 미꾸리의 혈색소 band는 2개로서 양극과 음극에 1개씩 있었고, 기준선으로부터의 상대이동도는 서로 비슷하였다 미꾸리가 동에 처리된 경우 양극에 있는 band의 이동도는 대조군과 염처리군의 이동도보다 상당히 빨랐고, 한편 음극에 있는 혈색소 band는 동과 염의 영향을 받지 않았다. 이 연구를 지도하여 주신 숙명여자대학교 약학대학의 노일협박사님께 깊은 감사를 드린다.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제1권1호
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• pp.227-237
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• 1998

HgCdTe Is the most versatile material for the developing infrared devices. Not like III-V compound semiconductors or silicon-based photo-detecting materials, HgCdTe has unique characteristics such as adjustable bandgap, very high electron mobility, and large difference between electron and hole mobilities. Many research groups have been interested in this material since early 70's, but mainly due to its thermodynamic difficulties for preparing materials, no single growth technique is appreciated as a standard growth technique in this research field. Solid state recrystallization(SSR), travelling heater method(THM), and Bridgman growth are major techniques used to grow bulk HgCdTe material. Materials with high quality and purity can be grown using these bulk growth techniques, however, due to the large separation between solidus and liquidus line on the phase diagram, it is very difficult to grow large materials with minimun defects. Various epitaxial growth techniques were adopted to get large area HgCdTe and among them liquid phase epitaxy(LPE), metal organic chemical vapor deposition(MOCVD), and molecular beam epitaxy(MBE) are most frequently used techniques. There are also various types of photo-detectors utilizing HgCdTe materials, and photovoltaic and photoconductive devices are most interested types of detectors up to these days. For the larger may detectors, photovoltaic devices have some advantages over power-requiring photoconductive devices. In this paper we reported the main results on the HgCdTe growing and characterization including LPE and MOCVD, device fabrication and its characteristics such as single element and linear array($8{\times}1$ PC, $128{\times}1$ PV and 4120{\times}1$ PC). Also we included the results of the dewar manufacturing, assembling, and optical and environmental test of the detectors.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제16권6호
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• pp.847-853
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• 2016

Applications of Si have been increasingly exploited and extended to More-Moore, More-than-Moore, and beyond-CMOS approaches. Ge is regarded as one of the supplements for Si owing to its higher carrier mobilities and peculiar band structure, facilitating both advanced and optical applications. As an emerging metal-oxide device, the junctionless field-effect transistor (JLFET) has drawn considerable attention because of its simple process, less performance fluctuation, and stronger immunity against short-channel effects due to the absence of anisotype junctions. In this study, we investigated lateral field scalability, which is equivalent to channel-length scaling, in Si and Ge JLFETs. Through this, we can determine the usability of Si CMOS and hypothesize its replacement by Ge. For simulations with high accuracy, we performed rigorous modeling for ${\mu}_n$ and ${\mu}_p$ of Ge, which has seldom been reported. Although Ge has much higher ${\mu}_n$ and ${\mu}_p$ than Si, its saturation velocity ($v_{sat}$) is a more determining factor for maximum $I_{on}$. Thus, there is still room for pushing More-Moore technology because Si and Ge have a slight difference in $v_{sat}$. We compared both p- and n-type JLFETs in terms of $I_{on}$, $I_{off}$, $I_{on}/I_{off}$, and swing with the same channel doping and channel length/thickness. $I_{on}/I_{off}$ is inherently low for Ge but is invariant with $V_{DS}$. It is estimated that More-Moore approach can be further driven if Si is mounted on a JLFET until Ge has a strong possibility to replace Si for both p- and n-type devices for ultra-low-power applications.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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• pp.23-26
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• 2012

MANET에서 경로를 구성하고 있는 노드들은 라우터로서 동작하고, 각기 다른 이동성을 가지고 있다. 따라서 경로에 속해있는 노드 중 이동성이 높은 노드가 있다면 해당 노드는 속해있는 경로의 단절을 일으킬 확률이 높으므로 경로 선택에서 최대한 배제되어야 한다. 본 논문에서는 경로의 안정성을 증가시키기 위해 기존에 알려져 있는 다중경로 라우팅 프로토콜인 AOMDV(Ad-Hoc On-demand Multipath Distance Vector)를 확장하여 노드 이동성에 대한 정보를 기록, 관리한다. 노드 이동성에 대한 정보 관리를 위해 MRecord필드와 Relieve필드를 추가하고, 그 정보를 실제 경로 설정에 반영하기 위해 RREP(Route Reply)메시지에는 Mbl필드를 추가하여 이동성이 높은 노드를 경로 구성에서 배제하여 보다 안정적인 경로를 구성할 수 있도록 하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제24권12A호
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• pp.2002-2007
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• 1999

본 논문에서는 유리기판 위에 고상결정화(SPC)로 제작된 n-채널 다결정 박막 트랜지스터(poly-Si TFT's)에 대해 전류-전압 특성, 이동도, 누설전류, 문턱전압, 그리고 부임계 기울기 등과 같은 전기적 특성을 측정함으로서 대면적, 고밀도 TFT-LCD에의 적용 가능성을 조사하였다. 채널 길이가 각각 2, 10, 25$\mu\textrm{m}$로 제작된 n-채널 poly-Si TFT에서, 전계 효과 이동도는 각각 11, 125, 116 $\textrm{cm}^2$/V-s이었으며, 누설전류는 각각 0.6, 0.1, 0.02 pA/$\mu\textrm{m}$로 나타났다. 또한 낮은 문턱전압과 q임계 기울기 그리고 양호한 ON-OFF ratio이 나타났다. 따라서, SPC로 제작된 poly-Si TFT는 대형유리기판에 디스플레이 패널과 구동시스템을 동시에 집적하는 대면적, 고밀도 TFT-LCD에 적용 가능한 것으로 판단된다.

• 한국재료학회지
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• 제5권8호
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• pp.1045-1049
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• 1995

유기금속분해법(MOD, Metal Organic Decomposition)에 의하여 ITO 박막을 제조하고 SnO$_2$의 조성과 소성온도의 변화에 따른 박막의 특성변화를 고찰하였다. SnO$_2$의 양이 변하여도 ITO는 In$_2$O$_3$의 결정구조를 유지하고 있었으며, 이로부터 Sn이 In자리를 치환하여 고용체를 형성함을 알 수 있었다. SnO$_2$를 9wt.% 첨가 하였을때 비저항이 2.5$\times$$10^{-3}$$\Omega$-cm로 가장 낮은 값을 보였으며, 이는 타 연구자들의 결과치 보다 약 10배정도 큰 값이다. 이러한 비저항값의 차이는 작은 입경으로 인한 이동도의 감소 때문인 것으로 판단되었다. 투광도는 SnO$_2$의 첨가량 및 소성온도에 크게 의존하지 않았으며 가시영역에서 90% 이상을 보였다. 광흡수단으로부터 계산된 optical energy gap은 4.51-4.96eV 이었다.